半导体激光器结温测试研究

提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温.通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI.其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9 ℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2 ℃/A.把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性.     

键合技术在微机械Golay-cell红外探测器中的应用

介绍多种硅片键合技术及其在基于高菜盒（Golay-cell）原理的微机械红外探测器中的应用。对多种键合方法在该器件中的实验结果进行比较，确定了现阶段最优的键合方法，即采用局部电场屏蔽方法的阳极键合方法，键合成功率在90％以上，并初步实现了器件的标准化制作。     

新型室温红外探测器的微电容快速测试系统

新型室温红外探测器对8～14舯红外辐射具有快速灵敏的响应，设计出用于该探测器的微电容测试系统，能够快速灵敏地将探测器输出的电容信号通过C—f、f—V变换电路转换为电压信号，然后由A／D转换电路变为数字信号后传到PC机进行信号处理。给出了硬件电路的实现方法，其采样频率为10kHz，电容信号的分辨率为10fF．这种测试方法也适用于其他微小电容式传感器的快速检测。     

新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究

介绍了一种基于MEMS技术的新型室温中远红外波段硅基电容式红外探测器原理和制作工艺过程，并详细介绍了针对单面光刻机而采用的对准孔双面对准和键合对准技术、浓硼扩散FLPW腐蚀停止技术制备超薄敏感硅膜以及薄膜的疏水处理等关键工艺。还对各环节所遇到的问题和其相应的解决方法进行了详细地阐述。     

Novel high-brightness tunneling-regenerated multi-active-region AlGaInP light-emitting diode

High-brightness AlGaInP light-emitting diodes (LEDs) are becoming increasingly important and have found a variety of applications, such as outdoor displayers and automobile indicators[1—3]. Those AlGaInP LEDs can be tuned from reddish orange to yellow-green by changing Al composi-tion[1—4], since the quaternary direct band-gap material AlGaInP alloys can be precisely lattice- matched to GaAs substrate in a large range of Al composition. But the external quantum efficiency and the bri…     

一种新颖的低温硅片直接键合技术

提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.     

跨导线性MOCCII电路实现

本文提出了一种由跨导线性环电路和双极型多端输出的电流镜构成的MOCCⅡ(多端输出的第二代电流传输器)的实现电路。文中详细分析了该电路的工作原理，并给出了实验结果。该电路具有频带宽、电压传输和电流传输精度高、结构简单、易于实现及成本低廉且实用性好的特点。     

焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导体激光器三维稳态温度分布,分析了焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.结果表明,当芯片与焊料为理想全接触时,靠近衬底的有源区的热量积累略高于靠近热沉的有源区的热量;随着空隙的增大,焊料空隙上方靠近热沉的有源区的局部温升较快,容易引起正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.     

Si-SiGe/SiHBT真流特性的解析模型与模拟

在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后,对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟．给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴＧｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度Ｊｃ的关系．研究了基区少子寿命对的影响．模拟显示,Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ在小电流和中等电流下有良好的常温和低温直流特性,在大电流下,由于异质结势垒效应的存在,电流增益β严重退化．     

TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究

在高温和大栅电流下 ,对 Ti Al栅和 Ti Pt Au栅 MESFET的稳定性进行了比较研究 ,结果表明 :( 1)两种器件的击穿电压稳定 ,栅 Schottky接触二极管理想因子 n变化不明显 ;( 2 ) Ti Al栅的 MESFET的栅特性参数 (栅电阻 Rg,势垒高度 Φb)变化明显 ,与沟道特性相关的器件参数 (如最大饱和漏电流 Idss,栅下沟道开路电阻 R0 ,夹断电压 Vp0 等 )保持相对不变 ;( 3)对 Ti Pt Au栅MESFET来说 ,栅 Schottky二极管特性 (栅电阻 Rg,势垒高度 Φb)保持相对稳定 ,与沟道特性相关的器件参数 (如最大饱和漏电流 Idss,栅下沟道开路电阻 R0 ,夹断电压 Vp0 、跨导 gm 等 )明显变化 ,适当退火后 ,有稳定的趋势。这两种器件的参数变化形成了鲜明的对比。