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11.
12.
以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法与超声技术相结合的手段制备颗粒均匀的纳米氧化铟.运用XRD和TEM等分析手段对合成产品的结构、形貌等进行了表征,用静态配气法初步测试了合成材料的气敏性能.结果表明,溶胶-凝胶法与超声技术相结合是合成高性能纳米材料较有前途的一种方法,并且该法制备的纳米氧化铟材料有较好的气敏性能. 相似文献
13.
通过向电镀溶液中加入有机添加剂的方法在硫酸盐体系中制备纳米级锌镀层.采用极化曲线研究了有机物添加剂对锌沉积行为的影响,并用XRD和SEM对镀层结构和形貌进行表征.研究表明,当脉冲导通时间为4 ms,关断时间为8 ms,脉冲峰值电流密度为2 A/cm2时,以苄叉丙酮和硫脲为主光亮剂,含量分别为0.5 g/L,可制备出光亮致密的纳米级锌镀层,平均晶粒尺寸为43 nm.镀层晶粒细化的主要原因是有机添加剂的加入提高了锌的沉积过电位,使锌晶核的形成速度变快而长大速度变慢. 相似文献
14.
在1000~1100℃之间,对三种Cr、Al含量及微量元素S、Zr含量不同的Ni-Cr-Al基合金进行了恒温和循环氧化实验。结果表明,高Cr(16Wt%),低Al(3.5Wt%)、S(0.005wt%)含量,且不含Zr的合金其氧化膜层主要由连续致密的Cr2O3外氧化层和树根状Al2O3内氧化层构成,氧化膜的粘附性较好。高Al(5wt%),低Cr(9wt%)、S(03005wt%)含量,且不含Zr的合金其氧化膜主要由Al2O3,TiO2,Cr2O3构成,氧化膜的粘附性较差,但在该合金中加入0.1Wt%S和0.1Wt%Zr,氧化膜的粘附性变好,而恒温氧化速率增加。文中对实验结果进行了综合分析。 相似文献
15.
研究了Co-40Cr(wt%)合金在空气中、1000℃下的恒温氧化和循环氧化行为。通过SEM/EDXA等测试手段,对合金表面形成的氧化膜进行了分析.并且,与合金表面离子注入3×1016Y /cm2和3×1017Y /cm2后的氧化行为进行了比较.结果表明,注钇和未注钇样品氧化后表面形成的都是纯Cr2O3膜,离子注钇明显改善了合金的氧化性能.其原因主要是稀土钇能以离子或细小氧化物颗粒的形式偏聚于Cr2O3晶界,通过阻碍氧化膜中Cr3+阳离子向外扩散,降低了氧化膜的生长速率.同时,通过阻碍氧化膜/合金界面附近"kirkendall"空洞的形成,增强了氧化膜与合金基体之间的结合强度,提高了氧化膜的粘附性及合金的抗氧化性能. 相似文献
16.
氧化铟纳米粉体的微乳液合成及其气敏特性 总被引:5,自引:0,他引:5
用微乳液法合成了纳米In2O3粉体,浸渍法制备了5%(in mass)La2O3掺杂In2O3。利用X射线衍射、透射电镜对合成产物进行了结构表征。采用静态配气法对氧化铟气敏元件的气敏特性进行了测试。结果表明:微乳液法合成的氧化铟经600℃,5h煅烧后,颗粒尺寸约为30nm,且分布均匀。氧化铟气敏元件对汽油、酒精、甲醛等有机蒸气具有较高的检测灵敏度,但选择性不好。氧化镧掺杂后,不同温度工作时,氧化铟分别对汽油、酒精有较好的选择性,且响应恢复快。 相似文献
17.
采用改进的双面氧化弯曲法,原位测定了900℃下 CeO_2及其含量对 Al 化物涂层上的氧化膜生长应力的影响,并计算出了含 CeO_2的复合涂层与两种简单渗 Al 涂层的生长应力差值。实验表明:涂层中添加 CeO_2可细化 Al_2O_3膜的晶粒,增加了氧化膜的塑性,使复合涂层在900℃氧化45h 后的氧化膜内的生长应力同 NiAl 涂层和M38G 合金渗 Al 层相比分别降低了约2000MPa 和500MPa。此外,试样在升温过程中的弯曲行为表明,三种涂层的线膨胀系数间关系为 α_(NiAl)>α_(NiAl+CeO(?))>α_(渗 Al M38G 合金)。 相似文献
18.
简述透射电子显微镜在研究金属氧化微观机制方面的应用,并就TEM及HREM在研究离子注CeNi20Cr合金,Ni-La2O3共沉积层的氧化膜的组成、结构,AgCu稀固溶合金的内氧化微观缺陷,以及活性元素掺杂的氧化膜的精细结构等方面的研究结果和最新进展作了简要报道,对活性元素影响氧化行为的微观机制和内氧化的微观机制作了简要评述。 相似文献
19.
两种抗氧化碳/碳复合材料的高温氧化行为 总被引:1,自引:0,他引:1
用恒温热重法测定了表面经化学气相渗 SiC 的碳布层叠和碳毡抗氧化碳/碳复合材料在1300℃、空气中的氧化失重速率,并研究其高温氧化行为。氧化动力学测定结果表明,碳布层叠和碳毡抗氧化碳/碳材料在1300℃空气中1h 的平均氧化失重速率分别为0.024和0.033g/m~2·s。两种材料的氧化失重速率随氧化时间延长而减小。研究表明,材料表面 SiC 涂层中的微裂纹缺陷作为环境中氧的快速扩散通道,使得涂层底部基体的碳发生氧化。在达到稳态后,氧化速率限制过程为反应气体和产物气体通过 SiC 涂层底部气体边界层的扩散过程。 相似文献
20.