GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性

对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH水溶液以及熔融KOH,腐蚀温度为90～300℃.实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑.KOH溶液腐蚀出长方形的坑,长边平行于(111)A面,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同.用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性.此外,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错.     

立方相GaN的高温MOCVD生长

利用MOCVD技术在提高生长温度(900℃)下生长出了高质量的立方相GaN,生长速度提高到1.6μm/h.高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV,小于在830℃下生长的GaN样品.在ω扫描模式下,X射线衍射表明高温生长的GaN具有较小的(002)峰半高宽21′.可以看出,尽管立方GaN是亚稳态,高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高.本文对GaN生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论.     

磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。     

煤岩正断层处的力学分析与数值模拟

煤层开采经常遇到断层情况,本文就煤岩正断层处进行力学分析和ANSYS数值模拟,认为断层处应力值仅与断层处的载荷集度及断层倾角有关,数值分析结果与理论分析基本一致,可供顶板破断支护提供参考。     

低频重复经颅磁刺激对急性脑梗死患者失语的影响

目的评价低频重复经颅磁刺激对急性脑梗死失语患者语言功能恢复的治疗作用。方法选择176例急性左侧半球脑梗死伴失语的右利手患者,按收治时间分为治疗组96例,对照组80例。治疗组接受常规药物治疗和言语训练7d后接受30d的低频rTMS治疗,1次·d^-1,对照组仅接受常规药物治疗和言语训练。2组在治疗前后采用波斯顿诊断性失语严重程度分级标准进行失语症严重程度分级及疗效评定。结果治疗组失语程度较对照组明显改善（χ2=12．646,P=0．027）,治疗组总有效率（93．75％）明显高于对照组（83．75％）,2组比较差异有统计学意义（χ2=4．531,P=0．033）。结论早期低频rTMS治疗能改善脑梗死失语患者的语言功能。     

选煤厂筛下漏斗噪声分析与治理

利用频谱分析方法对漏斗结构噪声进行了功率谱分析,结合漏斗有限元模型的模态分析,确定漏斗侧板共振是产生噪声的原因,并介绍了噪声治理的方法。     

医院信息系统数据库的安全保障

信息安全的核心就是数据库安全,因此数据库的安全问题越来越受到重视。文章对数据库安全进行了概述,讨论了数据库的安全威胁,并通过一系列措施建立了一个合理、可靠的oracle安全策略,最大程度的确保oracle数据库的安全运行。     

某水乐园大跨度异形网壳结构设计研究

苏州某水乐园由钢屋盖部分和跨街桁架部分组成,屋盖为大跨异形自由曲面网壳结构,长158m、跨度76m、高20m;跨街桁架部分跨度为30m。通过找形分析,在兼顾建筑造型的同时选取结构性能更优的曲面形态;钢屋盖采用单双层网壳结合的形式,在形成76m无柱大空间的基础上,保证经济性及使用功能。另外,对结构进行了一般静力分析、关键构件中震弹性分析、二阶P-Δ弹性分析、屈曲分析、双非线性稳定分析、支座位移罕遇地震时程分析以及节点有限元分析,在符合规范要求的前提下,充分保证了结构的安全。     

能量色散X射线荧光光谱法检测抗燃油氯含量的研究

磷酸酯抗燃油中氯含量的准确、高效测定,对电厂安全稳定运行很有意义。为制定行业标准“磷酸酯抗燃油氯含量的测定：能量色散X射线荧光光谱法”,对该法测量原理、检测条件、测试方法进行研究;为测试该法的精密度,组织了7个实验室、5个样品的协同实验,并对结果进行评价。研究结果表明,含水量、矿物油含量对测试结果没有影响,氦气气氛对测试有利;根据重复性、检测限、回收率及精密度等检验指标,能量色散X射线荧光光谱法检测抗燃油氯含量,精密度高,检测效率高,可以在电力行业中推广应用。     

GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN) 外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对引起上述差异的原因进行了简单的讨论.