A dual-mode analog baseband with digital-assisted DC-offset calibration for WCDMA/GSM receivers

A dual-mode analog baseband with digital-assisted DC-offset calibration(DCOC) for WCDMA/GSM receiver is presented.A digital-assisted DCOC is proposed to solve the DC-offset problem by removing the DC-offset component only.This method has no bandwidth sacrifice.After calibration the measured output residual offset voltage is within 5 mV at most gain settings and the IIP2 is more than 60 dBm.The baseband is designed to be reconfigurable at bandwidths of 200 kHz and 2.1 MHz.Total baseband gain can be programmed from 6 to 54 dB.The chip is manufactured with 0.13μm CMOS technology and consumes 10 mA from a 1.5 V supply in the GSM mode including an on-chip buffer while the core area occupies 1.2 mm~2.     

低功耗、全差分流水线操作CMOSA/D转换器

提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/ D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位2 0 MS/ s转换速率的全差分流水线操作A/ D转换器,并用CSMC0 .6 μm工艺实现.测试结果表明,积分非线性为1.95 L SB,微分非线性为1.75 L SB;在6 MHz/ s采样频率下,对1.84 MHz信号转换的无杂散动态范围为5 5 .8d B;在5 V工作电压、2 0 MHz/ s采样频率下,功耗为6 5 m W.     

植入式程控生理型（DDD）心脏起搏器中程控解码器的设计和集成

程控解码器是植入式程控生理型（ＤＤＤ）心脏起搏器的重要单元．本文详细报告它的工作原理、逻辑设计、单片集成和测试结果．集成的程控解码器具有的保险措施和电源检测能力，能执行设计的三类指令．芯片面积为３．７×４．３ｍｍ２，有等效门９００多，工作电流小于１．６μＡ．     

用于无线局域网的CMOS射频前端发送器

介绍了一种用于802.11b无线局域网的高线性度射频前端发送器的设计与实现。该发送器采用直接转换结构,从而最大程度地减小了所需的片外和片上元件。电路采用0.18μmCMOS工艺实现。发送器包括两个低通滤波器、一个单边带混频器、一个功率预放大器和一个产生正交本振信号的除2分频器。发送器能够以3 dB一级提供12 dB的增益控制,输出1 dB压缩点为7.7 dBm,正常输出功率为2 dBm。整个发送器工作时消耗电流40 mA,工作电压1.8 V,芯片面积(不包括焊盘)为1.8 mm×1.5 mm。     

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz.测试表明:在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.     

一种新颖的单片集成红外传感信号处理器

介绍一种新颖的单片集成红外传感信号处理器。这种处理器能与多种红外传感器匹配 ,对接收到的传感信号进行处理 ,产生控制信号 ,快速启动各类装置 ,实现自动控制。芯片设计中采用多种抗噪声和低功耗设计技术。本处理器用 1 .2μm双层多晶双层金属 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片总面积 2 .7mm2 ,电源电压 5 V时的静态电流为 1 .2 m A,封装后样品测试结果获得设计预期的功能和性能     

1V,19GHz CMOS分频器设计

对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题.采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW.     

过采样∑－△A／D调制器

过采样∑－△Ａ／Ｄ调制器洪志良（复旦大学电子工程系，上海，２００４３３）１引言过采样∑－△Ａ／Ｄ变换器通过过采样以时间来交换精度，从而避免实现高精度Ａ／Ｄ变换器所需要的复杂性。∑－△调制器结构是迄今为止在数字ＶＬＳＩ技术中执行高精度Ａ／Ｄ变换最吸引人...     

一种快速捕获、带宽可调的锁相环电路

设计实现了一个快速捕获,带宽可调的电荷泵型锁相环电路。采用了一种利用状态机拓展鉴频鉴相器检测范围的方法,加快了环路的锁定;通过SPI总线实现电荷泵电流配置和调整VCO延时单元的延迟时间,优化了电路性能。芯片采用中芯国际0.18μmCMOS工艺,测试结果表明,锁相环锁定在100MHz时的抖动均方值为24ps,偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-98.62dBc/Hz。     

65nM MLC NOR型闪存温度自适应编程算法

本文根据沟道热电子(CHE)的温度特性提出了提高MLC NOR型闪存编程吞吐率的方案。用Lucky 电子模型对CHE 编程电流 与温度的关系进行了分析,提出了温度自适应编程算法,即根据片上的温度来改变纵向电场和 提高编程吞吐率。实验测得,室温下编程吞吐率从原来1.1Mbyte/S提高到采用温度自适应算法后1.4Mbyte/S,编程吞吐率有了近30%的提高,相比文献[5],本文编程吞吐率有了70倍的提高。