一种采用交错耦合VCO和高速前置分频器的频率合成器

文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器（VCO）和高速双系数前置分频器的锁相环（PLL）频率合成器设计方法。采用0．25μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCD比传统顺序连接的VCO速度快1．4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2GHz。该锁相环频率合成器在400MHz-1.1GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886ppm/℃,电源反射比为3．3％／V。     

低功耗自适应跨导-电容带通滤波器电路实现

采用单层多晶硅3.3V,0.35μm CMOS数字工艺,实现了用于蓝牙系统的自适应带通滤波器,其中心频率为2MHz,带宽为1.2MHz,功耗为12mW.并对滤波器PLL自适应电路中压控振荡器(VCO)的谐振条件进行了研究,分析了VCO中运放寄生参数对谐振频率的影响.同时,用一种简单的跨导运放结构作为VCO中的负阻抗,解决了VCO振荡幅度限幅问题.     

一种用于脉冲式超宽带接收机的低抖动，低杂散多相输出锁相环

本文提出了一种用于脉冲式超宽带接收机的低抖动,低杂散多相输出锁相环。为了同时满足低抖动、低功耗和输出多相时钟这些需求,该锁相环基于一个环形振荡器结构。为了提高多相时钟的时间精度和相位噪声性能,设计了一个改善了噪声和匹配特性的压控振荡器。在设计中,通过良好的匹配电荷泵和仔细选择环路滤波器带宽来抑制参考频率杂散。测试结果表明,当载波频率为264 MHz时,1 MHz失调频率下的相位噪声为-118.42 dBc/Hz,均方根抖动为1.53 ps,参考频率杂散为-66.81 dBc。该芯片采用0.13 µm CMOS工艺制造,1.2 V电源电压下功耗为4.23 mW,占用0.14 mm2的面积。     

CMOS high linearity PA driver with an on-chip transformer for W-CDMA application

A fully integrated high linearity differential power amplifier driver with an on-chip transformer in a standard 0.13-μm CMOS process for W-CDMA application is presented.The transformer not only accomplishes output impedance matching,but also acts as a balun for converting differential signals to single-ended ones.Under a supply voltage of 3.3 V,the measured maximum power is larger than 17 dBm with a peak power efficiency of 21%.The output power at the 1-dB compression point and the power gain are 12.7 dBm and 13.2 dB,respectively. The die size is 0.91×1.12 mm~2.     

一种用于G类音频功放的带自适应输出的双模电荷泵

本文设计了一种给G类音频功率放大器提供自适应电源的双模电荷泵电路。根据输入信号的幅度,该电荷泵可以提供两档电压轨来节省功耗。它在重载下工作于电流控制模式,轻载下工作于脉冲频率调制(PFM)模式来降低功耗。在PFM工作模式下,引入功率管尺寸动态调整的技术来减小PFM模式下的输出电压纹波并防止开关频率进入音频范围。该电荷泵电路采用0.18μm,3.3V的CMOS工艺制备。试验结果表明该电荷泵在1/2x模式下可以实现79.5％的最高效率,在1x模式下可以实现83.6％的最高效率。在PFM控制模式下,电荷泵在负载电流小于120mA的范围内,其输出纹波小于15mV;在电流控制模式下,在负载电流小于300mA的范围内,其纹波小于18mV。测试结果与文中提出的功率分段的PFM控制模式的纹波、效率的解析模型得到的计算及仿真结果基本一致,验证了模型与分析方法的正确性。     

蓝牙接收机中镜像信号的抑制

介绍了一种用于蓝牙低中频接收机的镜像抑制电路,包括改进的吉尔伯特型混频器(采用折叠级联输出)和跨导-电容复数滤波器,二者利用电流信号直接耦合.整个电路用TSMC 0.35μm单层多晶硅CMOS数字工艺实现.仿真和测试结果表明:镜像抑制比大于20dB,满足蓝牙接收机的要求,整个电路使用3.3V电源供电,功耗约为27mW.     

适用于大动态范围场景的自动曝光控制算法

针对数码成像系统在大动态范围场景下存在的对主体曝光不足或曝光过度的问题,本文提出了一种新的自动曝光控制算法.该方法将图像窗口分割成M×N个矩形块,利用大动态范围场景中主体与背景之间所具有的较大的对比度,采用一个主动搜索的过程将主体鉴别出来,随后根据主体与背景之间的亮度关系对光照条件进行判断,并且在计算图像整体亮度水平时赋予主体与背景相应的权重从而更多地反映出主体的信息.实验结果表明,算法对所有的评估场景都做出了正确的光照条件判断,其在大动态范围场景下拍摄的预览帧数和曝光误差分别小于8.8帧和6.56%.     

一种单片集成的CMOS数/模接口电路的设计

介绍了一种单片集成的数模接口电路。它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成。设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路。电路采用1.2μm双层多晶双层金属N阱CMOS工艺实现,芯片面积3.5mm×2.7mm。系统采用5V双电源,正常工作时功耗约为500mW。D/A转换器的有效工作位为7位,实现了确定的-3V到+3.5V的输出幅度,满摆幅输出建立时间小于1μs。比较器通道的传输延迟小于10ns。     

A／D变换器的基本概念和现状

Ａ／Ｄ变换器的基本概念和现状洪志良（复旦大学电子工程系上海，２００４３３）１引言１９８６年，美国加州大学贝克莱分校的ＰａｕｌＲ．Ｇｒａｙ教授就模拟电路、模数与数模变换电路及数字电路之间的关系提出了鸡蛋模型￣［１］。他将模拟电路比喻为蛋壳、数字电路比喻...     

单片集成低通波数字滤波器

本文报告了采用硬件复用技术集成的波数字低通滤波器，其中所有的加、减法和乘法都在一个带超前进位链的ＡＬＵ单元上分时进行．采用全定制方式进行版图设计，并用３μｍＣＭＯＳ工艺（单层金属）进行流片，芯片面积为６．１２ｍｍ×５．２８ｍｍ，测试结果表明，该滤波器的通带纹波系数小于０．００００７ｄＢ，阻带衰减大于１１２ｄＢ．