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本文报道了掺C60磷酸盐玻璃显微结构特征的研究结果。透射电子显微镜观察表明:在玻璃介质中,C60分子晶体能以结晶固体的形式稳定存在。 相似文献
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硅灰石(CaSiO_3)是链状硅酸盐。本工作发现,用锗局部取代硅所形成的硅锗酸钙,只要取代量X≤0.2,其结构与硅灰石完全相同。但形成的多型体无序程度较高。样品由氧化钙、二氧化锗和二氧化硅在1500℃反应制得。在制备过程中,配料按照关系M_(Si)+M_(Ge)=M_(Ca)进行。式中M_(Si),M_(Ge)和M_(Ca)分别代表SiO_2,G_eO和CaO的克分子数。由此取代量为:X=M_(Ge)/M_(Ge)+M_(Si)。对制得的Ca(Si_(1-x)Ge_x)O_3晶体进行X—射线衍射和电子衍射,均证明其结构与硅灰石相同。样品用JEOL200CX高分辨电子显微镜进行了观察并获得晶格象照片。晶格象指出Ca(Si_(0.8)Ge_(0.2)O_3具有硅灰石结构。晶格象还显示单斜和三斜两种多型体交替分布的情形。其无序分布程度较高。 相似文献
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Ca-a-Sialon的反应致密化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过反应热压制备了单相Ca-a-Sialon材料,研究了Ca-a-Sialon形成的反应致密化过程. 不同温度下产物的XRD结果表明,1250℃样品开始软化,1300℃时体系中反应形成了钙铝黄长石相,1500℃时钙铝黄长石重新溶解于液相中,同时形成了Ca-a-Sialon, 1600℃时反应完全,原料中各相完全消失,形成了单相Ca-a-Sialon. 不同温度下产物的密度表明,伴随着上述反应形成过程,材料经过颗粒重排、溶解-反应-沉淀过程和晶粒生长三个阶段,通过液相烧结达到了致密化. 相似文献
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氮化铝(AIN)陶瓷是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,有着广泛的应用前景.由于AIN陶瓷的高热导性和低电导率、介电常数和介电损耗,使之在大功率微电子领域成为高密度集成电路基板和封装的理想候选材料,具有巨大的潜在应用市场.但是普通AIN陶瓷因为相对低的纯度和烧结性而不能满足高热导的期望.国际上关于AIN透明陶瓷的报道极少[1,2],而国内尚未见报道.最近我们开展了透明氨化铝陶瓷材料的烧结及其热性能和结构的表征研究.从研究氨化铝低温烧结所需的烧结助剂出发,根据在不同烧结助剂体系下,氨化铝表现出的不同烧结行… 相似文献
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研究了RBa_2Cu_3O(7-x)超导陶瓷的多晶界,研究使用高分辨电子显微镜、电子衍射和EDS能谱(这里R为稀土元素,包括Y、Eu、La等)。研究发现,除了大量存在的110孪晶晶界之外,还存在011、031032、101、301和302等孪晶界。高分辨象和相应的原子模型表明,所有变晶界都能在二维上保持Cu—O面的连续性,因而可以达到高临界电流密度,即孪晶对提高临界电流密度有利。图1示出110孪晶晶界的晶格象。图左上角给出选区电子衍射图。由电子衍射图清楚看出远离透射束的衍射束存在分裂的情形。图中箭头指出110孪晶界以及晶界两边a和b的取向。 相似文献
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电子显微镜的最新发展可以使用高分辨电子显微术在原子水平上直接观察无机材料的显微结构。这归功于使用晶格分辨率2A左右的电子显微镜,也归功于离子束减薄制备样品技术。一、高分辨电子显微术的基本原理首先我们用图1说明晶格条纹象的成像方法。平行电子束入射到位于物镜上方的薄膜试样上,根据布拉格定律,试样的晶面将入射束衍射成为若干束(在图1中是五束)。物镜将衍射束在其背焦面上会聚成衍射点。若放置一个活动光阑位于背 相似文献