Bi_(12)GeO_(20)晶体的电子辐射损伤机理

我们在以前指出,Bi_4Ge_3O_(12)晶体在电子辐射作用下其辐射损伤过程是:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→形成超结构。然而,在相同结构类型的Bi_(12)GeO_(20)晶体中,最近我们发现电子辐射损伤具有不同的过程;整个过程变为:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→结构中Bi—O准八面体崩塌导致整个结构变成非晶态。     

电子显微结构计算机辅助分析方法

电子显微结构计算机辅助分析方法是人们借助于计算机软件解释、分析电镜图象信息以获得图象所包含的结构信息。我们开发研究了适合于无机材料结构辅助分析软件包VEM,它可以在纳米水平上形成、显示各种结构模型,并用现代键价理论验证这些结构模型,最后再用多层法进行象的模拟计算。同时亦能进行物相的辅助分析以及电子衍射指标化工作。在软件结构上采用模块化,由数据库传递数据给各功能块,数据介面简洁明了。VEM的操作采用菜单式选择功能,人机对话形式输入计算参数。我们可以将沿给定方向的结构投影理解为二维图形,从而利用计算机图形技术对结构投影进行编辑。     

Si3N4/BN(f)复合材料的相界面

本文借助高分辩电子普微镜研究了Ｓｉ３Ｎ４／ＢＦ（ｆ）复合材料的相界面。研究发现，ＢＮ纤维的两端与基体结合牢固，界面不易解离，材料民裂过程中纤维很难拔出。材料的韩性主要通过ＢＮ纤维自身（００１）面上的滑移、撕裂和弯曲以及ＢＮ纤维的侧表与Ｓｉ３Ｎ４颗粒的颗上的解离等途径得以提高．     

高品质羟基磷灰石纳米粉体的制备及物理化学过程研究

以含结晶水的硝酸钙和五氧化二磷的醇溶液为前驱体精心控制反应过程用溶胶-凝胶法制备出高纯且粒度均匀的纳米级羟基磷灰石粉体.通过TEM,XRD,IR和TG-DTA等方法研究了不同温度下羟基磷灰石合成各阶段的相组成、相结构变化.结果表明,在200、300、400℃反应产量很低,产物主要由Ca（NO₃）₂、磷酸乙酯和非晶HA组成,随着温度的升高,HA的含量逐渐增多,Ca（NO₃）₂和磷酸乙酯含量逐渐减少.其中在300、400℃出现少量的β-Ca₂P₂O₇,和CaO.在500℃×2h处理下获得高品质的纳米级HA,与其它溶胶-凝胶法相比,本制备工艺简单,获得HA纯度高,粒度均匀,性能明显好于以前用类似方法所获得的产品,并适合大批量、纳米级HA的生产制备.     

溶剂热法制备铜与氧化亚铜纳米晶

利用溶剂热法，以五水硫酸铜、氢氧化钠、无水乙醇为原料，在无水条件下通过乙醇还原氧化铜制得了形状均一、分散性较好的纳米铜颗粒；在有水条件下通过乙醇还原氧化铜合成出了一维氧化亚铜纳米棒。利用X射线粉末衍射仪（XRD）及高分辨透射电镜（HRTEM）对合成产物进行了物相与形貌分析。在实验中还发现反应温度与溶剂中水的加入量是影响乙醇还原性的主要因素，并由此决定了最终产物的相组成。     

PLZT陶瓷的晶界结构

根据PLZT透明铁电陶瓷晶界的HREM象的实验结果,提出了可能存在的晶界原子结构模型。这些晶界模型不仅清晰地层现了PLZT晶界的结构特点,而且有助于工艺改进,进一步提高材料的性能。同时,对PLZT陶瓷晶界的研究结果也可供类似结构的陶瓷材料参考。     

CdSe玻璃着色机理的高分辨电镜研究

玻璃着色是玻璃研究中实际意义最大的领域之一。因此关于玻璃着色的研究异常活跃。本文就CdSe玻璃的着色机理用高分辨电子显微镜进行了研究。研究中使用晶格象法,并首次获得了硅硼基体玻璃中CdSe微晶粒的晶格象。由于高分辨电镜的晶格分辨率可达2.44A,本工作在晶格水平上观察到了对于该玻璃着色起决定作用的CdSe微粒子聚集、成核和长大过程。从而直观地从结构上阐明这类玻璃的着色过程。文章首次提出存在着非晶态CdSe着色的可能性。     

温度和pH值对羟基磷灰石粉体合成的影响

用液相沉淀法制备羟基磷灰石粉体,研究了温度和pH值对羟基磷灰石粉体合成的影响,结果表明:制备的羟基磷灰石粉体纯度较高,随着温度的增加其晶化程度增加,当pH值等于4.5,9和12.4时,制备的粉体分别为β-Ca2P2O7,HA+β-TCP和HA.TEM结果表明:羟基磷灰石沉淀颗粒形态呈针状或条状,其直径约10～20nm,长约100～200nm,当羟基磷灰石粉体加热至900℃时,颗粒发生团聚,晶粒长大,其尺寸约为200～400nm.     

TiNi形状记忆合金热疲劳前后的显微结构变化

为了改进形状记忆合金的性能和延长形状记忆合金的寿命,跟踪和研究疲劳前后形状记忆合金的显微结构变化是十分重要的。通过比较ＴｉＮｉ形状记忆合金疲劳前和疲劳后的显微结构变化,发现除了疲劳后的样品产生一些沉积物之外没有差别。本研究证明这些沉积物是１０－２０纳米的ＴｉＮｉ３相颗粒。正是由于这些ＴｉＮｉ３相颗粒的存在,严重影响ＴｉＮｉ形状记忆合金的性能,并可能进一步引起形状记忆合金的断裂。