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41.
以前的研究表明,高能电子束只对α-Si_3N_4产生辐射损伤。而对β—Si_3N_4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si_3N_4虽然不象对于α-Si_3N_4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子  相似文献   
42.
采用JEM-200CX高分辨电镜观察Y(Eu)-Ba-Cu-O体系超导体的缺陷。Y_1Ba_2Cu_2O_(7-(?))正交结构中O_1-Cu_1-O_1铜氧面对超导导电通路起重要作用。我们的研究表明:任何孪晶界可使铜氧面保持连续,而杂质相、包裹物以及裂纹等均使钢氧面中断不利于超导通路。在观察中我们发现:一些小角晶和一种弯曲晶界,并从铜氧面在晶界处是否保持连续的角度来估计对超导体J_c的影响;正交超导相易在(001)晶面产生裂纹;有Ag_2O的小颗粒作为第2相粒子存在于超导相晶粒中;同时还观察到一些杂质相和包裹物,这些都是不利于超导通路的。  相似文献   
43.
Ca-α-Sialon的反应致密化   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文通过反应热压制备了单相Ca-α-Sialon材料,研究了Ca-α-Sialon形成的反应致密化过程.不同温度下产物的XRD结果表明,1250℃样品开始软化,1300℃时体系中反应形成了钙铝黄长石相,1500℃时钙铝黄长石重新溶解于液相中,同时形成了Ca-α-Sialon,1600℃时反应完全,原料中各相完全消失,形成了单相Ca-α-Sialon.不同温度下产物的密度表明,伴随着上述反应形成过程,材料经过颗粒重排、溶解-反应-沉淀过程和晶粒生长三个阶段,通过液相烧结达到了致密化.  相似文献   
44.
为了改进形状记忆合金的性能和延长形状记忆合金的寿命,跟踪和研究疲劳前后形状记忆合金的显微结构变化是十分重要的。通过比较TiNi 形状记忆合金疲劳前和疲劳后的显微结构变化,发现除了疲劳后的样品产生一些沉积物之外没有差别。本研究证明这些沉积物是1020 纳米的TiNi3 相颗粒。正是由于这些TiNi3 相颗粒的存在,严重影响TiNi 形状记忆合金的性能,并可能进一步引起形状记忆合金的断裂。  相似文献   
45.
本文运用扫描电子显微学方法,研究了贝壳和闭壳肌结合界面的几何特征和联接方式,并据此提出了移植生物陶瓷仿生设计的一些原则.  相似文献   
46.
金属或半导体纳米粒子在许多领域具有广阔而重要的应用前景,为降低纳米粒子间的团聚,以充分利用纳米颗粒的优异特性,而把金属或半导体纳米粒子掺杂在诸如玻璃或聚合体等基体中制备微纳复合颗粒的研究是近年来研究的热点。本研究以SiO2为基质,纳米金、钌功能粒子为镶嵌粒子,制备  相似文献   
47.
纳米结构工程的改建和修饰,是在基本结构框架的基础上,通过部分结构的变化和调整,使纳米材料获得更多的物理性能,有时甚至获得更好和更新的性能。本工作将涉及:(1)纳米生物工程中的基本结构框架为钙三角通道,其尺寸为0.7nm;(2)介孔微纳复合材料的基本结构单元,其尺寸为0.5~0.6  相似文献   
48.
在制备出高性能的Au(Ru)-SiO2纳米-微米复合粒子的基础上,使用高分辨透射电镜、电子探针和X-射线衍射等现代手段,研究了该复合粒子的精细结构。研究结果表明:所制备的纳米-微米复合粒子在结构上呈现类似天体星云式的多层次结构,可区分为三级,其中一级结构是在微米尺度上,该层次上的SiO2微粒是整个复合粒子的承载骨架,其粒度均匀,分散性好,这在一定程度上大大降低了其所包含的功能金、钌纳米粒子的团聚问题;二级结构是在纳米尺度上,观察发现,金、钌纳米粒子相对均匀地镶嵌在第一结构层次的SiO2微粒中,它们是整个材料的性能载体,对材料性能起决定作用,研究指出进一步适度降低第一层次的SiO2微粒的粒径有望进一步降低甚至消除其中金、钌纳米粒子间的团聚;三级结构为金、钌纳米晶粒的高分辨晶格像,表明纳米晶表面原子点阵存在畸变。研究还指出,在该纳米-微米复合粒子中,金属金、钌的纳米粒子是以机械混合形式存在,不形成合金,也不形成固溶体。  相似文献   
49.
碳纳米管研究的最新进展   总被引:4,自引:1,他引:3  
综述了碳纳米管的结构、制备、生长机理及应用的最新研究进展,着重介绍了以碳纳米管为模板,对其进行填充、掺杂或包覆制备其他新型一维纳米材料这一国际前沿课题的研究进展,指出碳纳米管研究的机遇与挑战.  相似文献   
50.
负载于碳纳米管上的新型金纳米催化剂   总被引:3,自引:0,他引:3  
与传统催化剂载体材料相比,碳纳米管因其具有新颖的微观结构和独特的综合性能,更适合作为催化剂的载体材料。本研究采用一种简单的化学镀工艺,制备了负载于碳纳米管上的新型金纳米催化剂,并用高分辨透射电镜(PhilipsTecnai-20,200kV)对所获得的材料进行了表征。  相似文献   
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