传感器信号处理中的两种神经算法的比较

对流行的神经网络算法和无学习率的神经网络算法做了比较.流行的人工神经网络算法在误差反演过程中需要加入学习率,依次减少误差,逐渐逼近正确的拟合多项式,计算精度很高.无学习率的神经网络算法在进行权值调整时不需要加入学习率,减少了计算量,增加运算速度,计算精度也很高.它们可以应用于传感器信号处理中,流行的神经网络算法适用于压力传感器的温度补偿,无学习率的神经网络算法可用于对范德堡函数多项式拟和.     

ZnO薄膜制备及其有机蒸汽敏感特性分析

采用直流磁控溅射法进行ZnO薄膜的制备,探讨了O2/Ar对薄膜方块电阻,退火对薄膜结构的影响.在对不同退火温度的ZnO薄膜的气敏特性进行测试后表明:较低的退火温度有利于提高器件气敏特性,其中经600℃退火的ZnO薄膜的灵敏度最高,其最佳工作温度为350℃.实验制备的ZnO薄膜对丙酮、汽油等有机蒸汽都有较高的敏感性和较短的响应-恢复时间,呈现对有机蒸汽敏感的广谱性.     

一种新型智能气敏传感器及其无线数据传输系统的实现

本文介绍了一种具有无线传输功能的智能气敏传感器系统.该系统将具有ARM7(Advanced RISC Machines 7)内核的LPC2131应用到测量气敏元件阻值及其所处气体浓度的测试电路的测量仪器中,实现了气敏传感器的智能化.另外将无线收发芯片nRF403应用于该系统,实现测量系统所测数据的无线传输,用户可在接收端对系统进行控制.该系统避免了复杂的现场连线,应用灵活,提高了工作效率,降低了工作成本.     

基于流量传感器的风速风向测量与无线数据传输

本文讨论了研制一套风速风向无线数据采集系统的基本原理和电路设计．在分析了风对人类的重要的作用、流量传感器及无线数据传输模块工作原理的基础上,设计了以AT89S52单片机为主控单元的风速风向无线数据采集系统硬件电路和软件,采集了实际风速、风向的数据．     

基于巨磁阻传感效应的计算机硬盘驱动器

本文介绍巨磁效应（GMR）及其相关传感效应,将重点放在这种传感效应在计算机硬盘驱动（HDD）方面的最新应用与开发。     

厚冲积层锚索预应力损失研究

厚冲积黏土层中开挖深基坑多采用桩锚支护结构,由于锚索变形、土体蠕变、锚固体徐变等造成预应力损失,导致基坑锚索轴力无法维持在设计值水平,折减了基坑安全性。针对此种情况,施工现场大都采用超张拉和二次补偿张拉工法,但超张拉值和二次补偿值却很难确定。根据济南西部厚冲积黏土层中深基坑锚索施工情况,将锚固体系的变形分为锁定前变形及锁定后随时间的变形。根据锁定后锚索自由段的变形得出了适用于两种工法的预应力损失值计算方法,为现场施工提供了理论依据。然后通过现场监测结果和Plaxis数值模拟验证了该计算方法的有效性,最后讨论了该方法的适用范围。     

CeO2掺杂ZnO厚膜的制备及气敏性能的研究

采用sol-gel法制备ZnO及CeO2掺杂量分别为6%、7%和8%(质量分数)的ZnO粉体。通过XRD、SEM对材料的表面形貌和结构进行表征。研究了掺杂量对粉体制备的影响。采用静态配气法对该粉体制成的气敏元件进行测试,结果表明,在工作温度仅为85℃的条件下,7%(质量分数)CeO2-ZnO气敏传感器对饱和丙酮蒸汽的灵敏度最高达9634,响应时间为3s,恢复时间为2s;在较低浓度2.0×10-4时灵敏度也可达30左右。并对丙酮气敏传感器的气敏机理进行了进一步探讨。     

高温压力传感器用多晶硅-AlN-硅单晶基片

论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制.此基片可供制造高温力学量传感器.其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离.AlN与硅的热膨胀系数接近,附着力高,耐击穿性好.又具有高化学稳定性,高热导率,对于压力传感器的电桥散热特别有利,可解决压力传感器启动时的零点时漂.由于无P-N结,力敏电阻无反向漏电,因此用此基片制造的力学量传感器的特性好（零点电漂移及热漂移小、非线性小）.力敏电阻条由纳米多晶硅构成.利用在600℃退火Al诱导晶化能使溅射得到的非晶硅转化成纳米多晶硅.     

混合气体检测中纳米多孔膜晶振传感器的应用

就混合气体中某些成份含量的定性与定量检测问题,设计了纳米多孔膜晶振传感器与神经网络相结合的智能气体检测分析系统。该系统以纳米材料多孔膜附于石英晶振之上作为感应元件,传感器对不同气体产生不同的振荡频率,表现出较好的选择性,同时亦存在交叉敏感性问题。为此采用了具有GA—BP处理算法的神经网络,通过训练建立起最佳结构,解决混合气体检测中的交叉敏感难题,进而获得比较精确的辨识输出结果。实验结果表明,这是一种可行的混合气体测试分析方法。     

直流磁控反应溅射法制备TiO2薄膜及氧敏特性分析

在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420 V,溅射电流0.3 A,氧分压0.17 Pa,溅射总气压1.5 Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1 000℃退火后完全转变为金红石结构.在一定工作温度下,随氧分压增加灵敏度逐渐升高;工作温度越高,灵敏度增加越缓慢;200℃下灵敏度随氧分压增加最快.在不同氧分压下分别计算得到激活能;认为Ti3 (int),Ti4 (int)和V2 O均存在且都对导电机制的形成起到作用,而Ti3 (int)作用最为显著.