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51.
本文介绍了一种具有无线传输功能的智能气敏传感器系统.该系统将具有ARM7(Advanced RISC Machines 7)内核的LPC2131应用到测量气敏元件阻值及其所处气体浓度的测试电路的测量仪器中,实现了气敏传感器的智能化.另外将无线收发芯片nRF403应用于该系统,实现测量系统所测数据的无线传输,用户可在接收端对系统进行控制.该系统避免了复杂的现场连线,应用灵活,提高了工作效率,降低了工作成本.  相似文献   
52.
采用直流磁控溅射法进行ZnO薄膜的制备,探讨了O2/Ar对薄膜方块电阻,退火对薄膜结构的影响.在对不同退火温度的ZnO薄膜的气敏特性进行测试后表明:较低的退火温度有利于提高器件气敏特性,其中经600℃退火的ZnO薄膜的灵敏度最高,其最佳工作温度为350℃.实验制备的ZnO薄膜对丙酮、汽油等有机蒸汽都有较高的敏感性和较短的响应-恢复时间,呈现对有机蒸汽敏感的广谱性.  相似文献   
53.
非线性函数规范化多项式拟合精度分析   总被引:5,自引:2,他引:5  
多项式可用于非线性信号的拟合,关键在于求解其各项系数。对于任何非线性函数,文献[1]提出一个规范化的拟合方法,本文主要讨论了小数点位数和阶数的选取对规范化多项式拟合精度的影响  相似文献   
54.
对流行的神经网络算法和无学习率的神经网络算法做了比较.流行的人工神经网络算法在误差反演过程中需要加入学习率,依次减少误差,逐渐逼近正确的拟合多项式,计算精度很高.无学习率的神经网络算法在进行权值调整时不需要加入学习率,减少了计算量,增加运算速度,计算精度也很高.它们可以应用于传感器信号处理中,流行的神经网络算法适用于压力传感器的温度补偿,无学习率的神经网络算法可用于对范德堡函数多项式拟和.  相似文献   
55.
在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420 V,溅射电流0.3 A,氧分压0.17 Pa,溅射总气压1.5 Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1 000℃退火后完全转变为金红石结构.在一定工作温度下,随氧分压增加灵敏度逐渐升高;工作温度越高,灵敏度增加越缓慢;200℃下灵敏度随氧分压增加最快.在不同氧分压下分别计算得到激活能;认为Ti3 (int),Ti4 (int)和V2 O均存在且都对导电机制的形成起到作用,而Ti3 (int)作用最为显著.  相似文献   
56.
Android机顶盒的出现对人机交互提出了新的要求,为了解决传统按键式遥控器存在诸多局限性问题,通过触摸屏与红外线技术的结合提出了一种新的交互工具——触摸屏红外遥控器,以满足这种新的需求。首先阐述了触摸屏红外遥控器的系统结构和功能设计,然后对该遥控器的软件、硬件设计分别进行了阐述,最后对如何利用输入子系统来简化Android机顶盒接收端的驱动程序进行了阐述。经过多次反复测试,该触摸屏红外遥控器操作方便、运行稳定、能够发挥Android新的功能特性。  相似文献   
57.
NO2是一种强毒性气体,本文利用了溶胶一凝胶法在硅片及陶瓷管上制备TiO2纳米薄膜,并探讨了在制备过程中不同的因素对薄膜成膜质量的影响。并用马弗炉对硅片及陶瓷管上制备的TiO2纳米薄膜进行不同温度的退火处理。对其分别进行XRD的分析,和原子力显微镜分析。利用气敏测试系统对不同的退火温度下的气敏元件进行测试。研制出工作温度低,气敏特性强,响应恢复特性好的基于TiO2的NO2气敏传感器。  相似文献   
58.
TiO2系湿敏元件研究和进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
TiO2化学性质稳定,感湿性能优良,来源广泛,价格低廉,因而TiO2系湿敏元件得到了广泛的研究和应用,是一类十分有前途的湿敏材料.本文综述了TiO2系湿敏元件的研究和进展,详细介绍了几种TiO2系湿敏元件的材料配方,制备工艺,元件型式及湿敏性能.  相似文献   
59.
就混合气体中某些成份含量的定性与定量检测问题,设计了纳米多孔膜晶振传感器与神经网络相结合的智能气体检测分析系统。该系统以纳米材料多孔膜附于石英晶振之上作为感应元件,传感器对不同气体产生不同的振荡频率,表现出较好的选择性,同时亦存在交叉敏感性问题。为此采用了具有GA—BP处理算法的神经网络,通过训练建立起最佳结构,解决混合气体检测中的交叉敏感难题,进而获得比较精确的辨识输出结果。实验结果表明,这是一种可行的混合气体测试分析方法。  相似文献   
60.
TiO2薄膜制备及其氧敏特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.  相似文献   
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