Ni1.95Mn1.36Ga0.69磁控形状记忆合金的相变与结构有序化

利用差示扫描量热计(DSC)研究了非化学计量Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金的马氏体相变及结构有序化处理条件.根据DSC峰型特征的变化,可确定在800℃进行结构有序化处理是合适的.在800℃又进行了不同保温时间的处理,并测定了马氏体相变的特征温度.马氏体相变特征温度随保温时间的增加呈规律变化,相变热滞随保温时间的增加呈下降趋势.经50h的有序化处理后,再继续延长保温时间,马氏体相变特征温度和热滞均不再有明显变化.本文研究结果表明,对于Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金,应选用800℃×50h的结构有序化处理工艺.     

杂质对锗酸铋晶体光学质量的影响

杂质引起的各种缺陷,对锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12)简称BGO 晶体的光学质量产生严重影响。本工作利用透过光谱比较、光学显微术、扫描电子显微镜、电子探针分析等手段研究了这些缺陷的形貌和形成机理,也讨论了改善晶体光学质量的方法。     

对流效应和溶质浓度对KNbO_3晶体界面形貌稳定性的影响

研究了在不同对流形态对ＫＮｂＯ３晶体生长形貌的影响．在温度梯度较小的扩散－平 流区域,晶体以枝蔓晶的形态生长;而在温度梯度较大的扩散－对流区域,生长出的晶体呈现 光滑晶面．通过测定不同区域ＫＮｂＯ３晶体界面附近的溶质浓度分布,从对流效应降低晶体界 面附近的溶质浓度分布的不均匀性的角度研究了对流效应对晶体界面形貌稳定性的影响,证明 对流效应提高了晶体界面形貌稳定性,与晶体界面弥散度的理论计算结果相一致．同时解释了 扩散－对流区域的晶体尺寸大于扩散－平流区域的晶体尺寸的原因．观察并定性地解释了不同 溶质浓度ＫＮｂＯ３形成不同的界面非稳定形貌,当 ＫＮｂＯ３重量百分比为２０ｗｔ％时形成骸晶, ３０ｗｔ％时形成枝蔓晶．     

Bi_(12)SiO_20熔体表面张力对流研究

利用高温熔体实时观察装置观察和研究了Ｂｉ１２ＳｉＯ２０熔体中表面张力对流从稳态向振荡态的转变过程;稳态过程中的对流图样变化;可能与对流转变有关的两个对流区域的交叉;振荡态对流的分叉现象．     

应用轮廓吻合法测量Li_2B_4O_7·KNbO_3溶液的表面张力系数

讨论了一种表面张力测量方法一轮廓曲线吻合法．它是一种应用计算机技术,用数 字图像信息处理液滴轮廓的方法．应用数字图像测量和信息处理技术,将置于氮化硼水平平板 上的Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７＋ＫＮｂＯ３液滴的轮廓图像记录在录像带上,然后转换成数字图像数据,并与理论 方程的数值解吻合,求得表面张力系数．用这种方法侧得的Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７＋ＫＮｂＯ３溶液的表面张力 温度系数和表面张力溶质系数分别为 γΤ（ｍＮ／ｍ）＝２１０＋０．１５（Ｔ－９００℃）, ９００℃≤ Ｔ≤１０００℃; γｃ（ｍＮ／ｍ）＝２２９０．４５（ＣＫＮ－１０ｗｔ％）, １０ｗｔ％≤ ＣＫＮ ≤３０ｗｔ％     

溶质表面张力对流模型及其对空间实验的解析

空间高温实时观察装置（SHITISOI）被用于观察和记录在Li₂B₄O₇溶体中KNbO₃胞状结晶的整个生长过程,并对胞状结晶生长过程中浮力对流和表面张力对流的影响进行了研究．首次观察到空间条件下,Li₂B₄O₇溶体中稳态表面张力对流图像,它呈镜面对称的抛物线状．由于表面张力对流的作用,KNbO₃胞晶生长且充满了整个的溶体．而在地面上,由于浮力抑制表面张力,降低了胞晶在流体中的生长速度,使溶质KNbO₃胞晶在Li₂B₄O₇溶体中分布不均匀,本文还提出了胞状结晶生长理论的模型．这个模型的主要特点是表面张力对流起始于KNbO₃胞晶的界面上;这是由于KNbO₃溶质扩散速率减少而引起的KNbO₃溶质表面张力梯度．本模型的预言和实验所观察的现象吻合得比较好,这说明该理论模型是合理、可靠的．     

磁场在晶体生长中的应用研究进展

综述了磁场影响晶体生长的两种机制,磁场的产生和构型,在半导体材料硅、砷化镓、磷化铟晶体生长中的应用,在蛋白质及氧化物晶体生长方面的新进展．     

空间与地面高温氧化物熔体中的温度分布

使用直径为2.5mm的铂坩埚，在地面和空间进行了四硼酸锂（LBO）晶体材料的融解结晶实验，测量了高温熔体内的温度分布，在简化条件下根据热传输方程和扩散方程求得的计算值与实验值基本一致，在地面熔体内温度分布的变化较大，在空间环境中熔体内温度分布趋于平稳，在两种状态下熔体内同一位置的温度偏差不超过8℃。     

高温KNbO3熔液内速度场和温度场的实验研究及其数字模拟分析

在重力对流作用的情况下,本文对实验所用的铂金坩埚中的高温熔液内的速度分布和温度分布进行了数字模拟研究,结果表明:借助实验边界条件和Boussinesq近似,铌酸钾高温熔液中的速度分布及温度分布的数字模拟结果与实验结果基本吻合,流体运动的轨迹与实验示踪粒子轨迹也基本一致.