氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜光谱响应改性研究

采用氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜催化剂进行改性处理来改善其光谱响应范围.AFM观察表明未经烧结的TiO2薄膜表面形貌发生较大变化,经过500℃1h热处理过的样品表面形貌变化不大,但处理后样品表面颜色变为淡灰色,并随着气压和功率增大而变深;紫外-可见光谱分析表明,纳米TiO2薄膜催化剂的光谱响应曲线发生了12～25 nm红移;XPS定量分析证实,改性处理后部分TiO2被还原为低价钛氧化物,同时在TiO2薄膜的表面产生了氧空位,从而使样品的吸收边红移,可见光吸收增加.通过不同气压、功率、时间研究显示,在气压/微波功率/时间为16Torr/400W/5min条件下改性效果较理想.     

C++Builder与Matlab、Mideva接口编程及其实现光谱仪改造

探讨了 C++Builder与 Matlab、Mideva接口编程的实现方法 ,并给出了利用接口编程对 WDP50 0D型自动扫描单色仪组成的光谱仪进行改造的例子。实践证明这种方法是行之有效的 ,并且对数据分析计算绘图应用软件开发有重要意义。     

基于欧珀模板磁控溅射生长氧化锌薄膜及其光学特性

采用常温射频磁控溅射方法在聚苯乙烯欧珀模板上生长氧化锌薄膜, 通过煅烧去除模板得到了类似纳米碗结构的氧化锌. 用SEM分析了模板和氧化锌的形貌. 实验结果表明: 模板为FCC结构的聚苯乙烯密堆小球, 氧化锌呈六角排列的纳米碗结构. XRD分析结果表明, 实验中制备的ZnO为沿(001)方向择优生长的六方晶型结构薄膜. 样品FTIR、UV-Vis和PL谱等的分析表明, 欧珀模板-氧化锌复合结构光致发光强度比除去模板后的氧化锌薄膜高4～5倍. 这可能是由于样品的微结构造成的, 其机理值得进一步研究.     

纳米TiO2生态陶瓷的研究进展

纳米Ti02生态陶瓷是最近才发展起来的一种新型功能材料，由于其优越性能和丰富的原料来源，已受到广泛关注，许多研究者对其做了深入的研究。本文对其反应机理、制备方法、改性、解毒等进行了综述，并对今后的研究提出了一些建议。     

樟脑磺酸掺杂聚苯胺的性能研究

采用樟脑磺酸掺杂PANI，并用红外，柴外可见肖谱等表征。结果表明，樟脑磺酸掺杂PANI的电导率可达263S／cm，在NMR，DMF溶剂中溶解性较好，紫外可见光变表明PA－NI－CSA0．5的紫外可见光谱与PANI相比发生了红移，且在DMF中掺杂稳定性比在NMP中要好。     

纳米TiO2生态陶瓷研究的进展

纳米TiO2生态陶瓷是近几年才发展起来的一种新型功能材料，由于其性能优越和广泛的原料来源，已受到广泛关注，许多研究工作者对其做了深入的探索与开发。笔者就其反应机理、制备方法、改性、解毒等进行了综述，并对今后的研究工作提出了一些建议。     

ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构。结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成，还含有Si-H和Si-O-Si键结构。随着沉积温度的提高，Si3N4薄膜中的Si-H键减少，氢含量降低。可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量。在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰。     

非金属元素掺杂TiO2可见光催化原理的探讨

本文从几篇文献的误解入手,介绍了掺氮二氧化钛(TiO2)具有可见光活性的几种不同观点,在分析后,得出掺氮TiO2具有可见光活性是由于两方面的因素造成的:一是氮的掺杂使TiO2的价带产生变化,这种变化使价带附近的空穴活动性降低、带隙变小;二是掺氮TiO2存在氧空位,并且氧空位在导带边缘,使能带变窄.同时还介绍了掺硫TiO2、掺碳TiO2吸收可见光的原理.     

ZnO和ZAO薄膜磁控溅射等离子体发射光谱

采用在线测试等离子体发射光谱的方法,研究了ZnO薄膜和ZAO薄膜磁控溅射生长等离子体的状态,分析了ZAO薄膜生长过程中的工作压强、溅射功率和衬底温度这几个重要参数对等离子体状态影响的规律。结果表明:主要是等离子体中粒子的密度随实验参数发生规律性变化,其变化规律与实验参数对薄膜生长质量影响的规律基本一致,可以定性地解释影响薄膜结晶质量的直接原因。最佳参数为:压强0.2Pa,功率80W和温度450℃。     

基于ADN8831实现红外单光子探测器的精密温度控制

分析了在红外通信波段对量子密钥分配的达到最好的探测效率和最小的暗计数,存在一个最佳工作温度;而且探测器噪声对温度相当敏感.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法.给出了ADN8831芯片的特点和应用电路.实验表明该电路控制精度可达±0.01℃.利用此精密温控电路来改变InGaAs/InP雪崩光电二极管的工作温度,得到几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线.