等离子体离子能量自动分析器的研制和应用

为了快速获得等离子体离子能量的分布规律 ,研制了一套等离子体离子能量自动分析器 .离子能量自动分析器由多极型探头和计算机控制的测量系统组成 .利用离子能量自动分析器在线测量了ECR等离子体中离子能量分布范围为 12～ 4 2eV ,不存在对被加工的半导体器件表面产生损伤的高能离子 ,从而ECR等离子体技术适合于在半导体器件加工中应用     

高温超导滤波器在现代移动通信中的应用

本文简单介绍我国主要的峰窝移动通信网络以及目前移动蜂窝通信系统中的一些问题，介绍了国外高温超导（HTS）滤波器子系统的发展及在移动通信中的应用。高温超导滤波器子系统具有陡峭的、接近于思想的频率响应特性，能很好地抑制带外信号的干扰；非常高的灵敏度，能扩展覆盖区域；非常好的选择性，能充分利用频率资源，扩充系统容量，改善服务质量；性能好、体积小等优点。     

空位氧化锌第一性原理平面波赝势方法研究

利用密度泛函理论平面波赝势法,结合广义梯度近似构建了纯净ZnO和空位ZnO的超晶胞模型,利用第一性原理进行计算.结果表明,纯净ZnO中O原子或者Zn原子的减少都会使ZnO的禁带宽度增大,O空位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷.O原子的减少将使Zn 3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降.     

CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究

用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。     

纳米TiO2薄膜的制备及其表面形貌AFM观测

采用溶胶-凝胶法在玻璃载波片及ITO导电玻璃片上制备出负载型纳米TiO2薄膜,并用原子力显微镜(AFM)对不同条件下制备的TiO2的表面形貌进行了表征.结果表明,TiO2薄膜能较好地负载在玻片表面,并且TiO2薄膜的表面形貌与前驱物的配比浓度、基片、热处理温度等都有密切的关系.随浓度和镀膜层数的增大,薄膜中TiO2纳米微晶的颗粒尺寸逐渐增大,从细小均匀粒子膜变为较大不规则的板块结构.在ITO薄膜面形成的TiO2薄膜具有较小的颗粒和均匀的分布.     

ZAO膜磁控溅射变参数制备技术

采用射频磁控溅射技术生长ZnO:Al(ZAO)薄膜,用X射线衍射仪检测薄膜的结晶质量。为了提高薄膜的生长效率,进行了在生长过程中调整生长参数的试验。结果发现,生长过程中适当地改变参数,不仅可以提高薄膜的生长效率,还可以获得结晶质量更好的薄膜。在工作压强0.35Pa、溅射功率120W条件下粗生长后,改变工作压强为0.2Pa、溅射功率80W进行细生长,制得的薄膜平均可见光透射率为88%,电阻率为7.8×10–4Ω·cm。     

III-V族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移——MREI模型的基础上建立了一个新模型，计算了AB1-xCx型III-V族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数，同时，运用离子晶体结合的重叠排斥能，估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化，而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAxx，和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据，两者符合较好。     

Computer-Controlled System for Plasma Ion Energy Auto-Analyzer

A computer-controlled system for plasma ion energy auto-analyzer was technically studied for rapid and online measurement of plasma ion energy distribution. The system intelligently controls all the equipments via a RS-232 port, a printer port and a home-built circuit. The software designed by LabVIEW G language automatically fulfils all of the tasks such as system initializing, adjustment of scanning-voltage, measurement of weak-current, data processing, graphic export, etc. By using the system, a few minutes are taken to acquire the whole ion energy distribution, which rapidly provides important parameters of plasma process techniques based on semiconductor devices and microelectronics.