钢筋高应变低周疲劳寿命的统计分析

对轧后淬火、自回火（QST）HRB400钢筋的低周疲劳寿命进行了试验测定。针对高应变低周疲劳的分散性,采用威布尔双参数概率函数、正态分布与对数正态分布函数及t分布函数等多种数理统计方法,对所测得的低周疲劳寿命进行了统计处理与分析。结果表明,在所采用的概率函数中,t分布函数应用于疲劳寿命的分析具有最高的可靠性,正态分布应用于疲劳寿命的分析最不具可靠性,威布尔最大似然法应用于疲劳寿命的分析最为安全。统计分析结果可为钢筋高应变低周疲劳寿命的数据分析提供可靠的理论依据。     

(Ba_(0.9)Sr_(0.1))(Ti_(0.999)Nb_(0.001))O_3陶瓷晶粒生长的动力学因子

研究了半导化 (Ba0 .9Sr0 .1 ) (Ti0 .999Nb0 .0 0 1 )O3 陶瓷晶粒生长的动力学因子 ,采用固相反应法工艺制备该陶瓷样品 ,化学原材料为纯度高于 99%的BaCO3,SrCO3,TiO2 和Nb2 O5 等 ,并用到微量原料Al2 O3 和MnSiO3 以改善陶瓷的电学性能 .同样化学配方的 8种样品在130 0℃中保温时间分别为 1,3,6 ,10 ,30 ,6 0 ,10 0和 30 0min ,以获得晶粒生长不同程度的块状陶瓷 .利用扫描电子显微技术分析发现 ,随着保温时间的延长样品的平均晶粒尺寸变大 .经自动图像处理技术发现 ,晶粒生长的动力学因子不是常数 :在烧结初期大致为 1.5 ,而在烧结后期为 3.5 .这与大多数报道的实验和模拟结果一致 .     

流延法制备片式CaCu3Ti4O12陶瓷及其性能研究（英文）

片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应,用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义。通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能。其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时,降低了介电损耗,其值只有0.028,远低于其他报道的损耗值。同时,测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱,讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能。实验结果表明,通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗,这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性。     

溶胶-凝胶法制备BST粉体

采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3粉体,分析了形成钛酸锶钡凝胶的影响因素,利用DTA,XRD和SEM手段分析了溶胶凝胶过程的反应情况、物相组成以及颗粒形貌.以溶胶-凝胶方法制备的粉体为原料制备了BST陶瓷材料,对陶瓷的介电性能做了研究.     

添加CeO2对BZN和BMZN微波陶瓷介电性能的影响

添加CeO2对BZN和BMZN微波陶瓷介电性能的影响表明，引入CeO2对BZN和BMZN陶瓷密度和微观形貌没有明显的影响，也不易造成第二相的形成；添加适量的CeO2能调节BZN和BMZN陶瓷的谐振频率温度系数在-10^-5／℃～＋10^-5／℃之间；CeO2对BZN陶瓷Qf值的影响不大，但会使BMZN陶瓷的Qf值明显降低；考虑电容率、Qf值和谐振频率温度系数三方面因素，获得较好性能的BZN和BMZN陶瓷性能如下：BZN＋0．75％CeO2，εr=39．45，Qf=51201GHz，τf=8．20×10^-6／℃：BMZN＋0．50％CeO2，εr=40．48，Qf=51381GHz，τf=12．7×10^-6／℃。     

电泳沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜及介电性能研究

采用溶胶凝胶法制备了钛酸锶钡超细粉体,在纯乙醇中配制成悬浮液,利用电泳沉积技术在印刷铂的氧化铝基板上沉积得到了BST厚膜.通过控制悬浮液中粉体的浓度和超声振荡实现了悬浮液的稳定.电泳沉积过程中通过改变电压和沉积时间研究了厚膜质量和厚膜的厚度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了沉积物的微观结构形貌,对沉积质量进行了对比研究.实验结果表明,当外加电场强度为20V/cm,沉积时间为30 s时得到的厚膜表面质量较好,厚度适合.实验发现1200℃烧结温度得到的厚膜致密度较好.X射线衍射分析(XRD)图谱表明烧结后得到的BST厚膜具有典型的钙钛矿结构.对厚膜的介电性能测试发现,BST厚膜有一定的介电性能,展示了BST材料的非线性特性.     

微波陶瓷介电性能自动测试系统

介绍了平行板介质谐振器法测试微波介质陶瓷的基本原理,建立一套基于该方法的自动测试系统并对测试结果进行分析.使用表明该自动测试系统稳定、重复性好、测试效率高.测试系统的建立为微波介质陶瓷的研究提供了有效测试手段.     

预烧温度对BZN微波陶瓷介电性能的影响

以工业纯BaCO3、ZnO、Nb2O5为原料,按照一定配比配料混合,通过传统的固相反应法合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(即BZN)陶瓷材料,预烧温度(分别为1000、1100和1200℃)对BZN陶瓷微波性能的影响过程中,对合成的BZN粉体进行差热/热重分析,对烧结后的BZN陶瓷进行XRD分析和SEM形貌观察,利用矢量网络分析仪测量BZN陶瓷的微波性能Q、εr和rf.实验结果表明,预烧温度对BZN微波陶瓷的介电性能影响比较大,预烧温度为1200℃时可以获得较好的介电性能εr=41.6,Q*f=38671GHz,τf=2.8×105/℃.     

低损耗中高压陶瓷电容器国产化研究(Ⅲ)——“双峰效应”的实验验证

根据计算机模拟的预期结果,通过适当控制配方和工艺参数,获得了具有明显“双峰效应”介电特性的陶瓷材料,并制备成功符合彩电要求的低损耗中高压陶瓷电容器。有关的介电性能检测、微观结构分析、显微形貌及其微区元素分析的结果表明,在此陶瓷体内可能存在“两相结构”与“壳芯结构”共存的化学不均匀分布状态。     

印度谷螟18S rDNA的克隆及定量PCR方法的建立

为挖掘储粮害虫印度谷螟的基因信息,开发用于生物系统进化研究的工具,建立基因表达水平的研究方法,本文利用分子生物学方法从印度谷螟幼虫体内克隆获得了18S rDNA 的基因全长序列（1888 bp,GenBank登录号为KJ836335）。利用邻位连接法（neighbor-joining）分别构建了基于18S rDNA 基因全长、保守序列II以及多变区的系统发育树,比较了与其他已知昆虫18S rDNA基因的同源性和遗传距离。与其它序列的系统发育树相比,其全长序列的系统发育树更能反映鳞翅目昆虫的亲缘关系,印度谷螟与大蜡螟的亲缘关系最近。此外,建立了以18S rDNA为内参基因的实时荧光定量PCR方法。