低损耗中高压陶瓷电容器国产化研究(Ⅰ)——介质材料的配方研究

在理论分析的基础上,利用正交试验,对烧成温度及介质材料组成进行优选。结果表明:最高烧成温度T_s=1220℃和介质材料组成为:0.7(Sr_(0.20)Pb_(0.55)Ca_(0.25))TiO_3·0.3(Bi_2O_3·3TiO_2)是最佳选择。优化成功的配方已经用于制备温度系数为2C和2R的低损耗中高压陶瓷电容器。     

低损耗中高压陶瓷电容器国产化研究(Ⅳ)——工业化生产的应用研究

通过采用高速离心喷雾干燥造粒、无边镀Ni-Sn电极、阻燃性环氧树脂包封和可靠性工艺控制方法等一系列工业化生产的应用研究成果,实现了把实验室研究成果尽快推广应用到工业化批量生产的目的,完成了低损耗中高压陶瓷电容器国产化的全部研究工作。     

低损耗中高压陶瓷电容器国产化研究(Ⅱ)——结构模型和计算模拟

提出在化学组成不同的两种煅烧料共混制得的陶瓷材料中可能存在“两相结构”与“壳芯结构”共存的化学不均匀分布状态。电子计算机模拟的结果表明,合理控制工艺条件可以使陶瓷材料的介电温谱呈现“双峰效应”,满足彩电国产化对中高压陶瓷电容器的多方面性能要求。     

有机生色团掺杂有机／无机复合基质非线性光学材料的制备与性能

以4-[乙基-（2-羟乙基）胺]-4’-硝基偶氮苯（DRl）为生色团，甲基丙烯酸甲酯（MMA）和正硅酸乙酯frEOS）为先体，通过原位溶胶-凝胶技术制备了新型的以PMMA／SiO2复合材料为掺杂基质的二阶非线性光学杂化材料，并运用提拉法在洁净的ITO导电玻璃上制备出均匀、透明的厚度为1μm左右的杂化薄膜。DSC测得杂化材料的玻璃化转变温度为130℃；二次谐波产生（SHG）测量结果表明杂化薄膜在电晕极化后二阶非线性系数d33为1．02×10^7esu；用UV-vis光谱对杂化膜在极化前后的取向和取向稳定性进行的研究表明此材料具有较高的取向度，且常温下的取向稳定性也较好，60d后取向序参数φ仍有初始值的85％。     

基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC

研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。     

La2O3添加剂对BST陶瓷介电性能的影响

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)优异的介电性能使其在微波可调器件的应用中成为热门材料.以BaCO3,SrCO3和TiO2为原料,采用传统的固相合成方法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,以La2O3为添加剂在1400℃烧结成钛酸锶钡陶瓷.分析了La2O3添加剂对陶瓷的微观形貌、相组成以及介电性能的影响.XRD分析表明La2O3能完全固溶到钛酸锶钡晶格中.掺杂后的陶瓷晶粒尺寸明显降低.掺杂了La2O3的钛酸锶钡的介电可调性有所增高.