宽带隙半导体AlN薄膜的制备及应用

AlN是一种宽带隙半导体,它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性,并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AlN薄膜的制备方法和应用,也给出了今后有待进一步解决的问题。     

燃烧火焰法合成金刚石薄膜

本文给出了利用氧一乙炔燃烧火焰在Si(111)衬底上高速率（-80um/h)生长金刚石薄膜的方法，对合成的金刚石薄膜进行了扫描电子显微镜、Raman光谱和X-光衍射分析，并对其结果进行了简要的讨论。实验研究表明这种方法是可行的，且设备简单，成本低廉。     

用非晶硅作绝缘层的表面变容二极管

本文提出了一种用a-Si作绝缘层的表面变容二极管。该器件光敏性高,电容比大,稳定性好以及制造工艺简单,可望获得新的应用。     

单晶Ni52Mn16．4Fe8Ga23．6的磁控形状记忆效应和磁感生应变

用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性。结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应变和磁感生应变,而且磁感生应变具有很好的温度稳定性,从265K到100K,饱和磁感生应变的最大减小量不超过10％。另外,实验也发现磁感生应变量最大的方向是沿晶体母相的[001]方向(即单晶生长方向)。根据合金形状记忆的特点和磁场诱导应变的机理对实验结果进行了分析和讨论。     

立方氮化硼薄膜研究进展

介绍了国内外立方氮化硼薄膜的制备技术、性质表征、生长机制及其应用等研究的新进展，并展望了它的发展前景。