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通过对相同硅片不同时间低温退火和相同的高温退火后氧沉淀诱生缺陷密度的测量,判明氧沉淀核密度随低温退火时间的加长呈线性增加。实验中得到的成核速率与按均匀成核经典理论计算之结果比较一致。因此认为,对所采用的硅单晶在具体工艺条件下,氧沉淀是以均匀成核为主。根据不同温度等时低温退火处理后9μm吸收峰的比较,发现,间隙氧浓度随低温退火温度的升高而递增。这只能用均匀成核理论来解释,因而这一实验结果可作为均匀成核的另一依据。 相似文献
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对比分析国内外多功能施工升降机相关技术状况;研究解决升降机多功能、多适应性以及柔性附着等技术问题,概括多功能升降机的关键技术及创新点。 相似文献