多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.     

硅中氧沉淀成核实验研究

通过对相同硅片不同时间低温退火和相同的高温退火后氧沉淀诱生缺陷密度的测量,判明氧沉淀核密度随低温退火时间的加长呈线性增加。实验中得到的成核速率与按均匀成核经典理论计算之结果比较一致。因此认为,对所采用的硅单晶在具体工艺条件下,氧沉淀是以均匀成核为主。根据不同温度等时低温退火处理后9μm吸收峰的比较,发现,间隙氧浓度随低温退火温度的升高而递增。这只能用均匀成核理论来解释,因而这一实验结果可作为均匀成核的另一依据。     

异型高耸建筑施工多功能升降机的研究开发

对比分析国内外多功能施工升降机相关技术状况;研究解决升降机多功能、多适应性以及柔性附着等技术问题,概括多功能升降机的关键技术及创新点。