响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件

为了获得超声波和化学法联合去污LiF-NaF-KF(FLiNaK)熔盐的最佳工艺条件,利用响应曲面法和Box-Behnken设计(BBD)建立多项式模型,考察了反应温度、超声波功率、硝酸铝浓度和反应时间等因素对熔盐去除率的影响。结果显示:模型的相关系数r²为0.958 0,校正的相关系数r_adj²为0.915 9,表明模型的回归性显著,拟合程度高。影响熔盐去除率的因素由高到低为:反应时间>超声波功率>反应温度>硝酸铝浓度。预测的最佳去污工艺条件为:反应温度60℃、超声波功率300 W、硝酸铝浓度0.1 mol/L和反应时间9 min。在此条件下开展的去污实验验证熔盐的去除率为98.74%±1.12%(n=3),与预测值99.99%的相对误差为1.25%。表明采用响应曲面法优化超声波和化学法联合去污FLiNaK熔盐的工艺条件合理,结果可靠,可为下一步工程应用提供参考。     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.     

基于全业务承载网络的接入层纤芯分配

基于全业务承载网环境,提出了对分纤点进行分组的纤芯分配方案,并与已有的分配方案进行对比。     

蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4.8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2.2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3.76eV.     

AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器

通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.     

几种典型的微弱点状多运动目标跟踪算法对比研究

重点研究了序列图像情况下几种典型的微弱点状多运动目标实时跟踪算法,虽然它们都能够完成不同背景环境下目标的全程跟踪,但跟踪性能存在较大的差异,PDA算法具有较高的实时性,但容易出现目标的偏移和聚合现象;JPDA算法理论上解决了多目标数据关联问题,但跟踪过程存在较大误差且由于计算量大难以在工程中应用;基于最大熵高斯聚类算法对模糊隶属度进行了修正,数据关联性高且有效避免了目标的误跟和丢失现象。通过对几种典型算法的仿真分析,为多目标跟踪算法的优化提供可靠依据。     

恒虚警率PDAF的弱点状目标跟踪技术性能分析

PDAF与PDAF-AI算法广泛应用于雷达目标检测与微弱点状目标跟踪领域,两者不同之处在于PDAF-AI算法在利用目标位置、运动速率的基础上多加了目标的亮度信息通过Kalman滤波器去估计目标下一时刻的状态。PDAF-AI改变了传统PDAF算法忽略目标亮度信息的不足,它应具有更好的跟踪性能。通过对这两种算法跟踪性能的对比分析研究：带亮度的概率数据关联滤波器技术PDAF-AI总体上比传统的PDAF技术具有更好的实时跟踪性能,然而在强杂波或跟踪区域存在高亮杂波的情况下PDAF-AI的跟踪性能可能会有所下降。     

MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.     

MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.     

基于石墨烯材料的太赫兹波探测器研究进展

太赫兹波具有瞬态性、宽带性、穿透性和低能性等一系列独特性质,使其在材料研究、信息传递、环境检测、国防安全、医疗服务等方面展现了非常广阔的应用前景。作为该领域应用的关键,太赫兹探测器得到科研人员极大的重视。一般来讲,探测器的性能很大程度上依赖于基质材料的特性。石墨烯具有2个非常重要的优势,一是石墨烯具有线性能带结构,使得能够吸收太赫兹波;二是石墨烯具有超高载流子迁移率,能够进行超快探测。因此,石墨烯基有望成为太赫兹频段新一代高性能探测器的基质材料。详细综述了近几年关于石墨烯基太赫兹探测器的发展状况。