GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究

GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛使用于各种领域的电子设备中。由于其经常被使用于高频、高温和高辐射的环境中,过高的环境应力会加速器件的损伤。当损伤达到一定程度时,就会引起器件失效,甚至导致整个系统失效。因此外加应力下GaN HEMT器件寿命成为了当前研究的热点。本文基于不同机构对GaN HEMT器件的三温度直流测试结果,运用多元线性回归法和图估计法对GaN HEMT器件在正常使用温度下的寿命进行预测。预测结果表明,GaN HEMT器件在正常使用时,器件沟道温度为150℃的情况下,中位寿命大于107小时;在累积失效概率达23%时,3.6mm栅宽器件与1.25mm栅宽器件的正常工作时间均为5.04×105小时,累积失效概率在23%以上时,1.25mm栅宽器件的寿命明显较3.6mm栅宽器件长。     

大功率LED粘结材料及热沉材料热分析

本文介绍了ANSYS有限元分析软件在大功率LED封装材料热分析中的应用,同时对1WLED的封装结构进行了热模拟分析,比较了3种不同的粘结材料和3种不同的热沉材料对LED封装结构的温度场分布,并对所模拟出的温度分布进行对比。结果表明,提高封装的粘结材料和热沉材料的导热率能够有效地降低芯片温度,从而提高LED的使用寿命。     

TCS热管法生产涤纶有色FDY的技术探讨

通过对TCS热管式纺丝拉伸机生产涤纶有色FDY工艺技术的分析和探讨,讨论了PET切片、色母粒的干燥条件和纺丝工艺的制定和控制,介绍了LWF型色母粒注射机的工作原理和特点,提出了防止色差的几点建议。     

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.     

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.     

基于石墨烯材料的太赫兹波探测器研究进展

太赫兹波具有瞬态性、宽带性、穿透性和低能性等一系列独特性质,使其在材料研究、信息传递、环境检测、国防安全、医疗服务等方面展现了非常广阔的应用前景。作为该领域应用的关键,太赫兹探测器得到科研人员极大的重视。一般来讲,探测器的性能很大程度上依赖于基质材料的特性。石墨烯具有2个非常重要的优势,一是石墨烯具有线性能带结构,使得能够吸收太赫兹波;二是石墨烯具有超高载流子迁移率,能够进行超快探测。因此,石墨烯基有望成为太赫兹频段新一代高性能探测器的基质材料。详细综述了近几年关于石墨烯基太赫兹探测器的发展状况。     

钛硅酸钠（Na2Ti2O3SiO4·2H2O）对Cs的吸附热力学分析

钛硅酸钠(Crystalline Sillicotitanate, CST)对铯（Cs）的吸附热力学分析是研究钛硅酸钠吸附铯机理的重要途径之一。本工作通过研究不同温度下CST与不同浓度CsNO₃溶液反应,测定反应前后Cs⁺的浓度变化,得到了一系列参数。结果显示,不同的反应温度对应不同的饱和吸附量,当温度为298.15 、313.15和328.15 K时,饱和吸附量分别为212.8、217.4和232.6 mg/g。分别用Langmuir方程和Freundlich方程对实验数据进行拟合,结果表明,此吸附过程更符合Langmuir等温吸附。在不考虑温度对吸附焓和吸附熵影响的前提下,计算得到吸附焓ΔH=21.28 kJ/mol,ΔS=89.18 J/K/mol以及ΔG<0。以上结果表明,CST对Cs的吸附过程是一个自发进行、既有物理吸附又有化学吸附的吸热反应。     

油库在用设备设施焊接和热切割作业方法

石油库是存储原油、汽油、柴油、润滑油等散装或者整装油品的仓库,企业会按照安全要求与业务功能将石油库划分为储油区、装卸作业区、辅助生产区和行政管理区。在实际使用过程中,随着时间推移,企业需要对油库进行检修、改造或者扩建等,其中可能会进行焊接和热切割作业,但是由于油库的特殊性以及焊接、热切割作业的特点,在操作过程中极容易出现火灾甚至爆炸,因此技术人员要采取合理的动火方式,务必要保证施工安全。     

分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性

采用射频等离子体辅助分子束外延 (RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407 nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响。材料生长过程中采用反射式高能电子衍射 (RHEED)进行了在位检测,通过原子力显微镜 (AFM),光致发光 (PL)等测试手段表征了InGaN量子点材料的结构和光学特性。结果表明,相对于直接在GaN层上自组织生长InGaN量子点,通过InN成核层技术可以获得高密度、高质量的InGaN量子点结构,量子点尺寸分布更加均匀,主要集中在35~45 nm之间;量子点的密度更高,可以达到3.2×1010/cm2;InN成核层上生长的InGaN量子点的PL发光峰强度为直接在GaN层上生长的InGaN量子点的2倍,发光峰的半高宽较窄,为10 nm