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本文对后栅工艺高k/金属栅结构NMOSFET偏压温度不稳定性特性进行了研究。在加速应力电压和高温条件下,NMOSFET的阈值电压的退化与时间呈幂指数关系。然而幂指数随应力电压的增大而减小;在本文中,应力从0.6V到12V,幂指数则相应的由0.26减小到0.16。通过对应力前后器件的亚阈值特性分析,在应力过程中没有界面态产生。根据实验数据提取到数值为0.1eV的热激活能,表明偏压温度不稳定性是由栅介质中预先存在的陷阱俘获从衬底隧穿的电子造成的。恢复阶段的测试显示阈值电压的退化与对数时间呈线性关系,同时可以用确定的数学表达式来表明其与应力电压和温度之间的关系。 相似文献
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许淼 殷华湘 朱慧珑 马小龙 徐唯佳 张永奎 赵治国 罗军 杨红 李春龙 孟令款 洪培真 项金娟 高建峰 徐强 熊文娟 王大海 李俊峰 赵超 陈大鹏 杨士宁 叶甜春 《半导体学报》2015,36(4):044007-4
文章研究了亚 20nm 节点后栅工艺体硅 FinFET PMOS 器件制作过程中一系列工艺参数对器件微缩的影响。实验结果表明细且陡的梯形Fin结构有更好的性能。文章针对穿通阻挡层(PTSL) 和轻掺杂源漏扩散区 (SDE)的注入条件也进行了仔细地优化。SDE之后没有热退火过程的器件由于在源漏退火之后有更好的晶格再生因而拥有更大的驱动电流。带边功函数器件能够改善短沟道效应,而带中功函数具有更大的驱动电流。器件在微缩过程中针对金属栅的有效功函数需要折衷选择。 相似文献
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铅矿和锌矿是重要的矿产资源,新疆伊宁市富含大量的铅矿床和锌矿床。对新疆伊宁铅锌矿成矿地质条件和找矿标志进行研究,伊宁市内部矿石受高温、岩浆和断裂等因素影响,经过长时间的相互作用,形成质地坚固,内部结构复杂的铅矿和锌矿,在寻找该资源时可以根据矿石的内部物质含量、矿床的断裂程度来判断当地是否含有铅矿和锌矿,并且分析铅矿和锌矿的富含程度。 相似文献
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