超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（SiOF）介质薄膜制备的工艺,并分析了试样的FTIR光谱,发现薄膜中大部分的氟以Si--F键形成存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。     

用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（a-C:F)的制备,化学键结构,介电常数与热稳定,填隙能力,粘附性,热导率等性能,为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。     

La(BO_3,PO_4):Ce,Tb,Gd的发光研究

以 BPO4和稀土氧化物为原料制备了铈、铽、钆共掺杂的硼磷酸镧绿色荧光粉,研究了基质中 Gd3＋、 Ce3＋、 Tb3＋的发光特性及它们之间的相互作用。在该基质中存在 Ce3＋→ Gd3＋、Gd3＋→ Tb3＋、 Ce3＋→ Tb3＋的能量传递;当钆加入到铈、铽共掺杂的硼磷酸镧基质中会导致铈离子的发射减弱,铽离子 5D4→ 7FJ的发射显著增强,而 5D3→ 7FJ的发射没有明显变化,故有利于提高荧光粉的发光强度和绿色发射纯度。用硼磷酸钆作基质比用硼磷酸镧更能提高荧光粉的发光强度、发光纯度以及发光色坐标 x的值,所以 La(BO3,PO4):Ce,Tb,Gd和 Gd(BO3,PO4):Ce,Tb均是理想的绿色发射材料。