基于纵联差动技术的矿井供电系统防越级跳闸保护技术质量研究

针对潞安矿业(集团)有限责任公司某矿井下供电系统存在速断过流保护定值不能有效整定,失压保护存在零时延,通信能力不强易出现越级跳闸的问题,基于该矿供电系统构架,采用纵联差动保护方式,针对该矿供电系统的结构,建立了矿井防越级跳闸系统,重点对该系统硬件部分及软件部分进行了设计,并进行了实际应用,应用结果表明,新设计的防越级跳...     

建筑工程项目预应力混凝土技术的应用

伴随着建筑工程数量和规模的变化,建筑工程结构的稳固性和安全性成为其中的关键要素,而钢筋混凝土作为建筑物结构的主要组成部分,需要给予其足够的重视.然而,由于钢筋和混凝土都具有自身的局限性,因而需要将其进行有效的融合,使其两者间的优势实现互补,以便增强建筑工程的功能性.这样无论是对建筑工程质量的提高,还是对建筑工程的发展,...     

基于改进贝叶斯模型的中文邮件分类算法

通过分析常见的贝叶斯分类方法和实现模型,提出了一种适用于中文邮件的分类算法——基于混合模型的最小风险贝叶斯方法。混合模型将二项独立模型和多项式模型相结合,提高邮件分类的查全率,同时,在此基础上应用最小风险贝叶斯方法,进一步提高准确率。实验表明,应用改进的方法可以得到更准确的邮件分类效果。     

禅武合一构建和谐社会——访嵩山少林寺方丈释永信

和谐社会的理念与佛教的"六和敬"精神是相通的 记者:在高速的城市化进程中,社会发生巨大变革,各种矛盾日益凸现,不同意识形态相互激荡.针对目前存在的社会问题和思想问题,党中央提出了构建和谐社会的宏伟蓝图.请问和谐社会的构建与佛教倡导的"和合"精神有何相通之处?     

新基建背景下ICT技术发展方向浅析

每年5月17日是世界电信信息社会日,国际电联(ITU)都会举办不同主题的活动.2020年,该节日的主题是"连通目标2030——利用ICT促进可持续发展目标(SDG)的实现",由此充分体现出ITU始终关心着弥合数字鸿沟和信息通信技术的进展.本文主要从当前ICT技术发展现状进行研究,并对目前发展中存在的不足进行分析,进而对...     

再生混凝土抗压强度试验研究

设计3种不同再生骨料取代率的再生混凝土立方体试件,分别在7 d、14 d、28 d、100 d龄期进行抗压强度试验,结果表明：长龄期再生混凝土立方体抗压强度有所增大,但高取代率比低取代率的抗压强度降低,再生混凝土后期强度增长速率高于普通混凝土。对试验室实测的再生混凝土立方体抗压强度与试验龄期进行拟合,拟合结果相关系数均大于0.97,吻合结果较好。     

塔山矿新型27 mm高强玻璃钢锚杆技术应用

由于塔山矿回采巷道均为放顶煤开采,矿压显现明显,巷道断面大,在回采过程中尾顺槽围岩变形量大,致使使用传统普通玻璃钢锚杆支护时出现杆体被拉断、杆体尾部被剪断等支护失效现象。为了解决上述问题,采用新型27 mm高强玻璃钢锚杆对塔山矿8112工作面进行试验。试验结果表明,在保证采掘安全的前提下,使用新型锚杆取代普通锚杆,可以大大提高巷道支护的稳定性,节约巷道支护成本,保证施工工期正常完成,同时提高工作面回采效率。采用新型锚杆后,使巷道支护兼具安全、经济双重效益,同时对全矿井以及其他所有同类型矿井类似回采巷道,具有积极的推广和借鉴意义。     

三氯化铁分光光度法测定药物中亚甲基二膦酸

通过三氯化铁与亚甲基二膦酸形成络合物,采用分光光度法,建立了注射用亚锡亚甲基二膦酸盐冻干药盒中亚甲基二膦酸含量的测定方法。结果表明,亚甲基二膦酸质量浓度在0.02~0.08 g/L范围内与吸光度A呈良好线性关系,线性回归方程y=14.61x+0.029 7,线性相关系数r=0.999 1。加标回收率为98.8%~102.0%,相对标准偏差为0.97%(n=6)。该方法可用于快速准确地测定注射用亚锡亚甲基二膦酸盐冻干药盒中亚甲基二膦酸的含量。     

压水堆堆芯损伤评价系统研究与开发

堆芯损伤评价是反应堆事故后应急评价的重要组成部分。本文在国外文献基础上,结合国内的运行经验,对压水堆堆芯损伤评价进行研究,并开发了相应的软件程序。堆芯损伤评价包括基于堆芯裸露时间、在线监测仪表读数和取样分析数据三种方法。考虑应急实时要求、电厂实际情况与国际经验,本文采用了基于在线监测仪表读数的评价方法,该方法主要是基于堆芯热电偶读数与安全壳辐射监测仪表读数进行评价,其他监测仪表读数进行辅助合理性证实。     

金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状

为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于总剂量效应(TID)导致的阈值电压漂移(ΔV_th)。注意到了栅宽和栅长对器件耐辐射能力的影响在体CMOS器件和纳米线(NW)MOSFET器件之间、高的和低的工艺节点之间的不同,并从辐射诱导的窄通道效应(RINCE)和辐射诱导的短通道效应(RISCE)两方面解释了这种区别的原因。发现近年来前沿的一些研究在考虑辐射效应时,修正了负偏压不稳定性(NBTI)的影响。并讨论了几种新型器件包括锗沟道、氮化镓沟道管和具有特殊几何布局的晶体管。此外,介绍了计算机辅助设计技术(TCAD)在几种新型场效应管的机理研究和建模验证中的应用。