全文获取类型
收费全文 | 96篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
综合类 | 4篇 |
化学工业 | 8篇 |
金属工艺 | 6篇 |
机械仪表 | 21篇 |
建筑科学 | 4篇 |
矿业工程 | 10篇 |
轻工业 | 8篇 |
水利工程 | 1篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 2篇 |
一般工业技术 | 26篇 |
冶金工业 | 1篇 |
原子能技术 | 4篇 |
自动化技术 | 5篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 9篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 3篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 3篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有101条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
HL—1M装置原位硅化涂层的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
HL-1M装置采用硅化技术,大大改善了第一壁条件,提高了等离子体约束性能。对HL-1M装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了研究,并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。 相似文献
74.
HL—1M装置硼化膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
HL-1M装置采用C2B10H12蒸气对真空室内壁进行了原位硼化,取得了满意的效果。采用沉积探针技术并结合四极质谱分析技术对膜的成分、热解释性能、D+束辐照化学腐蚀性能、HL-1M装置第一壁成膜的平均速率和膜厚的均匀度以及硼化前后的碳、氧杂质和放电期间器壁再循环特性进行了研究。 相似文献
75.
76.
自HL-1M装置采用硅化技术,大大改善了第一壁条件,提高了等离子体约束性能,本文对HL-1M装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质,热辐射和再循环进行了研究,并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。 相似文献
77.
78.
79.
80.