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81.
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃~120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。 相似文献
82.
在浙江大学的环境材料与再生能源研究中心,科学家做了一场有趣的表演:将两块粘在一起的深色玻璃片放在一只60W台灯下,打开台灯,再接通玻璃片另一头用电线连接着的简易小风扇,不到一秒钟风扇的叶片就转了起来;等把台灯一关,风扇就停止了转动。这其中的奥妙全在玻璃片上的纳米光催化材料里。纳米光催化材料为什么能“放大”太阳能呢? 相似文献
83.
本文基于特许0.18μm CMOS工艺,提出了一种新型的低复杂3.1~10.6GHz超宽带LNA电路,它由两级简单的放大器通过级间电感连接构成。第一级放大器使用电阻电流复用结构和双电感退化技术来达到宽带输入匹配和低噪声性能,第二级放大器使用带电感峰值技术的共源级放大器来同时达到高平坦增益和好的宽带性能。测试结果表明,在3.1~10.6GHz频段内,提出的超宽带LNA的最大功率增益为15.6dB,S12为-45dB,输入输出隔离度小于-10dB,噪声系数NF为2.8~4.7dB,在6GHz时的输入三阶交调点IIP3为-7.1dBm。芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率为14.1mW,芯片总面积为0.8mm0.9mm。 相似文献
84.
A differential low-voltage high gain current-mode integrated RF front end for an 802.11b WLAN is proposed.It contains a differential transconductance low noise amplifier(Gm-LNA) and a differential current-mode 0 down converted mixer.The single terminal of the Gm-LNA contains just one MOS transistor,two capacitors and two inductors.The gate-source shunt capacitors,Cx1 and Cx2,can not only reduce the effects of gate-source Cgs on resonance frequency and input-matching impedance,but they also enable the gate inductance Lg1,2 to be selected at a very small value.The current-mode mixer is composed of four switched current mirrors.Adjusting the ratio of the drain channel sizes of the switched current mirrors can increase the gain of the mixer and accordingly increase the gain of RF receiver front-end.The RF front-end operates under 1 V supply voltage.The receiver RFIC was fabricated using a chartered 0.18μm CMOS process.The integrated RF receiver front-end has a measured power conversion gain of 17.48 dB and an input referred third-order intercept point(IIP3) of-7.02 dBm.The total noise figure is 4.5 dB and the power is only 14 mW by post-simulations. 相似文献
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