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41.
以X射线荧光光谱分析为手段,测试了用Bridgman方法生长的PbF2:Gd晶体中Gd离子沿生长方向的分布.发现该晶体在X射线激发下的发光强度与Gd在PbF2晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明PbF2:Gd晶体的发光是不均匀的,这种不均匀性源于Gd离子在PbF2晶体中的分布不均匀性.通过在PbF2:Gd晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Gd离子在PbF2晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Na离子的均匀化效果为最好.推测Na离子的作用是消除了PbF2:Gd晶体中因Gd离子的掺杂而造成的间隙F离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低. 相似文献
42.
目的: 观察缬沙坦对自发性高血压大鼠(SHR) 心肌肥厚的影响, 以及对肿瘤抑制基因PTEN表达的影响。方法: 取20 只12 周龄自发性高血压大鼠, 随机分为2 组, 每组10 只:缬沙坦干预组, 给予缬沙坦30 mg·kg-1·d-1 溶于饮水灌胃治疗;SHR阳性对照组给予正常饮水。另有10 只同龄同源雄性正常血压Wistar-kyoto 大鼠(WKY 组) 作为正常对照组。实验周期8 周, 测量血压、左室重量 体重(LVW/BW), 应用免疫组化方法检测各组大鼠左心室心肌PTEN 的表达。结果: SHR 阳性对照组血压、LVW/BW 均高于正常对照组, 但低于缬沙坦组, SHR阳性对照组PTEN 的表达明显低于正常对照组, 而缬沙坦组PTEN 的表达显著高于SHR 阳性对照组。结论: 缬沙坦能抑制自发性高血压大鼠心肌肥厚, 并能提高PTEN 的表达, 提示PTEN 可能在心肌肥厚发展过程中起了一定的作用。 相似文献
43.
用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关. 相似文献
44.
采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体, 并用腐蚀法观察了其电畴结构. 结果表明, 化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用, 当Li2O 含量处于49.4mol%附近时, 晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴; 当晶体中Li2O含量为49.7mol%时, 晶体为完全单畴. 本文对其形成机理进行了探讨, 认为在由顺电相向铁电相转变 时, 局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关, z轴生长晶体时, 由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响, 所处温场固有温梯也 随之不同, 在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因. 最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施. 相似文献
45.
负载氧化锌活性炭对苯的吸附性能及热力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对微波活化处理废触媒制备的活性炭进行了微结构分析,发现活性炭具有孔隙发达,微孔贯穿性好的结构,孔隙中负载了少量的具有催化作用的氧化锌.采用光离子化气相色谱法测定了20℃、30℃和40℃活性炭对苯的吸附等温线,并用Langmuir方程进行了数据拟合,且适合于该方程.同时计算了平均吸附热(△H),吸附自由能(△G),吸附熵... 相似文献
46.
目前,欧洲产半导体分立器件型号命名主要由四个基本部分组成,其中第一部分用字母表示器件使用的材料;第二部分用字母表示器件的类型及主要特性;第三部分用数字或字母加数字表示登记号;第四部分用字母对同一型号器件进行分档,详见表1。除上述基本部分外,在后面有时还用字母或数字作为后缀, 相似文献
47.
故障现象:光栅很亮(无回扫线)且失控。将加速极电压调至最低,荧屏也只有模糊失真的彩色图像。字符显示为黑色,伴音正常。分析检修:由于有彩色图像,说明注入IC201(TA7698CP)第(39)脚的彩色全电视信号正常,还表明输入到IC201第(38)脚的行逆程脉冲正常。(否则IC内部的双稳态触发器无触发脉冲,亦不能产生色选通脉冲,使消色器动作,不会有彩色)。 相似文献
48.
彩电的逃台故障是一种常见故障。该故障有两种现象:1.所有频段的节目均逃台;2.只有某一频段的节目出现逃台。检修逃台故障的步骤可按附图所示进行。一、高频头VT端电压不稳所致因高频头调谐电压不稳而造成的逃台故障是最常见的原因。其主要故障点有: 1.33V稳压电源电压不稳; 2.调谐板上频道预选开关、调谐电位器接触不良(指非遥控彩电); 3.CPU不良(含存储集成块); 4.调谐板自身漏电; 5.接口电路(指VT输出至高频头VT端子)有关元件存在漏电现象; 6.高频头内调谐回路存在漏电现象。 相似文献
49.
本文介绍了大型结构有限元分析程序COS-MOS/M在大型超导Tokamak装置机械结构设计中的应用.通过HT—7U大型超导Tokamak装置纵场线圈机械强度的有限元分析,对初始设计方案中的不合理结构进行了改进. 相似文献
50.