KTN晶体中新的光折变现象

自光折变效应出现以来,许多科学家在这一领域进行了大量的研究,提出了一些模型对光折变现象进行了解释,最有代表性的是苏联科学家Kukhtarey等人提出的单个载流子和单个光折变中心的带传输模型,尽管带传输模型在解释部分光折变效应有成功之处,但仍不能对某些光折变现象进行令人满意的解释。我们首次在KTN晶体中观察到了在一     

KPO3—MoO3熔盐相图

用目测变温法及差热分析法测定了KPO3－MoO3体系熔盐相图，发现该体系生成两个化合物，它们的化学计量式分别为3KPO3·MoO3和KPO3·MoO3，经X射线衍射及Raman光谱分析得到进一步证实。     

Ba2TiSi2O8晶体的生长及其电弹常数的测定

采用提拉法生长了尺寸为 35mm×35mm×50mm 的透明 Ba2TiSi2O8晶体。XRD 结果表明所得晶体的物相为 Ba2TiSi2O8单晶,浮力法测量晶体的密度为 4.465g/cm3。利用静电容法测量 Ba2TiSi2O8晶体的相对介电常数为 ε11/ε0= 16.35 和 ε33/ε0= 12.38。干涉法测量的压电常数为 d15= 17.55 pC/N、d31= –1.49 pC/N,谐振法测量的机电耦合系数为 k33= 10%,弹性常数 sE11= 7.5 × 10–12、sE33= 13.3 × 10–12、sE44= 33.6 × 10–12m2/N 和 sE66= 12.8 × 10–12m2/N。并测量了 Ba2TiSi2O8晶体的电阻率为 pa= 9.43 × 1013 ·cm、pc= 5.84 × 1013 cm。通过测量发现,Ba2TiSi2O8晶体压电常数远大于石英的,且具有大的机电耦合系数和较大的电阻率,是一种优良的压电晶体材料。     

提拉法生长钽酸钾晶体

用提拉法生长出了一系列钽酸钾(KTaO3)晶体,其中最大可达31 mm×31 mm×40 mm,质量为247g.X射线粉末衍射仪测试结果表明:KTaO3单晶具有立方结构,晶胞参数a=0.398 88 nm.透射光谱显示:KTaO3单晶在340～3 500 nm的波长范围内有宽广的透光波段,仅在2 875 nm的处有吸收峰.讨论了KTaO3晶体的表面形貌、宏观缺陷及生长习性.     

纳米粉体的团聚与分散

纳米粉体的团聚一直是困扰纳米材料制备和粉末纳米材料应用的关键问题。从纳米粉体团聚机理入手,综述了纳米粉体团聚行为的影响因素、克服纳米粉体团聚现象和纳米粉体分散的技术途径。     

拥有深紫外截止边的Rb2Mg3（P2O7）2同质多晶的合成、表征和理论计算（英文）

本文结合孤立的P2O7二聚体和Mg O4四面体,采用高温熔液法合成了α和β-Rb2Mg3(P2O7)2同质多晶.α-Rb2Mg3(P2O7)2结晶于非中心对称P212121空间群,β-Rb2Mg3(P2O7)2结晶于中心对称P21/c空间群.两种结构均含有三维[Mg3P4O14]^2-阴离子骨架,而Rb+离子位于空间中.结构分析表明,孤立的P2O7通过调整其可变构型和取向以适合不同配位环境的阳离子,这有利于同质多晶Rb2Mg3(P2O7)2的形成.另外,从α-到β-Rb2Mg3(P2O7)2的相转变过程也可以通过粉末X射线衍射和热重-差热测试被进一步证明.紫外-可见-近红外漫反射光谱测试表明两种材料都有深紫外截止边(190 nm以下),并且α-Rb2Mg3(P2O7)2具有倍频效应,我们通过倍频密度计算研究了其倍频效应的来源.为了更好地理解上述化合物的结构性能关系,我们还进行了第一性原理计算.     

光电功能晶体材料研究进展

光电功能晶体,包括激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、介电体超晶格、闪烁晶体和PMN-PT驰豫电单晶等,在高技术发展中具有不可替代的重要作用。近年来,我国在这些重要晶体材料的生长、基础研究和应用方面都获得了很大成绩。综述了光电功能晶体材料研究和应用的部分进展。在此基础上,提出进一步发展晶体理论,扩大理论的应用范围,注重晶体生长基本理论研究,发展新的晶体生长方法和技术,加强晶体生长设备研制,加强晶体从原料到加工、后处理、检测及镀膜等全过程的结合等建议,以全面提高我国光电功能晶体研究发展及其产业化水平。     

电子晶体-声子玻璃及热电材料研究的最新进展

论述了新型的热电材料-电子晶体-声子玻璃的结构特征和热电特性,着重介绍了填充原子对Skutterudite结构材料的电子传输和热传输性能的影响,介绍了进一步提高材料热电性能的其它途径,提出了这类材料发展的方向和亟等解决的问题。     

共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体与机理探讨

以碳酸氢铵为沉淀剂采用共沉淀法和添加分散剂的方式．获得具有高烧结活性的碳酸盐前驱体,这种前驱体在较低的温度下烧结即可转变成相。同时借助DTA-TG、IR、XRD和TEM等测试手段对前驱体和YAG粉体进行表征。结果表明：在分散剂存在的情况下,此800℃左右煅烧2h前驱物直接转变为纯的YAG相,而无其它的杂质相,所得的YAG粉体的颗粒尺寸约20nm．是单分散的形貌近似球形的。此外不同温度下粉体的荧光性质表明,随着烧结温度的提高发光强度有所增加。     

表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.