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101.
现代冷带轧机偏移距和微跑偏机理   总被引:3,自引:0,他引:3  
现代冷带轧机的偏移距设置源于保证轧机辊系稳定性的力学约束 ,靠轧机辊系在负载状态下作用于轧辊的水平力来实现。偏移距与水平力 (稳定性 )成某种比例 ,在专业教科书及参考书中都有详细的介绍并给出计算方法。然而 ,其力学约束在轧制动态过程中不稳定而失效 ,偏移距便失去设置意义却留下较大的水平力后患 ,引起一系列“随机”事故 ,困扰轧制生产。另外 ,在轧机负载时由轧机支承辊、轴承座、机架及连接挡板组成的辊系产生“轧制线微跑偏”现象 ,对其危害至今没有被人们所认识 ,因而未能对症解决相关的事故。偏移距设置和轧制线微跑偏皆属轧机在负载状态下辊系的微尺度(轧辊弹性变形和轴承座 -机架运动副间隙 )行为 ,研究实践表明是可以控制的  相似文献   
102.
中药连续动态逆流提取中各设备间关系复杂,各阶段需要协调控制,使得传统的控制方法不能满足要求。通过分析带有挤压提取器的中药连续动态逆流提取过程的工艺和设备特点,以逆流提取器内温度为主参数,以保证溶媒比为目标,设计了复杂控制系统。针对提取过程的大惯性和大扰动,研究了控制策略,并结合PLC和上位机监控软件实现了改进型PID控制。通过在中药连续动态逆流提取监控系统中运行,表明所设计控制系统满足工艺要求,软件运行稳定。  相似文献   
103.
针对致密砂岩油藏压裂投产水平井生产过程中,储层渗流场复杂的问题,在前人工作的基础上,利用井筒与油藏耦合模型,对模型中的裂缝流动压降进行修正,同时综合考虑储层启动压力梯度和应力敏感对产能的影响,推导出适合致密砂岩油藏压裂水平井的产能方程。研究结果表明,致密砂岩储层的启动压力梯度和应力敏感对水平井的产能影响显著,同时计算结果显示,推导的产能方程预测结果准确,能够指导水平井的开发。  相似文献   
104.
105.
跟踪式二次谐波涌流制动改进方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对二次谐波制动原理存在的问题,提出一种新的二次谐波制动原理。通过判断变压器的开关位置和差流大小来改变涌流闭锁二次谐波门槛值,在空载合闸和故障切除恢复电压的过程中监视变压器内部故障和励磁涌流,达到在不会拒动的情况下更准确地判断励磁涌流、防止保护误动的目的。该方法具有实时跟踪的功能,克服了单一定值不能实现可靠制动的缺点。验证表明新方法具有较高的可靠性和灵敏性,可以克服传统制动方法的缺点,实现对励磁涌流现象的可靠制动。  相似文献   
106.
基于CMI及差分电流的紫外读出集成电路的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王翔  蔡波  郭睿  刘继忠  高晓颖  王丽娜  周劲 《红外》2009,30(2):28-32
本文提出了一种基于电流镜镜像积分(CMI)及差分电流结构的GaN紫外探测器读出电路结构,分析了该读出电路结构的工作原理及特点.通过SPICE对电路结构进行了仿真验证,结果显示该读出电路结构可以对探测器的光响应电流信号进行有效的读取.  相似文献   
107.
基于涡流和磁记忆法的退役曲轴检测   总被引:1,自引:0,他引:1  
王翔  陈铭 《机械设计与研究》2007,23(2):95-97,101
为了对退役曲轴再制造前的剩余疲劳寿命进行评估,提出了一种基于涡流和磁记忆法的退役曲轴检测方法。并对曲轴进行了动态仿真,得到曲轴的关键检测点为油孔和圆角处。在此基础之上,针对曲轴特殊的结构形式,设计开发出一种检测装置,实现了一次装夹就可同时检测主轴颈和连杆轴颈。检测结果表明,该检测装置可对退役曲轴进行方便、快捷的检测,获得连续、准确的检测信号,从而为评价退役曲轴的剩余疲劳寿命提供了基本依据。  相似文献   
108.
移动通信运营商面临着越来越大的市场竞争。主要针对移动通信运营商的IT基础设施建设和运营的技术问题,陈述了利用云计算来构造移动通信运营商办公云平台。给出了移动运营商办公云的技术架构,并且从系统运维的角度,讨论了利用大数据技术对办公云的运行状态数据进行数据挖掘与分析,实现对办公环境的精细化管理、智能化和自动化的运维,进而合理利用资源并提升用户体验。  相似文献   
109.
以N2作载气,二茂铁作催化剂,高温催化裂解无水乙醇溶液,制备出纯度较高,管径分布在30 nm~40 nm的纳米碳管。利用SEM和TEM对纳米碳管的结构进行了表征。根据纳米碳管的微观形貌,给出了一种可能的生长机制。该制备过程不使用任何有毒有害物质,工艺简单,这对实现纳米碳管的规模生产具有重要意义。  相似文献   
110.
设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用同一结构尺寸,可以比较不同条件下键合强度的相对大小;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试.通过压臂法检测了Au-Si键合强度,其数值高于硅片基体本身的强度.  相似文献   
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