不同烟区及土壤改良措施下烟叶显微与超显微结构的动态观察

为了解烟叶显微与超显微结构变化的一般规律及其在不同烟区与不同土壤改良措施下的差异,为优质烟叶的栽培提供科学的依据,应用光学显微镜、透射电子显微镜对不同地域及不同土壤改良措施下烟叶显微与超显微结构进行动态观察,结果表明:烟叶显微结构与超显微结构变化一般规律:细胞从排列紧密到疏松,最终细胞收缩、解体.前期叶绿体内淀粉粒较多,中期减少,后期增多.叶绿体高基粒片层逐渐减小.嗜锇颗粒呈加速增多的趋势.不同烟区及不同土壤改良措施下的差异主要表现在后期,栅栏组织细胞出现收缩与海绵组织细胞间隙扩大及细胞的降解的程度不同;叶绿体高基粒片层、嗜锇颗粒、淀粉粒的数量差异大.施草炭的细胞大幅度收缩,细胞间隙扩大,各处理的比对照都有相对较多的孔隙;施用饼肥的嗜锇颗粒数量明显多于其他处理,纯施化肥的最少.施草炭、施饼肥比对照的叶绿体高基粒片层多.纯施化肥的叶绿体内淀粉粒后期迅速增大超过其他3处理.不同地域和不同土壤改良措施下烟叶从糖类物质合成向脂类物质合成转变的程度不同,烟区土壤改良措施能够进行有效调节.     

卵黄高磷蛋白调控生物矿化的研究进展

近年来研究发现磷酸化蛋白质在生物矿化过程中起着重要的作用,而卵黄高磷蛋白是目前自然界中磷酸化程度最高的蛋白质之一,已有部分研究证明了卵黄高磷蛋白具有矿化调节作用,但关于它调控矿化的活性位点及具体机制还不明确。本文概述了生物矿化发生的环境、矿化原理、矿化过程及矿化调控等内容,对卵黄高磷蛋白调控生物矿化的相关假说及研究进展进行了探讨。     

甘蓝型油菜DH植株创建及其倍性的流式鉴定

以甘蓝型油菜大粒品系和小粒品系的小孢子为试验材料,研究取样时期、花蕾大小、培养基类型及添加成分对小孢子产胚率的影响,利用流式细胞仪对小孢子再生植株及加倍植株进行了准确、快速的倍性分析。结果表明,始花期为最佳取蕾时期,花蕾大小在2.5~3.5mm为宜,培养基以液体培养基最好。培养基中加入0.1mg/L6-BA可以促进小孢子胚的发生,而活性炭对小孢子培养没有明显的促进作用。流式细胞仪倍性检测显示小孢子再生植株加倍后的双单倍体（doubled haploid,DH）占49%,还存在少量的三倍体（11.3%）、四倍体（1.1%）及嵌合体（27.3%）植株。本研究为油菜材料的快速纯合及其DH系群体的构建等提供了新的经验。     

焊接挤压辊造成管体表面缺欠的处理

为了有效消除高频直缝焊管管坯外表面的压痕和划伤缺欠,结合高频焊管机组焊接挤压辊的设计特点,分析了焊接挤压辊造成管坯压痕或划伤等表面缺欠的原因,认为上挤压辊辊缘对管坯造成线状压痕或压坑、侧挤压辊辊缘对管坯造成线性压痕或月牙状划伤、下辊辊缘对管坯造成线性压痕是造成表面缺欠的主要原因。通过对焊接挤压辊造成管坯表面缺欠原因的分析,提出了相应的防止措施。     

植物油中过氧化值含量的合格概率评定与符合性判定

目的对合格概率进行评定,确定一个具体的合格概率值。方法根据CNAS-TRL-010:2019《测量不确定度在符合性判定中的应用》中的合格概率计算公式求得合格概率。结果本次评定,容许限上限Tu=0.25 g/100g、过氧化值检测值y=0.247 g/100g、合成标准不确定度u=0.003 g/100 g,合格概率P=84.1%。结论对于本次检验结果的符合性判定,实验室可与客户协商选择可以使符合性判定结论为合格的判定规则,以减小误判风险。     

磨面位置对20CrMnTiH钢末端淬透性的影响

为了研究磨面位置对20CrMnTiH钢末端淬透性的影响,对20CrMnTiH钢试样不同磨面的硬度进行测试,采用光学显微镜及扫描电镜观察其显微组织,并用红外碳硫分析仪及直读光谱仪对其化学成分进行分析。结果表明：20CrMnTiH钢试样外围磨面的硬度有较大差异,精确标识磨面位置对钢的末端淬透性测定结果的准确性非常关键;显微组织的不同是导致试样硬度差异大的直接原因,而化学成分的不均匀性是硬度差异大的根本原因。     

温度对CdZnTe载流子输运特性和能谱特性的影响

采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220～300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298～253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。     

新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的光学和磁学性能

采用垂直Bridgman法制备出了x＝0.1、0.22和0.4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体.采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性.用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5～300K和磁场强度范围0～5T内的磁化强度.在中红外波段透过率曲线变化很小.随着x的增加Cd1-xMnxIn2Te4的光学带隙移向高能端.磁化率倒数χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里-万斯定律,在低温下x≥0.22时向下偏离该定律.与具有相同Mn2+浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2Te4晶体的交换积分常数较小.     

Effects of Indium Doping on the Properties of Cd1-xMnxTe Crystals

通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰。这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故。拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致"类CdTe"的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化。