CO_2离化团束辐照Si表面形成SiO_2膜的分析

由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关，而其成分接近SiO2在低辐照剂量下，氧化层增厚服从反应规律，而在高剂量下服从扩散规律．     

高热导A1N—新型陶瓷基片及封装材料

A1N陶瓷具有高的热导率和与Si相接近的热膨胀系数以及电绝缘特性，是一种应用前景极好的基片材料。本文介绍了A1N陶瓷的基本特征、用于陶瓷基片和封装材料的工艺难点及A1N陶瓷的应用现状和前景。     

球栅阵列——更适合多端子LSI的表面安装式封装

塑封球栅列（ＢＧＡ）是一各新型表面安装多端子型ＬＳＩ封装。与塑封四方扁平封装（ＱＦＰ）相比，前者外形更小，设备与操作较为简单可靠性民提高。ＢＧＡ替代ＱＦＰ的尝试从美国开始，并正在各国展开。     

欧盟（EU）WEEE／RoHS指令案概要

本简要介绍了欧盟于2003年2月13日颁布的WEEE／RoHS指令案的主要内容。     

溅射SiC薄膜的XPS分析

用 XPS 技术对射频溅射 SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以 Si(2p)和 C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。