MPLS与移动IP技术的融合

首先介绍了MPLS和移动IP技术的基本原理，在此基础上给出了MPLS架构下移动IP技术的三种网络模型(包括：基于MPLS标记交换路径的移动IP网络模型、基于MPLS的移动IP路由优化网络模型、基于MPLS的分级移动IP网络模型)，分别分析了各种模型的工作原理及优缺点。还总结了MPLS机制下移动IP的技术优势，最后指出了需要进一步深入研究的问题。     

面向5G超密集场景下的网络自组织关键技术

超密集部署及多种制式的网络共存使未来5G网络运营维护的复杂度和成本大大增加,网络自组织技术作为有效提升网络管理效率和降低网络运营成本的主要手段,已成为面向5G超密集场景的关键技术之一.主要介绍了网络自配置、自优化、自治愈等网络自组织功能以及面向5G超密集场景下的应用,最后分析了网络自组织技术面临的挑战以及未来研究方向,为后续研究提供参考.     

Co与Cu掺杂ZnO磁性薄膜的溶胶-凝胶旋涂法制备

用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及(Co,Cu)共掺杂ZnO薄膜.磁性测量表明,无论是单掺还是共掺的ZnO薄膜都具有室温铁磁性,且Co掺杂和共掺杂ZnO薄膜的磁性相近,而Cu单掺ZnO薄膜磁性稍弱一点.用原子力显微镜和X射线衍射研究了Co,Cu掺杂对ZnO薄膜表面形貌和晶体结构的影响,在薄膜中没有发现第二相和磁性团簇的存在,且所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向.室温光致发光测量在所有的样品中都观察到447和482 nm附近的蓝光发射,认为是由于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁所导致的.     

针对无线上行链路的TCP跨层改进机制

在下一代蜂窝通信系统（例如,4G）里,传输控制协议（TCP）做为主要的端到端传输协议将随着互联网业务的开展而得到相当广泛的应用。本文根据上行无线链路对TCP的影响,提出了一种针对上行链路的TCP改进机制。该机制利用无线链路控制层（RLC）的反馈信息,实现了对TCP层定时器的自适应控制,从而大大降低了上行无线链路对TCP性能的影响。仿真结果表明,同传统的TCP机制相比,本文提出的TCP改进机制能够使得TCP在可靠性低,突发错误时间长以及切换时延高的无线移动环境更为有效地工作。     

一种适用于移动Ad hoc网络的无线P2P应用架构

移动AdHoc网络和P2P技术近年来迅速发展,各种新的应用层出不穷,向广大用户提供了多种新兴服务。相关研究表明,在现有的移动AdHoc网络中直接应用P2P技术,会影响整个网络的性能。本文采用跨层思想,提出新型的无线P2P应用架构,包括了资源搜索和文件传输的整个过程,实现了基于存储内容的分布式网络资源管理。该架构设计了适用于移动AdHoc网络的P2P拓扑结构,定义了各节点内部的模块功能和算法流程。本文还引入用户偏好和信用记录的机制,更好的满足了无线自组织网络中各种P2P应用的不同QoS需求以及每位用户的需求。     

无线局域网标准与应用

本文首先介绍了无线局域网的概念及标准ＩＥＥＥ８０２１１,并详细说明了无线局域网的特点及应用范围,最后通过实际工程案例说明无线局域网的组网方式。     

基于二维P2P的多环资源发现协议族

Chord中的所有节点可视作分布在一维空间中,形成单一的环。针对移动Ad hoc网络,该文提出二维P2P的概念,将所有节点视作分布在二维平面内,允许多个可灵活配置的环存在,并提供冗余查询路径。基于此概念,该文还提出多环二维P2P资源发现协议族,并给出协议族中可行的环配置方案,证明其在网络直径和度性能上的改善。仿真结果表明,合理的配置环能明显改善基于移动Ad hoc网络的P2P查询性能。     

基于HMIPv6的寻呼扩展策略

本文首先对移动IPv6 (MIPv6 )和分级移动IPv6 (HMIPv6 )中的通信过程和各个功能实体进行了简单的介绍。然后在HMIPv6的基础上提出一种寻呼扩展结构 (PagingExtensiononHMIPv6 ) ,包括加入此寻呼扩展后的网络体系结构和各个功能实体的描述并定义了其中几个重要的报文结构。通过加入该寻呼扩展使MIPv6实现注册本地化的同时支持IPPagingSupport,提供更好的可扩展性。     

分组衰落信道下LDPC的一种带信道估计的改进Belief-Propagation算法

该文首先通过仿真证明了LDPC(Low Density Parity Check code)在分组衰落信道下,以通常的Belief-propagation算法译码,具有较好性能.然后基于算法的特殊迭代特性,提出分组衰落信道下,在每一迭代步骤中结合信道估计的改进的Belief-propagation算法.仿真证明,该算法可以有效地减少译码迭代次数.     

Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜的室温光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心.建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级.