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本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。 相似文献
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研究了利用γ射线穿透方法测量高危容器进行连续测量可行性。详细介绍了测量方案,数学模型,参数的实现,并对测量过程中精度的影响进行分析计算。 相似文献
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基于GaN基APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80V,当积分电容为4pF,积分时间为25us,时钟频率为100KHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0~2.25V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。 相似文献
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完善机组涉网控制提高电网可靠性 总被引:3,自引:0,他引:3
探讨通过完善机组涉网控制,以提高电网可靠性。对数字电液调节系统(digital electronic hydraulic,DEH)若干容易忽视的涉网功能如超速保护控制OPC、负荷快速返回FCB、汽门快关FV等进行了论述。现代化大电网发生事故,反映出电力生产、传输、电网可靠性及电力体制等问题,在普遍关注电网安全的同时,电网故障后的恢复、发电机组安全及它们与电网之间的协调,同样令人反思。文中指出设计、调试、完善相关自动保护和控制策略是改善电网稳定性行之有效的手段。 相似文献
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