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41.
水溶液中CdSe纳米晶体的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
以水溶液为介质,在室温下制备得到了CdSe的纳米颗粒.最终得到的CdSe的纯度决定于反应的pH值和反应时间,提高反应溶液的pH到11以上并控制反应时间,可以得到较纯的CdSe,其颗粒的平均尺寸约为50 nm左右.当引入巯基乙酸作为稳定剂后,CdSe的形貌从纳米颗粒(团簇)转变成了纳米棒.通过一系列表征手段(XRD),紫外-可见光吸收谱,SEM)对制的试样的性质进行了分析,并讨论了CdSe的形成机理. 相似文献
42.
溶胶-凝胶法合成PZT时,后续工艺、最终产品的性能与溶胶溶液的稳定性有直接关系.本文就制备稳定PZT溶胶及影响因素进行探讨.实验以乙二醇甲醚为溶剂、以硝酸锆为锆源、醋酸铅为铅源、钛酸四丁酯为钛源,制备Pb(Zr0.5Ti0.5)O3粉体.实验结果表明铅离子与锆离子混合后很容易产生沉淀从而影响PZT溶胶溶液的稳定均一性;而溶液pH值调整可使沉淀物溶解.随混合金属离子浓度增加,其沉淀物消失的临界pH值也增加.在溶胶配制时其温度对稳定性影响不大. 相似文献
43.
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构.在不同外加直流电场下测试Zn 掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系.发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性.另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小. 相似文献
44.
CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。 相似文献
45.
46.
本实验主要研究二水硫酸钙(CS)/β-磷酸三钙(β-TCP)/聚乳酸(PLA)复合材料的制备和性能。先将CS和β-TCP共混球磨,然后用溶液共混法制得CS和β-TCP总的质量分数为20%的聚乳酸三相复合材料,并制成2 mm×5mm×5 mm的片状颗粒。复合材料的抗拉强度测试结果表明,在CS与β-TCP总的质量分数不变的条件下,随着CS添加量的增多和β-TCP添加量的的减少,复合材料的抗拉强度呈下降趋势。经Tris溶液浸泡后,其质量由于降解而缓慢减少,并随着CS相对含量的增加,复合材料的质量减少速率逐渐减小。SEM结果显示,浸泡后的材料表面出现蚀孔与沉积现象。体外细胞培养结果表明,细胞可以在复合材料表面粘附和增殖,其细胞相容性与聚乳酸相当。实验结果表明,所得到的复合材料力学性能能够达到骨内固定材料使用的要求,具有良好的生物相容性,并且降解速度可调,具有作为新型可降解骨内固定材料使用的潜在可能。 相似文献
47.
采用溶液浸渍提拉法制备了β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜.PVDF在60℃下恒温结晶时主要形成了极性的正交相β晶型,呈典型的球晶结构晶体,以较疏松颗粒堆积形式存在,膜的致密度较低,电容达到30~45 pF,比未加Nizn铁氧体的单相PVDF膜提高了3~5倍;在100℃下恒温结晶主要形成非极性的单斜相α晶型,晶粒以二维生长为主,晶粒问紧密接触,膜较致密,电容为20~30 pF.而当恒温结晶温度较低(50℃)时,PVDF结晶较差,呈非晶相存在,电容为10~15 pF. 相似文献
48.
49.
用两步沉淀法低温合成了纯钙钛矿相锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)粉体,并利用差热分析测定了合成粉体的反应活化能,从动力学上研究了钙钛矿相PZT的形成机制.结果表明:两步沉淀法合成PZT粉体遵循连续反应机理,在热处理过程中,前驱体粉体在500 ℃处理后主要形成钙钛矿相,并伴有少量焦绿石相.经600 ℃煅烧后则完全转化为钙钛矿相.这是由于形成焦绿石相的反应活化能远大于焦绿石相转化为钙钛矿相的反应活化能,因此500℃处理后生成的少量焦绿石相在600 ℃处理后完全转化为钙钛矿相. 相似文献
50.
以TiCl4和NH3为原料,用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、紫外-可见光谱仪等研究了喷涂距离(输入TiCl4管道末端到基板之间的距离)对沉积的TiN薄膜的结晶性能和表面形貌,以及薄膜的电学性能和光学性能的影响.结果表明:当喷涂距离为5cm和10cm时,玻璃基板表面形成电阻较高、反射率较低的较疏松薄膜.当喷涂距离增加到13cm和15cm时,可以得到结晶良好、低电阻、高反射、致密的TiN薄膜.当喷涂距离进一步增加到20cm以上,得到的薄膜的电阻率随之升高而反射率下降.对喷涂距离对薄膜性能的影响机理进行了分析,认为喷涂距离的变化会影响扩散到达并吸附在基板表面的反应物分子数量比例,进而影响沉积薄膜的性能. 相似文献