肝脏肿瘤介入术后碘油异位脑栓塞（附报道２例并文献复习）

目的 探讨碘油脑栓塞（ｃｅｒｅｂｒａｌ ｌｉｐｉｏｄｏｌ ｅｍｂｏｌｉｓｍ,ＣＬＥ）的可能发生机制及预防措施。方法 通过回顾分析本治疗中心２例碘油脑栓塞患者的临床及影像学发现,检索国内外文献,归纳整理,总结其共性,探讨其发生机制及可能的预防措施。结果 肝脏介入术后碘油异位脑栓塞国内外共有报道１７例,资料较详细的为１５例,附带本文提供的２例病人,归纳总结了１７例患者,肿瘤位于肝顶部肿瘤１２例,其他部位肿瘤２例,另３例不详;其中巨块状肿瘤１５例,其他类型肿瘤２例。ＴＡＣＥ治疗１６例,经皮瘤内注药治疗１例。１１例碘油用量超过２０ ｍｌ。合并肺栓塞的１３例。１５未发现异常动静脉通路,２例发现异常动静脉通路。８例最终症状完全消失,６例症状部分缓解,３例死亡。结论 碘油用量过大、肺血窦开放或肺异常动静脉分流道形成可能与其有直接关系,近肝顶部巨大富血供肿瘤的多次介入治疗也可能是其潜在的危险因素。个体化控制碘油用量及评估病灶血供及异常动静脉通路,使用新型栓塞剂如已在临床开始使用的药物洗脱微粒可能会降低ＣＬＥ的发生率。     

通过4-磺基苯甲酸单钾盐抑制离子迁移以实现效率为22.7%的稳定钙钛矿太阳能电池（英文）

晶界处的深能级缺陷和严重的卤素离子迁移对进一步提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和效率以及消除迟滞现象提出了严峻的挑战.本文报道了一种大尺寸强配位的有机阴离子晶界锚定策略来抑制离子迁移并钝化薄膜缺陷.本策略通过将含有大尺寸有机阴离子的钾盐(4-磺基苯甲酸单钾盐, SAMS)加入到钙钛矿前驱液中来实现.研究表明,阴离子两端的C=O和/或S=O能够与未配位的Pb²⁺离子和/或卤化物空位之间发生强配位作用,阴离子中的–OH能够与甲脒阳离子形成氢键,以上化学作用使阴离子紧紧锚定在晶界处. SAMS不仅能够钝化浅能级缺陷,而且能够更有效地钝化深能级缺陷.该晶界锚定策略能降低钙钛矿薄膜的缺陷密度、延长载流子寿命和抑制离子迁移,提高电池的效率和稳定性以及消除迟滞效应.结果表明,基于SAMS改性的电池实现了22.7%的效率,而对照器件显示了20.3%的效率.未封装改性的器件在60℃加热老化1320小时后几乎没有发生衰减.     

SiC单晶片的超精密加工

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.     

GdCa4O（BO3）3晶体中由小角晶界导致的同步辐射形貌像漂移的观察和计算

采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差,我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文)

为改善宽面940nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光器的能带结构,结果表明新的激光器结构能够显著消除各异质结间的过渡势垒。通过低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法生长了高质量激光器外延材料。制成后的100μm条宽、2000μm腔长的激光器器件在室温25℃下经过连续(CW)电流测试发现,梯度渐变折射率结构激光器较分别限制结构激光器在10A电流下电压约低0.07V。通过结构与生长优化,激光器内吸收系数从0.52cm-1降至0.43cm-1,最大光电转换效率由69%提升至76%。最终制成的940nm半导体激光器器件室温25℃下输出功率10.0W(10A电流时),斜率效率高达1.24W/A。     

用二次电子线扫描法研究冲击断口的分形特点

一、前言自从Mandelbrot提出分形理论以来,分形已应用于金属断裂表面的定量分析,分形维数是金属断裂表面粗糙度的一种量度。根据最近的研究,确定分形维数的方法有以下几种:(1)切割小岛法;(2)垂直剖面法;(3)二次电子线扫描法。Huang等认为,二次电子产额对样品表面形状非常敏感,而与样品的原子序数无关。因此二次电子扫描线的像可以间接地反映断口表面的线粗糙度,并可用于分形研究。本文用二次电子线扫描法研究45号钢冲击断口的分形维数,以探索金属材料断口分形维数与韧性之间的对应关系。     

ErCa4O(BO3)3晶体的光谱分析

采用Czochralski法生长了均匀透明的ErCa4 O(BO3 ) 3 (简称ECOB)晶体 ,测量了其室温吸收谱 ,并与 0 1mol的ErCl3 溶液的室温吸收谱进行了比较。根据Judd Ofelt理论 ,拟合出唯像强度参数 :Ω2 =1 6 73× 10 -2 0 cm2 ,Ω4=1 35 6× 10 -2 0 cm2 ,Ω6=0 15 6× 10 -2 0 cm2 。计算了各能级的辐射跃迁几率 AJ,J′,振子强度fJ ,J′,辐射寿命τ,荧光分支比 βJ′ 等 ,并根据这些光学参量 ,讨论了该晶体的部分性能和应用前景     

物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究

晶体的生长原生面在一定程度上能反应出晶体生长机制和晶体缺陷分布的丰富信息。采用激光共聚焦显微镜偏光拼接技术和原子力显微镜对物理气相传输法生长的4H、6H-SiC单晶原生小面的表面形貌进行了观察和测试。偏光显微镜和原子力显微镜测试结果显示4H-SiC原生小面扩展后, 其周边趋向于形成六边形的生长台阶; 而6H-SiC原生小面扩展后, 其周边趋向于形成圆形的生长台阶。基于Jackson双层界面模型, 从热力学角度计算了4H、6H-SiC单晶的Jackson因子α分别为33.15和31.87, 故导致4H、6H-SiC单晶原生小面台阶形貌差异的是生长界面的粗糙程度和生长温度。原生面上的微管缺陷是生长台阶的起源, 借助原子力显微镜对多个微管进行了测试。由测试结果可知, 微管直径分布在760 nm-6.0 um之间, 相应的伯格斯矢量绝对值分布在5c~14c, 微管直径与伯格斯矢量平方值的商D/B²分布在11.1~23.6 nm^-1之间, 即通过原子力显微镜测试获得的微管结构数据不严格遵守Frank理论。     

深度域速度建模技术在南阳凹陷的应用研究

白秋地区位于南阳凹陷东南部,在构造特征上是一个被北东向断层切割并复杂化的鼻状构造,该区以寻找复杂断鼻、断块、断层+岩性复合油气藏以及隐蔽油气藏为主要勘探目标。由于断裂系统复杂,叠前时间偏移成像精度难以满足高精度勘探的要求,采用基于层析成像的速度建模方法以及克希霍夫积分法叠前深度偏移技术提高了白秋地区的地震成像精度。