导引头陀螺转速提取与补偿方法的研究

在导弹飞行试验中,对导引头陀螺转速的检测和补偿都是必要的.在无法直接获取陀螺转速的条件下,使用FFT方法分析陀螺磁钢旋转形成感应电动势的输出信号,从而提取陀螺转速和磁钢N极的相对位置,为实时检测陀螺转速并进行转速补偿提供了有效的方法.     

ZnGeP2多晶料合成与晶体生长

以99.999%的锌、锗和红磷为原料通过直接化合的方法合成ZnGeP2多晶料,采用布里奇曼法通过自发成核方式生长出尺寸为Ф7mm×25mm的ZnGeP2晶体.X射线粉末衍射实验表明合成的多晶料的成分是ZnGeP2,所获ZnGeP2晶体的结构属于四方晶系,空间群I42d.X射线摇摆曲线表明所得晶体完整性较好.用莫氏硬度计测得ZnGeP2晶体的莫氏硬度为6.5.测量了晶体的热重和差热曲线,证明在室温～800℃的范围内晶体热学性质稳定.     

Ce:KTP晶体的生长及其相干和频蓝光的产生

采用熔盐法生长了光学质量的 Ce:KTP晶体。透过曲线表明 ,Ce:KTP在紫外截止波段附近的吸收比普通 KTP低约 10 %。采用 KTP晶体的倍频以及 Ce:KTP和频的组合 ,利用 Nd:YAG激光器的 1.32μm单一输出线束作抽运 ,实现了 0 .4 4μm相干蓝光的有效发生 ,其总效率约为2 .5%。     

NdxY1-xAl3(BO3)4和NdxGd1-xAl3(BO3)4晶体中的孪晶结构

采用同步辐射形貌术结合化学腐蚀法,系统研究了ＮＹＡＢ和ＮＧＡＢ晶体中的孪晶结构。已经发现：ＮＹＡＢ晶体中的孪晶为反演孪晶,主晶和孪晶结构具有互为中心对称关系;而ＮＧＡＢ晶体中的孪晶为１８０°旋转孪晶,孪晶结构由主晶结构绕结构的三次对称轴旋转１８０°而成。     

Nb对2.25Cr-1Mo-0.25V钢埋弧焊熔敷金属组织和性能的影响

Nb是ASME标准要求的2.25Cr-1Mo-0.25V钢埋弧焊焊缝中必须添加的元素.Nb可提高焊缝的高温强度和抗蠕变强度,但Nb会降低焊缝的韧性.通过试验研究了不同Nb含量对熔敷金属组织和性能的影响.分析指出,Nb可细化熔敷金属晶粒并提高强度,但会使熔敷金属脆化,应对其含量加以控制.     

一种采用增益增强方法的CMOS全差分运算放大器

设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算放大器组成，可用于12位40MHz采样频率的流水线A／D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μm CMOS工艺中开环增益为112dB，单位增益带宽为494MHz。     

Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体, 并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征。结果表明, Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中, 且掺杂浓度达到2.52×10¹⁸/cm³, 伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏, 掺杂浓度逐渐降低; 生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化, 并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现, 生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多, 位错密度增加, 掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数, 这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度, 并改善器件的性能。     

SiPM电子学模型的建立与参数提取

以SPAD等效电路为基础建立了简单实用的SiPM的电子学模型,对模型中各电学参数及其对器件性能的影响进行了详细探讨,并以日本滨松公司的MPPC器件为例介绍了模型参数的提取方法。该电子学模型可应用于SiPM器件性能优化和前端电子学设计。     

独柱墩曲线梁桥抗倾覆稳定性分析研究

结合曲线梁桥弯扭耦合特性,对曲线梁桥的不同支撑布置型式及其受力特性进行了探讨。对独柱墩曲线梁桥的倾覆机理、失效模式及影响因素进行了详细的研究,总结出提高独柱墩曲线梁桥抗倾覆稳定的方法,包括对车辆荷载的研究与管控、优化点铰支撑布置、设置横向稳定构造、开展运维状态支座反力监测等,以提高桥梁的稳定性与安全性。