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101.
通信业对直流开关电源的要求有两点:一是给负载提供稳定、高效的直流电源;二是具有对电池进行高效的维护功能。各个厂家的电源监控器的功能设置虽然不同,但不外乎浮充、温度补偿、均充、快充和限流。过去在开关电源的使用中,由于电池的好坏没有明显的标记,日常维护工作中很容易忽视。近几年来,我国大部分地区的大面积停电,造成了通信基站停电后电池放电,出现了很多由于电池维护不当造成的损失。 相似文献
102.
以自蔓延高温合成技术(SHS)为基础,采用自反应淬熄法研究TiO2+蔗糖,TiO2+蔗糖+Al两种体系下空心陶瓷微珠的反应生成情况。以SEM、XRD、EDS为手段分别测试所得产物的形貌、主要相组成以及微区成分组成。结果表明:TiO2+蔗糖体系所得产物由不规则的块状物质与表面凹凸不平的类球形物质组成;TiO2+蔗糖+Al体系熔射产物全部由表面光滑的球形颗粒组成。球形颗粒为空心结构,主要组成为Al2O3-TiC复相和少量的铝钛合金、AlN以及Ti(C,N)。Al的加入大大改善了空心微珠的生成。 相似文献
103.
针对相位敏感光时域反射计(Φ-OTDR)信号处理复杂、计算量大、实时性要求高的特点,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)异构加速计算技术的Φ-OTDR实时信号处理系统。对外差探测式Φ-OTDR信号处理流程进行分析与分解,提出基于FPGA的滑动窗数据帧分割、多通道并行快速傅里叶变换(FFT)计算、频域滤波、短时能量求和等一系列加速计算方法。该系统最终实现在40 km光纤传感距离、2 kHz重复频率与1 m采样间隔下的长时间、实时扰动信号解调与显示,并且具有80%的帧重叠率。该FPGA系统作为异构加速器,能够减轻计算机数据处理压力,保证传感系统高重复频率下的运算实时性,为系统可靠性和稳定性提供了有效保障。 相似文献
104.
105.
IPTV信号监测设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
监测系统是确保广播电视安全播出的重要环节,随着IPTV进程的加速推进,三网融合试点方案明确了广电主管部门对网络信息安全和文化安全的监管要求.介绍了IPTV信号在集成播控平台和广电监管部门如何进行获取与监测的设计方式和功能应用. 相似文献
106.
针对低快拍情况下自适应波束形成器输出方向图存在主峰偏移,副瓣电平较高的问题,该文提出一种低快拍情况下稳健的波束形成算法。算法通过对线性约束最小方差(LCMV)波束形成器的输入信号协方差矩阵进行指数修正,改善了采用协方差矩阵求逆(SMI)算法的LCMV波束形成器输入信号协方差矩阵小特征值在低快拍情况下的发散程度,从而可在减小主峰偏移的同时,有效地解决副瓣电平较高的问题;最后通过分析波束形成器输出信干噪比(SINR)随修正指数变化的情况,给出算法修正指数的取值范围。计算机仿真结果验证了该算法的有效性和优越性。 相似文献
107.
针对10Gbps高速SerDes发送端信号完整性问题,本文对关键模块进行优化设计,包括高速串行器、前馈均衡电路(Feed-Forward Equalizer, FFE)、电流数模转换器(Current Digital Analog Converter, IDAC)控制电路等。为降低时钟性能的要求,对传统电流模逻辑(Current Mode Logic, CML)串行器进行改进,通过调整时钟占空比的方法,设计四分之一速率的串行器,并依次更替控制输入数据的等相位差时钟,可以得到FFE所需的多路延迟数据。为了均衡由于信道的各种非理想因素产生的信号频率上的衰减,采用IDAC控制抽头系数的三抽头前馈均衡器对线路衰减进行均衡,提出使用MATLAB对信道衰减进行建模,并以此来设计滤波器的方法,快速简便确定抽头系数,将抽头系数映射到IDAC的不同控制位从而获得针对不同信道衰减的FFE。最终,设计基于TSMC 28nm CMOS工艺实现。仿真结果显示数据传输达10Gbps时高速串行器逻辑正常,数据眼图良好,输出抖动在0.09UI,满足高速背板通信电路的标准。 相似文献
108.
109.
针对视频背景建模和运动目标检测,本文提出一种基于分块模型更新的单高斯背景建模方法。新方法将视频图像划分为多个区块,并对块内的像素进行统一建模,以替代传统方法中对单像素点的建模。由于块像素的平均更符合高斯分布特性,有利于发挥单高斯建模方法的优势,因此增强了算法应对复杂背景的能力,同时分块建模也有效降低了算法复杂性。针对破碎团块的合并问题,本文提出一种“比对就近”的策略,将相隔距离在设定阈值内的团块合并为一个目标。实验结果验证了本文所提方法的有效性。 相似文献
110.
Transparent indium-doped cadmium oxide(In-CdO) thin films were deposited on quartz glass substrates by pulsed laser deposition(PLD) from an ablating Cd-In metallic target.The effect of substrate temperature on the structural,optical and electrical properties of In-doped CdO thin films were studied in detail.The optical transmittance of In doped CdO films are obviously influenced by the substrate temperature.All films exhibit a transmittance higher than 75%in the visible region.More significantly,In-doping leads to an evident widening of optical band gap from 2.56 to 2.91 eV;and the increase in optical band gap is found to depend on the deposition temperature.It is also seen that the electrical properties of these films strongly depend on the substrate temperature. The In-CdO thin film grown at 300℃has low resistivity(1.15×10-4Ω·cm),high carrier concentration(5.35×1020 cm-3),and high mobility(101.43 cm2/(V·s)). 相似文献