全文获取类型
收费全文 | 55篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 3篇 |
专业分类
综合类 | 8篇 |
化学工业 | 6篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 3篇 |
建筑科学 | 6篇 |
轻工业 | 12篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 4篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
冶金工业 | 2篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 8篇 |
出版年
2022年 | 2篇 |
2021年 | 3篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 2篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1961年 | 1篇 |
排序方式: 共有63条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
利用圆柱型的熟肉为实验材料,通过实验验证了真空冷却过程中水分迁移的数学模型。结果发现:产品在70min内从70℃被冷却到5℃。当真空冷却结束时,产品中心和表面的实验温度分别是7.01。c和3.98℃,对应的产品的中心和表面的模拟温度分别是6.97℃和3.78℃。真空冷却实验过程中,产品的平均水分含量从72.60%降到61.03%。模拟过程中,产品的平均水分含量从71.00%降低到62.37%。模拟结果显示真空冷却的质量损失为8.63%,然而实验过程中真空冷却的质量损失为11.57%,其偏差在3%左右。模拟结果与实验结果基本一致,建立的数学模型能够正确地预测真空冷却过程中温度、压力和水分含量的变化过程。 相似文献
52.
井间示踪剂技术用于三元试验区 总被引:1,自引:1,他引:0
1.井间示踪剂技术现场测试及分析。(1)基本原理。井间示踪技术的基本原理是参照测试井组的有关动静态资料,设计测试方案,选择、制备合适的示踪剂,在测试井组的注入井中投加示踪剂,按照制定的取样制度,在周围生产井中取样、制样,在实验室进行示踪剂分析,获取样品中的示踪剂含量。建立测试井组的地质模型,将测试井组的示踪剂采出曲线和动静态资料等相关资料输入计算机,通过拟合计算和分析,最终得到注入流体的运动方向、推进速度、波及情况、储层非均质性以及剩余油饱和度等信息。 相似文献
53.
54.
为明确Ag含量对CrN-Ag纳米复合薄膜组织、摩擦学性能和耐腐蚀性能的影响规律,利用多靶反应磁控溅射技术制备CrN及CrN掺Ag纳米复合薄膜,并采用扫描电子显微镜结合能谱仪(SEM-EDS)、X射线衍射仪(XRD),球-盘摩擦试验机和电化学工作站对2种薄膜的微观组织、摩擦学行为和电化学腐蚀行为进行表征。结果表明:少量Ag元素(9.19%,原子分数,下同)的添加可以提高CrN-Ag纳米复合薄膜的致密度,而过量Ag元素的掺杂(29.58%)则会造成薄膜结构疏松,且引起Ag颗粒在表面富集。复合薄膜的摩擦系数随着Ag含量的增加而降低,高Ag含量(29.58%)薄膜的摩擦系数在摩擦时间为100 s内时低至0.40,而磨损率则随着Ag含量的增加表现出先降低后升高的趋势。CrN-Ag(L)复合薄膜的磨损率低至2.25×10-6 mm3/(N·m),相比于未添加Ag的CrN薄膜,磨损率下降了64.9%。由电化学分析可知,低含量的Ag可增强CrN-Ag(L)复合薄膜的耐腐蚀性能,而过量的Ag则会造成CrN-Ag(H)薄膜耐腐蚀性的显著下降。 相似文献
55.
均相沉淀法制备氧化镍纳米线 总被引:3,自引:2,他引:3
以尿素、硫酸镍为原料,用均相沉淀法制备了氧化镍纳米线,并通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)及红外光谱等测试手段对所得产物的组成和形貌进行了研究.TEM结果表明,所得产物为多晶氧化镍纳米线,直径和长度分别为5~15 nm和250~350 nm.通过对前驱体产物在不同温度下煅烧,发现纳米线在600℃分解为颗粒.作为比较,以尿素为沉淀剂,用水热法制得氧化镍纳米粉体,结果得到球形和排列整齐的棒状两种形态. 相似文献
56.
57.
Cu掺杂对氧化锡纳米晶结构、形貌及其光学性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
以无机盐SnCl2 为原料 ,通过形成配合物前躯体制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶 .XRD表明两纳米晶体系均为金红石相SnO2 .通过对两纳米晶体系的TEM HRTEM微结构分析 ,发现掺杂体系的粒径有明显降低 ,而且颗粒边界也较未掺杂体系清晰 .通过对两纳米晶体系的紫外图谱的研究 ,发现Cu掺杂后SnO2 纳米晶的吸收带边发生红移 .且铜离子掺杂后导致体系的UV图谱中出现两激子峰 相似文献
58.
59.