浅谈英汉翻译中词的转译

词类的转译是英汉翻译的基本方法和技巧之一。由于汉语分属不同的两各种语系,在多数情况下,英译汉时,原和译在词汇上不以一一对应。为了使译符合汉语的表达习惯,翻译时,就需要进行英语和汉语之间的词类转译。本将通过实例介绍词类转译中常见的一种情况－英语的名词转译成汉语的动词。     

单晶铱取向有关的拉伸变形行为的原子尺度模拟

单晶铱与其它面心立方金属相比表现出反常的变形行为,其本征变形断裂机制仍存在争议。本文进行分子动力学模拟研究了单晶铱在1K下沿[100]、[110]和[111]取向的拉伸变形行为。研究结果表明:单晶铱在3个取向应力-应变曲线上的变形行为差异明显。由于变形机制不同,包括弹性模量、屈服强度、抗拉强度以及延伸率在内的力学性能在几个拉伸取向上或多或少存在差异。在拉伸载荷作用下,[100]取向单晶铱变形主要通过位错滑移还有少量空位聚集;[110]取向的塑性变形由堆垛层错引起;而[111]取向单晶铱断裂前产生的塑性变形量很少。     

真空热压烧结SiC_p/Al复合材料的界面元素扩散及增强断裂机理

采用真空热压粉末冶金烧结工艺制备了含SiC颗粒体积分数分别为 5 %、15 %和 2 5 %的SiC颗粒增强铝基复合材料 ,结合其力学性能、扫描电镜和界面微区能谱分析结果 ,分析了SiC/Al复合材料的真空烧结过程中的界面现象 ,以及材料增强和断裂机理。结果表明 ,真空烧结过程中出现了界面反应 ,改善了界面结合强度 ,断裂破坏主要在基体上进行。随着SiC粒子体积分数的增加 ,SiCp/Al复合材料的抗拉强度增加 ,弹性模量显著增加 ,延伸率降低 ,材料脆性增加。     

A357合金低压铸造过程及性能研究

采用低压铸造方法对A357合金的充型过程以及铸件微观组织和力学性能进行了研究。结果表明：当充型压力低于30kPa时，随着充型压力增大可以得到表面质量较优的铸件；达到30kPa以上时，就出现粘砂、夹杂、气孔等缺陷。低压铸造有利于优化组织，提高铸件的力学性能。     

基于纹影法的温度场分布测量方法

为了实现对轴对称的温度场分布进行定量测量,提出了一种新颖的以纹影技术为基础的温度场分布测量方法.该方法分析了温度场分布定量测量的原理和Abel逆变换原理,得到了相应的计算公式,并在光学实验平台上搭建了透射式纹影系统用于轴对称温度场分布测量,进一步将纹影仪的测量值与热电偶的测量值进行对比,最大测量误差为5％.实验结果表明,纹影仪测温法与热电偶测温法具有较好的一致性,纹影法可有效地实现轴对称温度场分布测量.     

硫转移剂在催化裂化装置中的运用

通过分析催化裂化装置中硫分布的影响因素和SOx的转移机理，介绍了国内外硫转移剂的应用和研究情况。最后结合我厂的实际情况提出了一些建议。     

浅谈点型火焰探测器的特性、选型和应用

介绍了火焰探测技术的原理和特性，对各类点型火焰探测器的优点和局限性作了详细阐述，并就点型火焰探测器在选择和应用中需要注意的问题作了分析。     

原位合成Ti_2 AlN/TiAl复合材料900°C时效过程中的组织演化及氮化物沉淀相析出(英文)

对原位合成Ti2AlN/TiAl复合材料在原位合成及时效热处理条件下的显微组织特征进行分析,并对Ti2AlN/TiAl复合材料进行1400°C,0.5 h固溶及900°C,24 h时效热处理,研究其氮化物沉淀析出。结果表明,原位合成复合材料的显微组织由γ+α2片层团、等轴γ晶粒和Ti2AlN增强相组成。经固溶和时效处理后,获得近全片层基体结构。随着Ti2AlN含量的增加,基体近全片层结构变得不稳定。对时效后的复合材料进行TEM研究,发现在片层团晶粒边界上分布着细小的Ti2AlN沉淀相。在γ-TiAl基体内,针状Ti3AlN沉淀相以其轴向平行于基体[001]方向排列,而另一种具有较大尺寸的Ti3AlN沉淀相则在位错处沉淀析出。     

TiAl合金冷却相变研究进展及细晶组织调控

TiAl合金是目前航空航天轻质高温结构的热点材料,其最终显微组织很大程度上决定于其冷却过程。由于TiAl合金相图和相变的复杂性,通过冷却过程控制,获得细晶组织结构成为关注的重要问题。综述了TiAl合金冷却相变的研究成果,并给出了关于Ti-48Al-4Nb-2Cr合金相关的进展:首先介绍了TiAl合金的凝固路径与相变行为,然后分别分析了连续冷却转变(CCT)和等温冷却转变(TTT)行为。进一步建立了Ti-48Al-4Nb-2Cr合金CCT图,并指导获得了一种细晶近片层组织。     

快速凝固高硅铝合金粉末中值直径d50对硅粒子尺寸的影响

研究了气体雾化高硅铝合金粉末的中值直径d50与硅粒子尺寸的关系,并用传热学分析了这一现象.结果表明,粉末中值直径d50与硅粒子细化有密切的关系,存在一定的规律,并认为当d50＜50μm时,硅粒子尺寸＜3μm.