首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   93篇
  免费   5篇
  国内免费   14篇
电工技术   3篇
综合类   7篇
化学工业   7篇
机械仪表   4篇
建筑科学   6篇
矿业工程   7篇
能源动力   1篇
轻工业   24篇
石油天然气   2篇
武器工业   1篇
无线电   21篇
一般工业技术   8篇
冶金工业   7篇
原子能技术   1篇
自动化技术   13篇
  2023年   9篇
  2022年   3篇
  2021年   6篇
  2020年   3篇
  2019年   4篇
  2017年   2篇
  2016年   4篇
  2015年   4篇
  2014年   7篇
  2013年   4篇
  2012年   16篇
  2011年   7篇
  2010年   2篇
  2009年   4篇
  2008年   6篇
  2007年   3篇
  2006年   2篇
  2005年   1篇
  2004年   7篇
  2003年   5篇
  2002年   4篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1998年   1篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1991年   2篇
排序方式: 共有112条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
1、引言随着经济的快速发展,我国制鞋行业也取得了长足的进步,开始从制鞋大国向制鞋强国转变。但从儿童及婴幼儿鞋(以下简称童鞋)产品的现状来看,质量状况并不令人乐观,笔者多次参加国家童鞋产品质量监督抽查工作,对我国童鞋产品质量和相关生产企业状况有较深入的了解。针对行业存在的问题,我们结合工作实践提出自己的看法,供行业同仁参考。2、我国童鞋行业发展概况进入21世纪以来,我国进入了第三次生育高峰期,目前我国有0到16岁的儿童约3.8亿,且每年新生儿的出生率  相似文献   
52.
2010年中央一号文件首次提出了“新生代农民工”的概念,体现出中央对约占农民工总数60%的80后、90后农民工的高度关注。新生代农民工渴望融入城市生活、城市社会,而城市却还没有做好接纳他们的准备。  相似文献   
53.
讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率.通过分析电流拥挤效应,阈值电压随沟道宽度的变化,速度饱和区特征长度的变化和HALO结构串联阻抗这些可能原因,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的.  相似文献   
54.
在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.  相似文献   
55.
目的 以开展优质护理服务为契机,打破绩效平均主义,实现多劳多得,优劳优得,提高护理质量和患者的满意度.方法在全科护理人员中通过调研、民主讨论,开展护理分值绩效考核管理.结果通过开展护理绩效考核管理,护士工作积极主动,服务态度明显提高,患者、医生,以及其他配合人员对本科护理工作满意.结论分值绩效考核管理有利于充分调动护士的工作积极性,提高护理管理效能.  相似文献   
56.
从生产现场分离得到l株具有产己酸乙酯脂肪酶能力的红曲霉(Monascus purpureus)I518,对其产脂肪酶条件进行了初步优化.结果表明,该菌株较理想的产酶发酵条件为:麸皮∶豆粕=2∶3、接种量20%、培养基初始pH值为7、培养温度为32℃、培养时间为5d,该条件下所产的粗酶制剂所催化的香酯液中己酸乙酯的含量达0.38 mg/mL,比未优化条件有明显增加.  相似文献   
57.
张哲  生莹  胡靖 《计量技术》2013,(11):62-63
对玻璃液体温度计刻线遮挡引入的不确定度做了定量实验,其影响量为温度计分度值的2/10~3/10.改进检定实验方法可避免这种影响.  相似文献   
58.
10Gbit/sAPD/TIA探测器组件的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用.文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进行了全面的测试,并对测试结果进行了分析.  相似文献   
59.
赵要  胡靖  许铭真  谭长华 《半导体学报》2004,25(9):1097-1103
研究了热载流子应力下栅厚为2 .1nm ,栅长为0 .135μm的p MOSFET中HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HAL O掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HAL O掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.  相似文献   
60.
对于传统的非局部均值(NLM)算法,方形搜索窗口会将大量低相似度的图像块引入去噪图像的加权平均计算过程中,导致去噪图像的细节轮廓变得模糊.针对此问题,提出了利用控制核函数来获取椭圆窗口和图像块参数的自适应NLM算法.首先,根据图像的局部梯度信息和结构张量获得可描述图像局部边缘结构的椭圆方程,并由此确定搜索窗口的形状,从而将搜索窗口的搜索范围限制在与图像局部结构相一致的区域内;然后采用控制核函数获得和搜索窗口形状一致的椭圆形图像块,并结合平滑参数自适应的思想进一步增强算法效果.通过在不同噪声等级的经典灰度图中进行实验,实验结果表明,该算法相比于传统NLM算法和参数自适应的NLM算法,在客观的图像评价指标上,有着更高的PSNR和SSIM值;而在主观视觉上,随着噪声等级的提升,该算法在抑制噪声的同时,能够更好地保留住图像的高频纹理信息.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号