复合聚全氟乙丙烯材料的介电及高频击穿性能研究

在聚全氟乙丙烯(FEP)中添加 TiO_2和 Al_2O_3,通过热压成型的方法制备了 FEP/TiO_2复合材料和 FEP/Al_2O_3复合材料,研究了氧化物添加量对复合材料介电常数、介电损耗和高频击穿性能的影响。结果表明,随氧化物含量的增加,复合材料的介电常数和介电损耗均增加;在同一添加量下,TiO_2对复合体系的介电性能影响较大。FEP/TiO_2复合材料的高频击穿性能随 TiO_2含量的增加而下降,在 TiO_2含量为4.0%(质量分数,下同)时,复合材料的损伤阈值已降为 FEP 材料损伤阈值的48.9 %。而 FEP/Al_2O_3复合材料的高频击穿性能随 Al_2O_3含量的增加而升高,当 Al_2O_3含量为1.2%时,复合材料的损伤阈值已增大到 FEP 材料损伤阈值的2倍,达到313 J/m~2。     

粉砂压裂技术在马厂油田的试验研究

粉砂压裂技术是在向地层打前置液时加入一定量的粉砂，再加携砂液，使粉砂在微裂缝中起到支撑及通道作用。粉砂压裂技术在东濮凹陷马厂油田2口井进行储层压裂引效试验，取得了良好效果，为马厂油田整体压裂改造及同类油藏提高低孔、低渗油层的水驱动用程度提供了有益经验。     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

CMOS微处理器的功耗特性及其功耗控制原理和应用

CMOS微处理器的功耗特性,几种常用的CMOS微处理器的功耗控制原理和应用方法。     

排列互比法用于超精测角的研究

作者分析了我互比法现行的两种数据处理方法的缺点，提出了应用最小二乘法原理推导出合理的数据处理方法。本文还首次从理论上阐明了排列互比法测量结果中出现一次谐波系统误差的原因，提出了减少和消除这一些系统误差的方法，并给实验验证。     

丙烯腈催化剂的热分析研究

用热分析的方法对丙烯氨氧化制丙烯腈的催化剂进行了研究，在热天平上采用程序升温还原和程序升温氧化，测出催化剂主要活性组分氧化相的含量，并且考察了在失活催化剂上有无价价氧化物的存在。     

脱苯工艺的节能改造

焦化厂富油脱苯工艺中，管式炉法较蒸汽法节能。本溪钢铁公司焦化厂产焦１８０万ｔ／ａ的装置，其富油脱苯工艺由蒸汽法改为管式炉法后，每年可节煤７０００ｔ。