首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16篇
  免费   0篇
建筑科学   1篇
轻工业   1篇
无线电   10篇
一般工业技术   4篇
  2009年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  1998年   1篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
  1991年   3篇
  1989年   4篇
排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
Jastr.  L 莫铭 《微电子学》1991,21(1):53-61
外延侧向附晶生长(ELO)技术是在单晶硅上面的氧化岛的边缘引晶并在氧化层上附晶生长CVD硅来形成SOI层; ELO技术用常规的外延反应炉来生长外延硅;与别的SOI方法相比,这种SOI膜的缺陷密度低而且支承ELO硅的片子不发生曲翘变形;SOI/ELO膜的电学特性,诸如迁移率和寿命,与在同样反应炉中生长的同质外延层的电学特性类似;文中讨论了与ELO和选择外延生长(SEG)相关的问题;我们将介绍缺陷结构、生长速率与图形几何尺寸的关系和附晶生长速率方面的现况,我们还将讨论ELO/SEG膜的电学特性,特别是(用CVD附晶生长形成的)SiO_2/Si界面特性;文中将描述获得在硅膜下有连续氧化层的SOI膜所用的工艺,还将讨论制备这些薄层的潜力和所面临的问题。  相似文献   
12.
Tan  KS 莫铭 《微电子学》1991,21(3):36-44
本文描述了克服可能影响电荷再分布模-数转换器(ADC)精度的几种误差机制的误差校正技术;用校正电路和自校准算法来提高微分ADC的共模抑制;改进后的技术用于自校准电容器比率误差而获得更高的线性度;采用平方电压系数(QVC)自校正方法,把由于电容器的电压依赖关系引起的ADC的剩余误差减至最小;最后,用有数字误差校正线路的双比较器拓扑来避免由于比较器阈值滞后而引起的误差;用这些技术设计的全微分电荷再分布ADC,已用金属-多晶硅化物电容器的5V1μmCMOS工艺制作出来;逐次近似转换精度达到16位,在200kHz速率下转换时,其共模抑制大于90dB。  相似文献   
13.
说到标准化,人们会想到工业品。不过,随着农业由传统自然经济向大规模的商品经济转化,农业从生产的工艺流程到最终产品,也都需要标准化。标准化将不仅是农业现代化的重要特征,也是发展高产优质高效农业的需要,它是现代农业发展的方向。  相似文献   
14.
莫铭 《世界标准信息》2005,(10):155-159
选择“企业”,是因为企业已成为标准的主要制定者;选择“标准”,是因为标准是技术的升华、利益的载体;之所以选择“国际标准”,是因为2005年后国内信息产品的关税壁垒轰然无存时,拥有自主知识产权的国际标准将是我们进攻与防守的主要武器。  相似文献   
15.
莫铭 《餐饮世界》2009,(4):48-49
河豚鱼在我国分布有40余种,由于河豚味道鲜美,营养丰富,是经济价值很高的名贵鱼类,一直为日本、韩国和中国人所青睐,成为我国北方海水养殖的首选和出口创汇的优势水产品。仅在环渤海湾一带,就有2.3万渔民的生存与红鳍东方纯产业息息相关。  相似文献   
16.
编者按:中国是一个涂料生产大国,全国有8200多家涂料生产企业,中国同时也是一个涂料小国,不但在全球50家最大涂料企业榜上无名,而且国内中高档涂料市场也几乎全部为国外产品所垄断.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号