高能同步辐射光源(HEPS)氦低温传输系统模拟与计算

使用EcosimPro商业软件和关联式编程两种方法,对HEPS氦低温传输系统进行了模拟和计算,研究了管道内径和管道粗糙度对管道压降的影响。结果表明流动压降随着管道内径的增大而减小,但降低的幅度越来越小,当管道直径从30.8 mm提高至56.8 mm,压降仅降低了约510 Pa;流动压降随粗糙度的增加而增加,但管径越大压降增加越小,当管径为30.8 mm时,选用电抛光管压降下降了954 Pa;管道的漏热量和降温复温时间随管径的增大而提升。通过计算分析最终选择主干来流管道公称直径为DN25,内径为30.8 mm的普通金属管,分支来流管道公称直径为DN10,内径为14.6 mm的普通金属管,主干回流管道公称直径为DN50,内径为56.8 mm的普通金属管,分支回气管道公称直径为DN20,内径为23.8 mm的普通金属管,满足工程需求。     

改进的（S）-3，3’-二（吡咯烷甲基）-八氢联萘酚合成方法

（S）-3,3’-二（吡咯烷甲基）-八氢联萘酚可广泛应用于不对称催化反应和手性分子识别,但其合成方法仍有待改进。以（S）-联萘酚为原料,通过环境友好的两步反应在乙醇溶剂中合成了（S）-3,3’-二（吡咯烷甲基）-八氢联萘酚。在（S）-联萘酚的氢化反应中,研究了钯的负载量及其回收套用,发现在质量分数1%~5%（钯净含量占原料）的钯炭催化剂的作用下,反应收率均几乎定量,但所需反应时间不同。在类曼尼希反应中,开发了改进的合成方法,不仅溶剂更为绿色,而且后处理方法更为简单、高效和省时,产品收率高达97.9%。     

变面积临界流文丘里喷嘴特性研究

针对目前气体流量计量领域临界流文丘里喷嘴临界流量不可调节或调节困难的情况,提出一种喉部过流面积可调节的变面积临界流喷嘴.通过结构分析、建模计算、流体力学Fluent仿真等方式,对棒状节流体、锥状节流体、台锥状节流体三种不同调节方式进行研究分析.结果表明:采用三种不同节流体的变面积临界流文丘里喷嘴均能实现临界流流量的调节,在背压比小于最大允许背压比后,流量保持一稳定值,基本不变.建模计算得到的理论值与Fluent仿真到的数据较为符合.     

我国建筑企业资金管控模式的现状分析及控制选择

由于我国国内经济的发展形势受到复杂国际环境的影响，企业管理面临着各种问题和挑战，尤其是建筑企业，面临资金需求变动加大，资金管控难度增加、工程款拖欠严重、资金分散程度高等各种资金管理问题。为解决企业经济困难，提高企业竞争力，本文主要探讨了建筑企业资金管控模式的控制方法，提高了资金运行能力。     

轿车侧围零件冲压开裂网格应变分析

网格应变测量系统是专用于测量汽车车身用钢在冲压过程中变形的分析设备.以某国产轿车侧围零件为例,选择ARGUS网格应变测量系统为工具,通过网格应变分析,找到了冲压开裂的原因,并从模具和材料两个方面提出了优化方案,在实际生产中得到了较好地验证.     

超导腔2K垂直测试低温恒温器的设计

基于中国近年来超导腔的研究及发展趋势,设计了一种新型超导腔2K垂直测试低温恒温器,该恒温器集外真空容器、80 K液氮冷屏、液氦低温杜瓦、2K回冷换热器、J-T阀门以及低温分配与传输为一体.利用恒温器内部回冷提高2K超流氦的产生效率,并且使得相分离器的回流冷量得到充分利用,以最大限度减少2K温度的低温热负荷.     

Ultra-low specific on-resistance SOI double-gate trench-type MOSFET

An ultra-low specific on-resistance(R_on,sp) silicon-on-insulator（SOI） double-gate trench-type MOSFET （DG trench MOSFET） is proposed.The MOSFET features double gates and an oxide trench:the oxide trench is in the drift region,one trench gate is inset in the oxide trench and one trench gate is extended into the buried oxide.Firstly,the double gates reduce R_on,sp by forming dual conduction channels.Secondly,the oxide trench not only folds the drift region,but also modulates the electric field,thereby reducing device pitch and increasing the breakdown voltage（BV）.A BV of 93 V and a R_on,sp of 51.8 mΩ·mm² is obtained for a DG trench MOSFET with a 3μm half-cell pitch.Compared with a single-gate SOI MOSFET（SG MOSFET） and a single-gate SOI MOSFET with an oxide trench（SG trench MOSFET）,the R_on,sp of the DG trench MOSFET decreases by 63.3%and 33.8% at the same BV,respectively.     

C-ADS主加速器系统CM4低温恒温器的热负荷分析

为了优化CM4低温恒温器的结构型式,本文对低温恒温器热负荷来源进行了研究,包括低温绝热支撑(POST)、电流引线、高功率耦合器的热传导,80K冷屏的热辐射,超导腔、高功率耦合器的动态热负荷等。研究结果表明,CM4低温恒温器满足低热负荷的要求,为下一步低温恒温器的优化及运行调试提供了理论基础。     

低温温度计标定系统的研究

研制了一套适用的低温温度计标定系统,并用比较分度方法对铑铁温度计进行标定,其标定精度满足了中性束注入系统的技术诊断要求.     

两相射流泵供液下的平板速冻实验研究

为了验证两相射流泵在商用平板速冻机中应用的可行性,根据射流泵用作节流装置时可以回收制冷剂的膨胀功实现蒸发器倍量供液的基本原理,研究了射流泵供液的平板速冻机在25、30、35和40℃4个冷凝温度下的性能。实验结果表明:射流泵可以适应新型制冷剂R507并且可应用于1.3 t/批商用平板速冻机;平板速冻机的性能随着冷凝温度的升高先上升后下降。当冷凝温度为35℃时性能最佳,此时射流泵的引射系数比25℃时提升42.5%,比40℃时提升36.8%,而平板速冻机比使用热力膨胀阀供液时的冻结速率快7.7%,节约能耗7.4%。