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文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。 相似文献
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研究了用注 F工艺制作的短沟 MOSFET的热载流子效应。实验结果表明 ,在栅介质中注入适量的 F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化。分析讨论了 F的抗热载流子损伤的机理 相似文献
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薄栅氮化物的击穿特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果 相似文献
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在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。 相似文献
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中国宽带业务的发展面临诸多问题:内容建设严重滞后于网络建设、缺少盈利的“杀手”业务、服务水平尚未达到宽带需求、恶性竞争产生网络泡沫以及产业环境尚不完善等。要想改善现状,宽带接入建设应采取下列措施:借助政府力量、联合社会力量、准确定位市场、丰富接入手段以及加强技术培训等。 相似文献
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信息产业部最新公布的《电子信息产业经济运行情况》表明,尽管电子信息产业依然是我国第一大支柱产业,但是在今年1~5月,全行业经济运行增速持续放缓,其中,全行业固定资产投资增速明显下滑。但在并非增长的市场环境中 相似文献
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对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. 相似文献