上海EBIT装置的机械准直

采用准直望远镜对上海电子束离子阱(EBIT)装置进行机械准直,制定了合理的准直方案,设计了高精度的机械调节机构和良好的准直工艺,并进行了试验.通过准直,各组件的位置精度均达到设计指标,目前上海EBIT可以稳定运行在高压100keV和束流110mA的条件下.     

SSRF储存环高频屏蔽波纹管的研制

建造中的上海光源即上海同步辐射装置(SSRF)储存环将采用内装高频屏蔽机构的波纹管——高频屏蔽波纹管。SSRF采用了由接触指和弹簧指构成的双指型屏蔽机构。屏蔽机构的关键设计参数是由SSRF壁电流和壁电场所决定的指间接触力和高次模决定的相邻接触指间的缝隙宽度和长度。对高频屏蔽波纹管进行了热测试和阻抗测试。测试结果表明,接触力、缝隙和阻抗都适合SSRF的实际运行条件。     

GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制

研制了一套由导入室、制备室和储藏室组成的三室Load-Lock超高真空GaAs光阴极制备装置,用于中国科学院高能物理研究所自主研制的500 kV光阴极直流高压电子枪系统。在本装置中,采用溅射离子泵和非蒸散型吸气剂泵的复合方式来获取超高真空,并通过磁力杆完成光阴极在各个真空室之间的传送和取放。真空测试结果显示,用钛金属材料制作的储藏室的极限真空达到3.1×10-10Pa,用不锈钢316L材料制作的制备室和导入室的极限真空分别达到4×10-9Pa和3.6×10-8Pa,三个真空室的真空指标优于设计要求。     

上海电子束离子阱低温超导磁体系统的研制

介绍了上海电子束离子阱(Electron beam ion trap,EBIT)装置低温超导磁体系统的研制过程和测试结果.超导磁体由一对上下布置的Helmholtz线圈组成,中心最大磁场强度可达5.3 T,两线圈的峰值磁场偏差小于3×10-4 T,在中心轴线上±10mm内磁场均匀度好于2×10-4,磁场衰减率在8 h内小于1×10-4.低温系统采用双冷屏结构,通过二级G-M制冷机冷却冷屏来降低液氦的蒸发量.系统液氦灌注达到平衡后,液氦的平均蒸发量为1.1 L/h,基本满足了用户的要求.     

上海EBIT装置微量气体注入系统的研制

本文介绍了上海电子束离子阱(EBIT)装置微量气体注入系统的成功研制。文中阐述了该系统的总体设计,并运用Maxwellian速度分布理论及几何光学模型描述和分析了整个注入过程,重点计算了注气效率和中心漂移管处分子密度。现已投入运行,实验证明达到了设计指标,满足了实验使用要求。     

SSRF光子吸收器的研制

用于SSRF的水平和垂直两种光子吸收器已研制成功。光子吸收器既要吸收高功率负载和高功率密度的废弃的同步辐射 ,又要准直引出的光束 ,并受到严重的空间限制。设计仔细考虑了吸收器的结构形状、吸收面上同步辐射功率密度的稀释、吸收体和冷却水的热输运以及吸收体内的热应力及其寿命等问题。用经典热力学公式和ANSYS程序对吸收体进行了热计算。采用了数控机加工、电火花刻蚀加工、电子束焊接和几次钎焊等工艺。光子吸收器样机在日本KEK·PF上进行了光电解吸产额的测试     

上海光源真空波荡器的特殊真空问题

上海光源(SSRF)在国内首次成功研制了两台真空波荡器IVU25B。真空波荡器产生了一些特殊的真空问题,它们影响到IVU25B的三个主要性能指标——磁场、阻抗和真空度。本文描述了解决这些特殊真空问题的方法。位于真空室内的运动部件内大梁的形状和位置精度是保证磁场性能的关键之一。自行设计的简单而有效的RF屏蔽机构和覆盖在磁铁上的镀Ni铜箔是降低IVU阻抗的关键部件。多孔的永磁铁是巨大的气源,在它们表面上镀TiN膜,把气体封闭在磁铁中,避免释放到真空中。讨论了IVU25B的真空状况以及对上海光源储存环性能的影响。     

SSRF电子储存环真空室材料电子激发解吸的实验研究

用电子激发方法对SSRF储存环初步选定的真空室材料的动态出气特性进行了实验研究 ,得到了主要解吸气体成分的电子激发解吸系数与电子入射累积剂量的关系 ,对真空室材料经不同表面处理后的电子激发解吸特性进行了比较 ,初步确定了该真空室的表面处理工艺 ,为SSRF储存环超高真空系统的建立提供了一定的实验依据     

光束线真空联锁保护系统性能评估测试

光束线真空联锁保护系统的主要功能是在束线薄窗破裂或实验站发生灾难性事故时,防止大气直接冲入储存环真空系统,并尽量减少漏入环真空室的气体量。光束线真空联锁保护系统主要由快阀、门阀、压力传感器(真空规)和控制系统等组成。本实验室一期时研制的第一套真空联锁保护系统进行了模拟性的性能测试。性能测试所得到的数据为光束线真空联锁保护系统的实际应用提供了可靠数据。