Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Fe5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。     

单路信号激励的非接触超声马达的试验研究

目前研究的非接触超声马达都是建立在行波理论基础上,这类马达需将定子弹性体激励出行波,因而它至少需要两路相位差成π/2信号源,其驱动电路复杂,文章提出了一种新型的圆筒型非接触超声马达,它只需单路信号激励,定子采用在圆筒弹性外表面粘贴矩形板压电陶瓷构成。根据有限元分析设计制造了定子,并进行了可行性试验。文章给出了转子结构尺寸对马达转速的影响试验,当采用四叶片转子时马达无负载的最高转速为2025r/min,并采用间接方式测试了马达的起动转矩。     

φ2mm微马达驱动旋转式微泵

在生物医学、化学液体的流量检测与分析及固态元器件冷却等领域中,均需要流量的精细控制和检测系统。在这类流量精细控制和检测系统中,微小型泵是一个基本元件。作者利用上海交通大学研制成功的、由微细加工工艺制备的、直径为2mm的电磁型微马达作驱动源,并配以电火花加工工艺制备的蜗壳和Ti合金叶轮制成旋转式微泵。微泵的外形尺寸为φ4．5×6．5mm,最大流量可达12ml／min,流量可根据马达转速进行调节。     

电磁驱动MEMS可调式光衰减器的设计

设计了一种由电磁驱动的微机械可调式光衰减器。这种光衰减器是由电磁驱动插在两对准单模光纤间隙中的挡光片来实现光功率的衰减。并对该衰减器的插入损耗、光衰减量以及电磁驱动器的性能进行了分析。     

Microstructures and transformation characteristics of thin films of TiNiCu shape memory alloy

Both sputtering conditions and crystallizing temperatures have great influence on the microstructures and phase transformation characteristics for TislNi44Cus. By means of the resistance-temperature measurement, X-ray diffraction and atomic fore microscopic study, the results indicate that the transformation temperatures of the thin films increase and the “rock candy“ martensitic relief is more easily obtained with promoting the sputtering Ar pressure, sputtering power, orcrystallizing temperature. However, when sputtering Ar pressure, sputtering power, or crystallizing temperature are lower, a kind of “chrysanthemum“ relief, which is related with Ti-rich GP zones, is much easier to be observed. The reason is that during crystallization process, both of the inherent compressive stresses introduced under the condition of higher sputteringpressure or higher crystallizing temperature are helpful to the transition from GP zones to Ti2(NiCu) precipitates and the increase of the transformation temperatures. The addition of copper to substitute for 5 96 nickel in mole fraction can reduce the transformation hvsteresis width to about 10 - 15 ℃.     

近邻软磁层偏置磁阻磁头结构参数设计的数学模型

概述了软磁层偏置磁阻磁头的工作原理和特点 ,采用传输线模型对其工作点的选取和结构参数进行了初步设计 ,与实验结果符合较好     

溅射态原位加热NiTi形状记忆合金薄膜的结构性能研究

研究了原位加热溅射的NiTi形状记忆合金薄膜的结构，讨论了制备工艺及织构对薄膜相变特征的影响，采用电阻法及X射线衍射分析了薄膜的结构及相变过程，确定了最适合于微器件的溅射工艺。结果发现：溅射时采用原位加热可直接获得具有织构的晶化薄膜，提高溅射功率将使薄膜的相变温度升高。     

CoCu合金颗粒膜的室温磁电阻效应

利用射频磁控溅射方法制备ＣｏＣｕ合金不同成分的亚稳态薄膜。研究了ＣｏＣｕ合金颗粒膜的磁电阻随真空退火温度、外磁场以及组元成分而变化的规律。经真空退火后，ＣｏＣｕ颗粒膜中析出的Ｃｏ颗粒呈面心立方结构。这种在非磁性Ｃｕ的基体上和具有磁性Ｃｏ偏聚态的纳米级颗粒膜具有巨磁阻（ＧＭＲ）效应。ＣｏＣｕ颗粒膜的ＧＭＲ效应及磁性能均取决于Ｃｏ颗粒的尺寸及数量。     

碳化硅纳米晶须的制备研究进展

介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等。分析了各种方法的特点及存在的问题。对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述。     

MEMS微电磁驱动器磨损对光开关性能的影响分析

光开关中运动元件的磨损对光学元件的位置精度有重要影响。介绍了MEMS微电磁驱动器磨损对光开关光学性能影响的理论分析,采用光纤光学理论计算了磨损所引起的光开关的附加插入损耗,结果表明,所采用的微电磁驱动器磨损引起的附加插入损耗小于0.02 dB,其磨损特性可以满足光通信开关的要求,实验结果证明了理论分析的正确性。此方法对光开关和MEMS微驱动器的研究具有指导意义。