形状记忆合金薄膜驱动微泵的动态特性

一种用形状记忆合金薄膜驱动的新型微泵已经研制成功。为了进一步提高微泵性能，研究了微泵在不同驱动条件下的动态特性。结果表明，随着驱动电流和频率的增加，驱动膜有一个最大的位移植。占空比对最大位移的影响在有无流体情况下是不同的。微泵的流量不仅仅由驱动膜的位移决定，它还与驱动频率有关。在给定的频率下，位移越大，输出流量也越大。动态驱动过程中NiTi电阻的变化表明，形状记忆合金薄膜的马氏体←→奥氏体相转变是不完全的。     

圆盘型非接触超声波马达定子的有限元分析

阐述一种圆盘型非接触超声波马达的结构。利用振动理论和有限元法分析计算了超声波马达定子在不同振动模态下的固有频率．并讨论了定于的内，外径比和厚度对其影响。结果两者吻合较好。由于振幅和非接触马达的运行密切相关．因此利用有限元计算了定子的振动幅度与定子的内、外径比、厚度和定子所加电压的关系,从而为马达定于的设计和优化提供了理论依据。     

发展中的RF MEM5开关技术

射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响.介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题.     

铁磁层/导电层/铁磁层多层膜中巨磁阻抗效应理论*

采用经典电磁理论,对铁磁层／导电层／铁磁层（M／C／M）多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜,理论计算结果表明：高频阻抗在某一外加磁场（近似等于等效各向异性场）下出现最大值,铁磁层和导电层电阻率相关较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应。多层膜在1MHz附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比。多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合。     

反应磁控溅射的进展

反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射量新研发进展的基础上,介绍了中频溅射在减反膜、高反膜和低辐射率膜工业化生产中的应用。     

一种新型微机械硅弹簧的设计与制作

介绍了一种新型的微机械硅弹簧的设计和制作,运用能量方法推导出了弹性常数的计算公式,并用有限元模拟分析方法求出了其固有频率。有限元模拟工具ANSYS模拟的结果验证了弹性常数的计算公式,理论分析和实际加工表明设计方案是可行的。     

低压MOCVD法制备TiO_2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃～ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃～ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。     

一种新型的微机械可变式光衰减器

介绍了一种新型的连续可变式微机械单模光衰减器的设计与制作。该光衰减器采用电磁型微驱动器驱动一个铁镍合金衰减片，使其插入两根准直的单模光纤的间隙中，依靠精密地调节衰减片切入光路中的位置而实现对传输光功率的连续衰减。采用硅微细加工技术成功地制作出了这种光衰减器，并对微驱动器的性能进行了理论分析。测试结果表明，当传输的光波长为1550nm时，该衰减器的平均插入损耗为2.5dB，衰减范围为2.5-45dB，回波损耗为40dB。     

新型MEMS可变光衰减器的微磁执行器

探讨了新型可变光衰减器－光纤横向偏移型MEMS可变光衰减器的微磁驱动方式，从理论上分析了微磁执行器设计时应遵从的原理，讨论和设计了微磁执行器的各个参数，新开发了结合使用正胶（AZ－4000系列）和负胶（SU－8系列）的UV－LIGA工艺：在制作了光纤定位槽的基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层，涂布正胶，紫外光刻得到电镀模具，电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯；在完成下层和中层后，分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台，即涂布负胶覆盖较下层结构，光刻开出了通往较上一层的通道并使SU－8聚合、交联以满足性能要求。并运用该工艺实现了微磁执行器。     

近邻软磁层（SAL）偏置型磁阻头的微磁学分析

本文采用微磁学的方法，计算ＳＡＬ偏置型磁阻头的磁阻元件（ＭＲ）的电流和膜厚、ＳＡＬ的膜厚以及ＭＲ与ＳＡＬ之间的距离对偏置的影响，同时计算了ＭＲ元件的电阻车随信号场的变化，为ＳＡＬ偏置型磁阻头的设计和改进提供理论依据。