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41.
新型悬空结构射频微电感的制作与测试   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用MEMS(Micro Electro-Mechanical System:微机电系统)工艺中的牺牲层技术制作了一种新型悬空结构微电感,在此悬空结构中,微电感的线圈制作在与衬底平行的平面上,线圈与衬底之间有立柱支撑;此新型微电感的制作工艺流程简单,与集成电路工艺相兼容,且其高频性能较好。并对此结构微电感的性能进行了测试,测试频率范围在0.05~10 GHz之间,结果表明:当悬空结构微电感的悬空高度为20 靘,工作频率在3~5 GHz范围内时,其电感量达到4 nH,其Q值最大可达到22。  相似文献   
42.
碳基场发射冷阴极材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位.目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位.阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望.  相似文献   
43.
用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究   总被引:6,自引:2,他引:6  
SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于超厚、高深宽比的MEMS微结构制造。但SU-8胶对工艺参数很敏感。采用正交试验设计方法对其工艺进行分析。采用三个因素进行试验,对试验进行了分析。以200μm厚的SU-8为例进行试验研究,得到光刻胶图形侧壁陡直,分辨率高,与基底附着性能,深宽比大于20。  相似文献   
44.
采用微细加工的方法研制出了一种可调式微机械光衰减器 ,对该衰减器的性能进行了测试 ,并对影响其光学性能的因素作了分析。测试表明 ,该衰减器的插入损耗<3dB ,衰减范围 0~ 4 0dB ,回波损耗 <- 45dB ,衰减精度可达 0 1dB。  相似文献   
45.
电磁驱动MEMS可调式光衰减器的研制   总被引:3,自引:1,他引:3  
研制了一种工作在1550nm波长范围内的单模光纤微机械可调式光衰减器。该衰减器利用非硅表面微加工工艺(这种工艺采用光至抗蚀剂和溅射铜薄膜作为牺牲层,电镀铁镍层作为结构层来制作(MEMS元件)制作,由电镀铁镍层构成的一个插在两对准光纤空隙中的挡光片,一个平面电感线圈。一个硅弹簧和二个带有V型槽的光纤对准元件构成。电镀铁镍制作的挡光片被固定在一个硅弹簧上,该挡光片采用非硅表面微加工工艺制作。平面电感线  相似文献   
46.
47.
48.
提出一种基于非对称电极驱动的非接触压电微马达.圆盘型压电陶瓷作为激励源以产生周向行波.研究了该电极激励行波的条件.根据理论分析,设计了马达样机进,行了实验,并比较了对称电极和非对称电极两种情况下转子转速与频率的关系,得知非对称电极驱动明显提高了压电微马达的转速.  相似文献   
49.
高温固溶处理加适当的时效处理能使一种定向凝固合金的中温持久寿命提高十倍左右,然而并不降低中温持久塑性。中温持久寿命的提高主要是由于铸态粗大γ′,共晶γ-γ′的溶解,并在空冷过程中重新析出均匀分布的细小γ′的缘故。高于1210℃固溶处理,组织中出现许多亚晶粒,其边界由细小的颗粒状次生碳化物构成,这种亚晶界并不损害持久寿命。在所研究的时效温度和时效时间范围内,没有发现中温持久性能的重大变化。然而,与不经时效的相比,不管是对中温持久性能还是对高温持久性能,时效的作用是非常显著的。实验证明:1210~(+20)℃,4小时空冷加900℃,16小时空冷是较为合适的热处理规范。该合金的中温持久寿命t_f和稳态蠕变速率ε_Ⅱ之间符合ε_Ⅱ~a·t_f=c经验式,且a=1,c=5.5。  相似文献   
50.
图形化SMA薄膜的图案及其结构参数的选择对SMA/Si复合驱动膜的性能有决定性的影响,利用有限元方法对两种图案设计进行了对比分析,通过结构分析和温度场分析,图形电阻条变宽的设计有助于进一步提高驱动膜的性能。仿真结果对于优化驱动膜的设计具有指导意义。  相似文献   
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