磁记录技术中的薄膜磁性材料

随着计算机工业、信息、多媒体技术的高速发展，对计算机外存储设备提出了大容量、高数据传输速率及小型化的要求，而实现该要求的唯一途径是提高记录密度。近几年来，由于高矫顽力低噪声介质、薄膜磁阻头、读写及定位技术等方面的重大突破，使记录密度以每年６０％的速率递增。本文就这种数字式磁记录技术中使用的薄膜磁记录介质及新型薄膜磁头材料的发展作一简述。     

PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜，构成了SiO2／Si／SiO2／Ti／Pt／PZT／Ti／Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术，通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术，成功地实现了敏感元的微图形化，解决了Pt／Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题，为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。     

双层悬空结构射频微电感制作研究

利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形射频微电感,研究了双层结构微电感中微带线宽度对其性能的影响。研究表明,双层悬空结构的圆形射频微电感不仅具有较大的电感量,而且其Q值也较高;双层微电感的Q值随微带线宽度的增大而升高,而电感量则随微带线宽度的增大而降低。对于微带线宽度为60μm的双层微电感,在频率2～4GHz时,其电感量可达到5nH左右,Q值达到20。     

RF平面螺旋微电感的物理模型

为了在RF频率域内准确模拟RF平面螺旋微电感的性能，讨论了一种计算RF平面螺旋微电感的物理模型，此模型采用Greenhouse法计算微电感的电感量，在计算微电感Q值时，考虑了诸如涡流、衬底电阻及各种寄生电容等因素，寄生电容包括电感与终端引出层间的交叉电容，电感与衬底间的电容，衬底电容等。这种模型可以计算不同布局及参数的微电感，为微电感的设计及其性能的优化提供了一种很好的方法。     

微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

详细观察了长条形ＮｉＦｅ薄膜元件（宽１２０μｍ,厚４０ｎｍ）沿难轴方向（长方向）磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ噪声的主要物理根源。     

低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜,研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析,实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的,在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结     

PZT压电薄膜在MEMS中的应用

从MEMS应用的角度介绍了PZT压电薄膜的制备、集成工艺与压电系数的测量,并给出了压电薄膜在MEMS中的应用实例。     

脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用

脉冲溅是一种新型的,用于消除直流反应溅射中异常放电的技术,通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。     

形状记忆合金/硅复合膜驱动的微泵

形状记忆合金／硅复合膜驱动的微泵由一个可形变腔体和两个单向硅薄片阀组成，微驱动膜利用ＮｉＴｉ形状记忆合金薄膜相变时具有大的可回复应力和Ｓｉ衬底膜的反偏置力，产生双向往复振动，采用图形化的ＮｉＴｉ薄膜作为热诱发相变的加热电阻，有效地提高了动态响应频率。同时降低了驱动功率。通过驱动结构的优化设计。增加了驱动位移和工作寿命。微泵采用Ｓｉ表面和立体微加工工艺、金－硅共晶键合等技术制备，它的外形尺寸为６ｍｍ     

一种基于MEMS技术的可变光衰减器

介绍了一种基于微电子机械系统(MEMS)技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量.分析了偏移量与衰减量的关系,通过MEMS微细加工技术实现了器件的制作和封装,介绍了加工及装配流程.并进行了性能测试,结果表明,新型可变光衰减器的插入损耗小于1 dB,动态范围约35 dB,工作电压小于5 V,偏振相关损耗小于0.1 dB,有望为光纤网络提供一种低成本、高性能的光通信器件.