全文获取类型
收费全文 | 101篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 21篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 7篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 5篇 |
石油天然气 | 6篇 |
无线电 | 39篇 |
一般工业技术 | 55篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 7篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 18篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有124条查询结果,搜索用时 8 毫秒
11.
采用机械合金化(MA)和真空热压烧结(HP)法制备金属间化合物Fe3Si。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、差热分析(DTA)和振动样品磁强计(VSM)分别用于分析化合物的物相、显微形貌、致密度和磁学性质。研究表明球磨55h可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成饱和固溶体α-Fe(Si),晶粒尺寸约7~8nm。热压烧结后,α-Fe(Si)固溶体发生有序转变生成Fe3Si。磁性能测量表明:样品的矫顽力随烧结温度的升高而减小;随烧结时间的延长而减小;饱和磁化强度随烧结时间的延长而增大。 相似文献
12.
文章简要介绍了半导体β—FeSi2的基本性质及制备方法,讲述了β-FeSi2在太阳能电池、红外探测器和热电转换方面的应用,并对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要的讨论。 相似文献
13.
14.
文章简要介绍了金属间化合物Fe3Si的基本性质、常用的制备方法,以及在软磁性能等方面的应用,并对存在的一些问题以及未来可能的研究方向做了简要探讨。 相似文献
15.
采用射频磁控溅射和低真空退火方法制备Mg2Si/Si异质结,首先在n型Si(111)衬底上沉积Mg膜,经低真空退火形成Mg2Si/Si异质结,Mg膜厚度约为484nm,退火后形成的Mg2Si薄膜厚度约400nto,利用xRD和sEM分别研究了Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌,霍尔效应结果表明,制备的Mg2Si薄膜呈现n型导电特性。 相似文献
16.
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1~10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。 相似文献
17.
18.
使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Ca3Si4块体进行了详细的计算研究,得到了金属间化合物Ca3Si4是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.372 eV;价带主要由Si的3s和3p态电子构成,导带主要由Ca的3d态电子构成。其光学性质结果为:静态介电常数为19,折射率为4.35,吸收系数最大峰值为1.56×105cm-1,能量损失峰的最大值约在8.549 eV处。 相似文献
19.
采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明,在60~90 W的溅射功率范围内,硅基外延Mg2Si具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度先增大后减小,在70 W溅射功率下Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度最强。 相似文献
20.
溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小;在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少,消光系数k先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加减小后增加,消光系数k则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数影响的机理。 相似文献