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基于密度泛函理论第一性原理研究了C、Co单掺杂以及Co/C共掺杂金红石相TiO_2的电子结构和光学性质,并探究了Co/C共掺杂时C原子替换不同位置O的两种原子位形(C-1和C-2)对TiO_2结构和性能的影响。结果表明:单掺Co和单掺C均会改变金红矿相TiO_2的能带结构和电子态密度;掺杂Co能有效减小TiO_2的禁带宽度。Co/C共掺杂的2种位形(Co/C-1、Co/C-2)的光谱吸收均优于Co、C单掺杂;当掺杂Co与C的位置互为次近邻关系(即位形Co/C-2)时,得到的带隙最小,其带隙宽度为1.740 e V。Co/C-2共掺杂带隙中存在4条杂质能级,其中2条来自于Co-3d态,另外2条来自于C-2p态;共掺后其带隙减小是C-2p态形成的杂质能级向价带移动的结果。Co/C-2共掺杂体系具有红移范围最广、吸收强度最大的光谱响应,增强了金红石相Ti O2的光吸收性能。 相似文献
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研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE).通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响.仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道.重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱.此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果. 相似文献
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环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9eV,且在4.5eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。 相似文献
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采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了Cr-Se共掺杂单层MoS2未施应变和(0001)面施加应变的光电特性。计算结果表明:未施加应变体系属直接带隙半导体,张应变下体系的带隙值随应变增加而减小,压应变下带隙值随应变增加先增加后减小,在应变为-6%时转化为Γ-M间接带隙半导体,带隙值达到极大值1.595eV;介电函数和折射率随张应变的增加而增加,随压应变增加先减小后增大,在压应变为-6%时达到极小值3.627和1.905;光电导率和能量损失函数随张应变增加而减小,随压应变增加先增加后减小,应变分别为-5%和-2%时达到极大值2.588和9.428。可见,应变能更精细地调制Cr-Se共掺杂单层MoS2的光电特性。 相似文献
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磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素.本文用有限元 分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响.模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小.模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好. 相似文献
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3选油原则实例3.1按汽车制造商要求选用3.1.1上海大众汽车公司用油上海大众汽车公司提出其手动变速箱和前驱动桥的润滑油采用现行的联邦德国大众汽车股份有限公司标准VW50150,要求齿轮油符合SAE75W/90API(GL-4)“+”规范。根据认定程序,将油品送交德国大众汽车公司中心试验室,进行性能分析和台架等评定试验,待检验合格后发放认可证书,并在油桶容器上作“符合VW50150标准”等标记。从VW50150标准的内容看,其质量等级在达到(GL-4)规格时增加手动变速箱油性能要求,包括抗点蚀、… 相似文献
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1序齿轮机构是机械中最主要的一种传动机构。其传递功率范围大,传动效率高,可传递任意两轴之间的运动和动力。运动和动力的传递是在齿轮机构中每对啮合齿面的相互作用、相对运动中完成的,其间必然产生摩擦。为避免机件直接摩擦,需要润滑剂将工作面隔开,以保持齿轮机... 相似文献