自然老化对导电硅橡胶电阻特性的影响

分析了异电硅橡胶的电阻性特自然老化条件下的变化规律，发现自然老化对导电硅橡胶电阻行性的影响与导电粒子的质量分数有关，并确定了最佳的导电粒子质量分数。     

石墨、炭黑及白炭黑在橡胶中的微观结构分析

本文用ＳＥＭ技术对石墨，炭黑及白灰黑三种导电粒子导电硅橡胶中的结构分布形态进行了分析，结果发现，石墨在橡胶基体中的均匀分布，且不聚焦，炭黑和白炭黑在橡胶基体中都有聚焦成环球的现象，当炭黑和白炭黑共存时，其聚焦程度增大，由此可见，白炭黑对炭黑的聚集有影响，此外，有关导电粒子对导电硅聚橡胶导电机制的影响也进行了分析。     

退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。     

CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法，对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算，能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体，禁带宽度为0．353eV,其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定；计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较，计算结果与已有的实验数据符合较好。     

低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟

利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹.结果表明:入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置,其与基底原子的结合能最大可以达到2.99eV;从位置1,2,3,4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开,而从位置5和位置6入射时,表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成.     

Mg2Si电子结构及光学性质的研究

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0．2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数ε1（0）=18．89；折射率n0=4．3460；吸收系数最大峰值为356474．5cm^-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。     

纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展

详细介绍了硅化物环境半导体材料的理论计算和实验研究进展,主要包括β-FeSi_2、ca_2Si、CrSi_2等硅化物的新的光电特性及理论计算结果,并对硅化物环境半导体材料在光电子领域的应用进行了讨论。     

Simulation study on transition mechanisms of microstructures during forming processes of amorphous metals

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＩｔｉｓｗｅｌｌｋｎｏｗｎｔｈａｔａｍｏｒｐｈｏｕｓｍｅｔａｌｓａｎｄａｌ ｌｏｙｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｍｅｌｔｑｕｅｎｃｈｉｎｇ ｐｏｓｓｅｓｓｖａｒｉｏｕｓｅｘ ｃｅｌｌｅｎｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ,ｗｈｉｃｈａｒｅｍａｉｎｌｙｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄｂｙｔｈｅｉｒｓｐｅｃｉａｌｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ .Ｆｏｒｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ,ｉｔｉｓｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｂ…     

Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜

采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。     

正交相BaSi_2粉晶X射线衍射谱的计算

由正交相BaSi2晶胞原子的分数坐标和散射因子计算出其粉晶X射线衍射谱,结果与PDF卡片的数据相当一致。该计算方法既可用于新材料PDF卡片的计算,也可用于校验实验方法得到的PDF卡片的可靠性。