基于β-FeSi2薄膜的异质结研究现状

详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性,以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用.目前,基于β-FeSi2薄膜的异质结应用的研究主要集中在PL和EL等LED领域,而对其应用于太阳能电池方面的研究还很薄弱,所获得的光电转换效率最高是3.7%,远低于其16%～23%的理论值.     

BaSi_2晶体结构及X射线衍射谱的研究

基于汤姆逊弹性散射理论导出了计算衍射峰强度的具体表达式,计算并得到了BaSi2粉晶的X射线衍射谱图,研究了影响粉晶X射线衍射谱线位置、强度和形状的因素。给出了校验及修正粉晶衍射谱图的可靠方法。     

掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂足调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换Fel位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代Fell位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响.     

Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响,XRD结果表明随着Al掺杂量的增加, Mg2Si衍射峰先增强后减弱. SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423～0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72～0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.     

空中手写技术的一种改进方案

针对现有空中手写技术存在的不足,提出了一种改进方案.增加初始化设置环节,利用惯性传感器进行数据采集,以"激光-平面定位法"实现远距离空间坐标的获取,并将数据实时传输至电脑端进行处理.增加了现有技术未考虑到的显示屏幕与电子笔的实际空间大小、相对位置和指向等数据的获取,并建立这些数据之间的对应关系,实现电脑光标与手写笔笔尖...     

B含量对非晶态Ni_（72－x）Si_（15）B_（13＋x）（X＝0，2，4，6，8）合金脆化温度的影响

通过试验研究了非晶态Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（Ｘ＝０，２，４，６，８）合金脆化温度与Ｂ原子浓度的关系。根据双层结构单元模型和结构缺陷形成机制，分析了该合金的晶化过程，并对其试验结果进行了初步的解释。     

厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势

针对厚膜电阻浆料的研究现状,探讨厚膜电阻浆料中功能相的种类和粒度,玻璃相、有机载体的成分及含量等因素对厚膜电阻浆料的印刷性能和电性能的影响,简述了添加剂的种类对厚膜电阻的电导率等电性能的影响。因此,厚膜电阻浆料的性能参数是各因素相互作用的结果,通过改变各组分的成分、含量等,获得高性能厚膜电阻浆料配方。     

石墨烯改性研究进展

结合当前国内外石墨烯改性的研究进展,分别从表面改性和电子性能改性两个方面介绍了石墨烯的改性方法。其中,石墨烯表面改性包括共价键功能化和非共价键功能化;石墨烯电子性能改性包括掺杂和离子轰击。讨论了各种改性方法的优缺点,并在原有改性方法的基础上,展望了未来石墨烯改性的发展方向。     

水生植物应用问题多

随着水生植物在园林中应用的日益广泛,暴露的问题也越来越多.本文就水生植物的名称规范、种植密度、种植季节、规格标注、种植土、常水位和水深适应性等问题与读者讨论、交流.