全文获取类型
收费全文 | 101篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 21篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 7篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 5篇 |
石油天然气 | 6篇 |
无线电 | 39篇 |
一般工业技术 | 55篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 7篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 18篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有124条查询结果,搜索用时 8 毫秒
41.
42.
43.
44.
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂足调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换Fel位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代Fell位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响. 相似文献
45.
详细介绍了硅化物环境半导体材料的理论计算和实验研究进展,主要包括β-FeSi_2、ca_2Si、CrSi_2等硅化物的新的光电特性及理论计算结果,并对硅化物环境半导体材料在光电子领域的应用进行了讨论。 相似文献
46.
47.
49.
50.
利用磁控溅射方法,溅射室背底真空优于2.0×10-5 Pa,采用不同的功率在Si(100)(电阻率为7~13 Ωcm)衬底上沉积一层铁薄膜(150~330 nm),然后在900 ℃,15 h背底真空条件下(4×10-4 Pa)退火,形成了β-FeSi2。采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌结构进行表征,并采用X射线衍射仪(XRD)对其进行了晶体的结构分析,当溅射功率为70~100 W时,主要衍射峰来自β-FeSi2,但同时在2θ=45°处有较大的FeSi峰,在2θ=38°附近出现较大的Fe5Si3峰。研究结果表明,制备β-FeSi2薄膜的最佳溅射功率为110 W,在900 ℃退火15 h。 相似文献