正交相BaSi_2粉晶X射线衍射谱的计算

由正交相BaSi2晶胞原子的分数坐标和散射因子计算出其粉晶X射线衍射谱,结果与PDF卡片的数据相当一致。该计算方法既可用于新材料PDF卡片的计算,也可用于校验实验方法得到的PDF卡片的可靠性。     

基于β-FeSi2薄膜的异质结研究现状

详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性,以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用.目前,基于β-FeSi2薄膜的异质结应用的研究主要集中在PL和EL等LED领域,而对其应用于太阳能电池方面的研究还很薄弱,所获得的光电转换效率最高是3.7%,远低于其16%～23%的理论值.     

BaSi_2晶体结构及X射线衍射谱的研究

基于汤姆逊弹性散射理论导出了计算衍射峰强度的具体表达式,计算并得到了BaSi2粉晶的X射线衍射谱图,研究了影响粉晶X射线衍射谱线位置、强度和形状的因素。给出了校验及修正粉晶衍射谱图的可靠方法。     

掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂足调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换Fel位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代Fell位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响.     

纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展

详细介绍了硅化物环境半导体材料的理论计算和实验研究进展,主要包括β-FeSi_2、ca_2Si、CrSi_2等硅化物的新的光电特性及理论计算结果,并对硅化物环境半导体材料在光电子领域的应用进行了讨论。     

B含量对非晶态Ni_（72－x）Si_（15）B_（13＋x）（X＝0，2，4，6，8）合金脆化温度的影响

通过试验研究了非晶态Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（Ｘ＝０，２，４，６，８）合金脆化温度与Ｂ原子浓度的关系。根据双层结构单元模型和结构缺陷形成机制，分析了该合金的晶化过程，并对其试验结果进行了初步的解释。     

石墨烯改性研究进展

结合当前国内外石墨烯改性的研究进展,分别从表面改性和电子性能改性两个方面介绍了石墨烯的改性方法。其中,石墨烯表面改性包括共价键功能化和非共价键功能化;石墨烯电子性能改性包括掺杂和离子轰击。讨论了各种改性方法的优缺点,并在原有改性方法的基础上,展望了未来石墨烯改性的发展方向。     

水生植物应用问题多

随着水生植物在园林中应用的日益广泛,暴露的问题也越来越多.本文就水生植物的名称规范、种植密度、种植季节、规格标注、种植土、常水位和水深适应性等问题与读者讨论、交流.     

功率对制备β-FeSi2薄膜的影响

利用磁控溅射方法,溅射室背底真空优于2.0×10-5 Pa,采用不同的功率在Si(100)(电阻率为7~13 Ωcm)衬底上沉积一层铁薄膜(150~330 nm),然后在900 ℃,15 h背底真空条件下(4×10-4 Pa)退火,形成了β-FeSi2。采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌结构进行表征,并采用X射线衍射仪(XRD)对其进行了晶体的结构分析,当溅射功率为70~100 W时,主要衍射峰来自β-FeSi2,但同时在2θ=45°处有较大的FeSi峰,在2θ=38°附近出现较大的Fe5Si3峰。研究结果表明,制备β-FeSi2薄膜的最佳溅射功率为110 W,在900 ℃退火15 h。